相變態分類:1.與擴散有關的相變態:(1)簡易有關的變態 (2)極度有關的 相變態 2.與擴散無關的相變態:麻田散體(鐵)變態 凝固與相變態 材料『製程』 → 結構 → 性質 →性能 ↓ 凝固→細晶強化 熱處理→加熱冷卻(析出強化、固溶處理、相變態) 加工→加工硬化 銲接、鑄造 相變態:利用外界條件之改變,使得相產生改變。 →加熱冷卻 相變態分類:1.與擴散有關的相變態:(1)簡易有關的變態 (2)極度有關的 相變態 2.與擴散無關的相變態:麻田散體(鐵)變態
金屬的凝固 凝固︰L(液體) →S(固體) 原子要重組 凝固的二個過程:孕核(nucleation)、成長(growth)。 L (原子排列不具規則性) S (結晶體 ,ex:單晶、多晶) 凝 固 二個過程:孕核:在液體中少數原子集中形成小顆粒之過 程,又細分為均質孕核與異質孕核。 成長:原子繼續吸附在核上面而使核尺寸愈來愈 大。
1.等軸晶:在各個方向的尺寸大約一致的晶粒。 L → S(多晶) 多晶之晶粒型式: 1.等軸晶:在各個方向的尺寸大約一致的晶粒。 (等方性) 2.柱狀晶:沿著某一方向(縱向)成長,此一方向的尺寸大 於其它方向的尺寸。 (異向性)
由液相中的晶體成長 S L 原子由L→S,吸附S↑L↓= 凝固 原子由S→L,離開S↓L↑= 熔解 界面 吸附速率 Rf = Rfo × e(-Qf/RT) 離開速率 Rm = Rmo × e(-Qm/RT) 故此,當 Rf > Rm , S↑L↓ Rm > Rf , L↑S↓
Qm 由S→L所克服之能量大小,影響較Rm大 Qf 由L→S所克服之能量大小,影響較Rf大 能量鞍點 能量 Qf形成固體鍵結之活化能 Qm打斷固體鍵結之活化能 凝固潛熱 液體能量 固體能量 S L 距離(位置) Qm 由S→L所克服之能量大小,影響較Rm大 Qf 由L→S所克服之能量大小,影響較Rf大 Qm= Qf + 凝固潛熱
溫度對Rm & Rf 的影響: T < 臨界溫度 Rf > Rm,S↑L↓(凝固) 速率 平衡的凝固或熔解點(臨界溫度) 凝固速率Rf △T 溫度(k) T < 臨界溫度 Rf > Rm,S↑L↓(凝固) T > 臨界溫度 Rm > Rf,S↓L↑(熔化)
熔解與蒸發熱 有差階原子(鍵結最少)最易離開,反之吸附也最容易。 蒸發:L→g ,△Gg-L 大 熔解:S→L ,△Gg-L 小 A 有差階原子(鍵結最少)最易離開,反之吸附也最容易。 蒸發:L→g ,△Gg-L 大 熔解:S→L ,△Gg-L 小 意即:凝固與汽化皆在差階形成的地方
固態反應之動力學 相變態→針對固態 = 固態之相變態f(t) 擴散變態: (1)孕核:位置→高能量處 晶界、析出物、雜質 (2)成長:核長大 50% 變態分率% 時間t 100% 潛伏期 孕核 成長 y = 1- exp[-ktn] ∞ T 50% 變態分率% 時間t 100% 潛伏期 孕核 成長 y = 1- exp[-ktn] ∞ T
多相變態 金屬合金,可藉由溫度,成分及壓力之變化使其相變態 →改變溫度使其產生相變態→熱處理→改變顯微組織(相變態) 平衡圖(相圖) = 溫度,成分,壓力 熱處理→非平衡圖=溫度,時間,成分,壓力 鋼鐵 TTT圖 CCT圖 TTA圖
恆溫變態圖 γ → α + Fe3C 共析反應,T=727℃ T(℃) t(log) 100% 沃斯田鐵 波來鐵 100% t 500 100% 沃斯田鐵 500 450 400 波來鐵 600 650 675 100% t 675 650 600 550 T(℃) 500 450 400 t(log)
恆溫變態-TTT圖 (a)760℃→350℃×104秒 →急冷至室溫 (b)760℃→250℃×102秒 (c)760℃→650℃×20秒 →400℃×104秒 (d)760℃→400℃×102
