7.2其他放大电路 7.2.1共集电极放大电路 共集电极放大电路又称射极输出器,主要作用是交流电流放大,以提高整个放大电路的带负载能力。实用中,一般用作输出级或隔离级。

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5 场效应管放大电路 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET)
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3.1 多级放大电路与组合放大电路 3.2 放大电路的频率特性 3.3 放大电路设计举例
第二章 基本放大器 2.1 放大电路的基本概念及性能指标 2.2 单管共射放大电路的工作原理 2.3 放大电路的图解分析法
第3章 分立元件基本电路 3.1 共发射极放大电路 3.2 共集电极放大电路 3.3 共源极放大电路 3.4 分立元件组成的基本门电路.
第四章 放大器基础 4.1 放大电路的基本概念及性能指标 4.2 单管共射放大电路的工作原理 4.3 放大电路的图解分析法
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7.2 其他放大电路 共集电极放大电 共基极放大电 多级放大电路 场效应管放大电路.
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晶体管及其小信号放大 (2).
第15章 基本放大电路 15.1 基本放大电路的组成 15.2 放大电路的静态分析 15.3 放大电路的动态分析 15.4 静态工作点的稳定
+UCC RB1 RC C2 C1 RL RB2 C0 ui RE uo CE
第三章 场效应管放大器 3.1 场效应管 3.2 场效应管放大电路 绝缘栅场效应管 结型场效应管 效应管放大器的静态偏置
中等职业学校教学用书(电子技术专业) 《电工与电子技术基础》 任课教师:李凤琴 李鹏.
第三章 晶体管及其小信号放大(1).
放大电路中的负反馈 反馈的概念 反馈的类型及其判定 负反馈对放大电路性能的影响 负反馈的典型应用.
第 10 章 基本放大电路 10.1 共发射极放大电路的组成 10.2 共发射极放大电路的分析 10.3 静态工作点的稳定
现代电子技术实验 4.11 RC带通滤波器的设计与测试.
晶体管及其小信号放大 -共集(电压跟随器) 和共基放大电路 -共源(电压跟随器).
第7章 基本放大电路 放大电路的功能是利用三极管的电流控制作用,或场效应管电压控制作用,把微弱的电信号(简称信号,指变化的电压、电流、功率)不失真地放大到所需的数值,实现将直流电源的能量部分地转化为按输入信号规律变化且有较大能量的输出信号。放大电路的实质,是一种用较小的能量去控制较大能量转换的能量转换装置。
第二章 放大电路的基本原理 2.1 放大的概念 2.2 单管共发射极放大电路 2.3 放大电路的主要技术指标 2.4 放大电路的基本分析方法
第二章 基本放大电路 2.1 基本放大电路的组成 放大电路的组成原则 (1) 晶体管必须工作在放大区。发射结正偏,集 电结反偏。
第4章 放大电路的频率特性 [问题提出] 前面所讲述的均以单一频率的正弦信号来研究,事实上信号的频率变化比较宽(例如声音信号、图象信号),对一个放大器,当Ui 一定时,f变化 Uo变化,即Au=Uo/Ui 变化,换句话说: Au与f有关。 为什么Au与f有关呢?什么是频率响应? 频率响应:指放大器对不同频率的正弦信号.
第17章 电子电路的反馈 17.1 反馈的基本概念 17.2 放大电路的负反馈 17.3 振荡电路的正反馈.
2.4 工作点稳定的放大电路 2.5 阻容耦合多级放大电路及其频率特性 2.6 射极输出器
图4-1 带有电压串联负反馈的两级阻容耦合放大器
电工电子实验教学中心 晶体管单级共射放大电路 仿真与实践 主讲:许忠仁.
iC iB ib iB uBE uCE uBE uce t uce t 交流负载线,斜率为-1/(RC //RL)
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第2章 半导体三极管和交流电压放大电路 1. 掌握半导体三极管的基本结构、特性、电流分配和放大原理。
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第6章 第6章 直流稳压电源 概述 6.1 单相桥式整流电路 6.2 滤波电路 6.3 串联型稳压电路 上页 下页 返回.
第15章 基本放大电路 15.1 共发射极放大电路的组成 15.2 放大电路的静态分析 15.3 放大电路的动态分析
第7章 集成运算放大电路 7.1 概述 7.4 集成运算放大器.
10.2 串联反馈式稳压电路 稳压电源质量指标 串联反馈式稳压电路工作原理 三端集成稳压器
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第三章:恒定电流 第4节 串联电路与并联电路.
晶体管及其小信号放大 -单管共射电路的频率特性.
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第三章 场效应管放大电路 3.1 结型场效应管 3.2 绝缘栅场效应管 3.3 场效应管的主要参数 3.4 场效应管的特点
第三章 放大电路的频率响应 3.1 频率响应的一般概念 3.2 三极管的频率参数 3.3 单管共射放大电路的频率响应
第五章 放大器 的 频率特性 放大器 的通频带 第八节 单级 阻容耦合 共射 放大电路 的频率特性 一 二 多级 放大电路 的频率特性 三.
——介绍基本放大电路的原理、直流/交流分析方法以及频率响应概念
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9.3 静态工作点的稳定 放大电路不仅要有合适的静态工作点,而且要保持静态工作点的稳定。由于某种原因,例如温度的变化,将使集电极电流的静态值 IC 发生变化,从而影响静态工作点的稳定。 上一节所讨论的基本放大电路偏置电流 +UCC RC C1 C2 T RL RE + CE RB1 RB2 RS ui.
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9.6.2 互补对称放大电路 1. 无输出变压器(OTL)的互补对称放大电路 +UCC
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7.2其他放大电路 7.2.1共集电极放大电路 共集电极放大电路又称射极输出器,主要作用是交流电流放大,以提高整个放大电路的带负载能力。实用中,一般用作输出级或隔离级。

1.电路组成    共集电极放大电路的组成如图7.21(a)所示,图7.21(b)为其交流通路。各元件的作用与共发射极放大电路基本相同,只是RE除具有稳定静态工作点外,还作为放大电路空载时的负载。?     (a) 电路图             (b) 交流通路   图7.21共集电极放大电路

2.静态分析 UCC=IBRB+UBE+(1+β)IBRE IB= IC =βIB UCE =UCC - IERE ≈ UCC - ICRE

3.动态分析 (1) 电压放大倍数     图7.21(c) 微变等效电路 由图7.21(c)可知

(2) 输入电阻Ri 故 Ri = RB∥Ri/ = RB∥[rbe+(1+β)RL/]

(3) 输出电阻Ro 求输出电阻的等效电路如图7.22所示。 图7.22 计算输出电阻的等效电路

由图7.22可得: 式中 = RS∥RB 故 通常RE>> ,所以

综上所述,共集电极放大电路的主要特点是:输入电阻高,传递信号源信号效率高;输出电阻低,带负载能力强;电压放大倍数小于1而接近于1,且输出电压与输入电压相位相同,具有跟随特性。因而在实用中,广泛用作输出级