連續冷卻變態-CCT圖 爐冷:又稱完全退火, 得粗波來鐵。 空冷:又稱正常化,得 中波來鐵。 油冷:又稱油淬,得細 波來鐵+麻田散 鐵。 水冷:又稱水淬,得麻 田散鐵+殘留沃 斯田鐵 爐冷 空冷 下臨界冷速 上臨界冷速 油冷 水冷
鐵碳合金之機械行為 波來鐵:粗 中 細,強度→(愈往右強度愈大) 硬度→(愈往右硬度愈硬) 變韌鐵:上 下,韌性←(愈往左韌性愈強) 波來鐵:粗 中 細,強度→(愈往右強度愈大) 硬度→(愈往右硬度愈硬) 變韌鐵:上 下,韌性←(愈往左韌性愈強) 強度硬度→(愈往右愈強且硬) 麻田散鐵:板狀,針狀,HRC60 肥粒鐵:鐵固溶微量C之固溶體,HRB70~60 球化鐵:球狀雪明碳鐵,HRC80~90 波來鐵 球化退火→肥粒鐵(基地相)+球狀Fe3C
麻田散鐵 麻田散鐵→沃斯田鐵化之鋼料急冷而得→鐵固溶碳之過飽和固溶體。 麻田散鐵之缺點:硬,脆 →硬度高但韌性不佳。 回火:將淬火過之鋼料重新加熱至A1點以下之溫度,以提高韌性,消除殘留內部應力安定組織。 回火脆性:回火時回火到某溫度範圍其韌性反而下降之現象。
8-2均質孕核 1.孕核:由液體中少數的原子叢集而出現固體的結晶核。 臨界半徑r*:晶核自由能最大時的尺寸。 r<r*,顆粒稱為胚,胚傾向消失; r>r*,顆粒稱為核,核繼續成長。 2.成長:當顆粒的尺寸到達r*,核繼續成長形成晶粒。 ※ 結晶材料由L→S凝固,一開始孕核、成長,其原 子排列即具有規律性。
圖8.1孕核、成長((a)為巨觀、(b)(c)(d)為微觀)
二者之和為總自由能(Total free energy,GT) 均質孕核兩種能量:.體積自由能、表面自由能 1.體積自由能(Gibbs free energy,GV):與體積有關。 2.表面自由能(Surface free energy,GS):與表面積有關。 二者之和為總自由能(Total free energy,GT) 圖8.2由液體變成固體的之體積、表面積
體積自由能差值 ΔGV<0 、 ΔGV=4/3πr3 ×ΔFV 表面自由能差值 ΔGS>0 、ΔGS=4πr2×γ 總自由能差ΔGT,ΔGT=ΔGV+ΔGS =4/3πr3×ΔFV+4πr2× γ ΔGV:負值 ΔGS:正值 r<<r* ΔGT=+ r ﹖ ΔGT ﹖ r>>r* ΔGT=-
體積自由能(差)、表面自由能(差)、 總自由能(差)與半徑關係
當r=r*時 ,令 d(ΔGT )/dr=0,可找出r*的位置 d(ΔGT )/dr =d(4/3×πr3×ΔFV+4πr2× γ)/dr=0 4πr2ΔFV+8πrγ=0 → 4πr(rΔFV +2γ)=0 當r=r*,4πr*(r*ΔFV +2γ)=0 ,故 r*ΔFV +2γ=0 r*=-2γ/ΔFV ………【公式8-1a】 由熱力學 ΔFV=-(ΔHf×ΔT) / Tm 代入上式 r*=-2γ/ΔFV=-2γ/(-ΔHf×ΔT)/ Tm =2γTm /ΔHf×ΔT r*=2γTm /ΔHf×ΔT………【公式8-1b】
r*=2γTm /ΔHf×ΔT Tm↑,r*↑;Tm↓,r*↓ (低熔點容易孕核,反之亦然) ΔT↑,r*↓(過冷度愈大,則臨界半徑小;即冷卻速度愈 快,則臨界半徑小) 由圖2.3可知: r<r*,稱顆粒為胚,傾向於消失,因為顆粒尺寸縮小,總自由能會下降。 r>r*,稱顆粒為核,傾向於成長,因為顆粒尺寸增加,總自由能會下降。
異質孕核 異質孕核:模壁或雜質處產生之孕核。 模壁或雜質稱為孕核媒介物(na:nucleation-agent)。 θ:接觸角 在模壁之異質孕核 θ:接觸角 θ<<90° wetted(潤溼) θ=90° 半球 θ>>90° 圓球
異質孕核時表面張力之關係 力之平衡 Tna-l=Tna-s-Ts-l cosθ Ts-l cosθ=Tna-s-Tna-l cosθ=(Tna-l-Tna-s)/Ts-l
圖8.5異質孕核時晶核高度之幾何 異質孕核時晶核高度= h= r-rcosθ=r(1-cosθ)
均質孕核自由能變化=ΔGhom 異質孕核自由能變化= ΔGhet ΔGhet=ΔGhom ×f(θ) = ΔGhom (2-3cosθ﹢cos3θ)/4 【公式8-2】 f(θ)=稱幾何因子 θ=0°時 ,ΔGhet=ΔGhom ×f(θ) =ΔGhom ×=0 θ=90°時,ΔGhet=ΔGhom ×f(θ)=ΔGhom ×1/2 =1/2ΔGhom θ=180°時,ΔGhet=ΔGhom ×f(θ)=ΔGhom ×1=ΔGhom 因此f(θ) ≦1 *故ΔGhet≦ΔGhom 異質孕核比均質孕核容易,所以一般孕核多為異質孕核。
晶粒之形成 金屬液體之凝固 金屬液體之凝固過程
8.5由液相中的成長 液體與固體間之邊界移動是二種不同原子移動的結果。 圖8.7液固間之邊界不同原子的移動 【公式8-3】 附著速率= Rf=Rfoe-Qf/RT ,分開速率 = Rm=Rmoe-Qm/RT Rfo及Rmo是常數,Qf、Qm是活化能,是R氣體常數,T是溫度。
Qf、Qm的意義 Qf表示將原子由液體移到鞍點所需的能量 Qm是將原子由固體移到鞍點所需的能量 位能井為熔解(凝固)潛熱ΔHf 圖8.8分開與附著活化能之間的關係
凝固速率與熔解速率的關係 圖8.9銅之凝固與熔解的速率 T = Tm時,凝固速率等於熔解速率 T<Tm時,凝固速率大於熔解速率 T>Tm時,凝固速率小於熔解速率
圖8.10離開液體表面進入蒸氣中或離開固體表面進入液體的原子 8.6熔解與蒸發熱 蒸發熱:將原子由液體表面移開並放入蒸氣中所需的熱量 熔解熱:將原子由固體表面移開並放入液體中所需的熱量 圖8.10離開液體表面進入蒸氣中或離開固體表面進入液體的原子 差階:不完整平面上原子鍵結最少的位置。
8.7液固界面的本質 圖8.11液固界面之二種模型 影響材料固化方式(a)差階分佈(b)液固界面的本質(特性) 界面的二個極端情形:模糊界面、原子級平滑界面 圖8.11液固界面之二種模型
(1)模糊界面:由液體到固體的改變係發生於相當數目的原子層 (2)原子級平滑界面:液體到固體的改變係發生於單一原子層。 亦即由非晶的液態變成晶質的固態是逐漸的。 (2)原子級平滑界面:液體到固體的改變係發生於單一原子層。 調適因子:在液相或固相的原子,於界面之另一邊發現自己能附著 上去的機會。 模糊界面特徵 : 平滑界面特徵: (a)調適因子大 (a)調適因子小 (b)差階數量多 (b)差階數量少 (c)界面寬度大 (c)界面寬度小 (d)界面連續成長 (d)界面側面成長
【註】由固相移向液相的原子,其調適因子與液態之原子性 質無關,由液相移向固相的調適因子會隨固體的性質而變。 【註】由液相移向固體的原子,如果晶面堆積愈鬆散附著上 去愈容易,亦即平面堆積愈不緊密,其成長速度愈快。 【註】堆積愈不緊密成長速度愈快的平面反而會消失。 圖8.12堆積鬆散平面 較容易使原子附著 圖8.13液體中的晶體成長傾 向於發展出慢成長的平面
8.8連續成長 8.9側面成長 連續成長:成長係藉著原子連續地填入每一個原子位置 而產生,界面沿著本身之垂直方向前進。此 為模糊界面之成長機構。 連續成長之成長速率(V)隨界面處之過冷度(△T)成 線性改變: V=B△T 【公式8-17】 8.9側面成長 側面成長:成長係藉著原子由側面(表面上面突出的部份 即差階 )填入,界面沿著本身之平行方向前 進。此為原子級平滑界面之成長機構。
單核: V=B3Ae(-B4/△T ) 【公式8-19】 多核: V=B5e(-B4/3△T ) △T:過冷度,餘為常數 圖8.14側面成長機構之界面過程的示意圖 圖8.15在螺旋差排上原子加 到凸出的差階而成長 螺旋: V=B2(△T)2 【公式8-18】 單核: V=B3Ae(-B4/△T ) 【公式8-19】 多核: V=B5e(-B4/3△T ) △T:過冷度,餘為常數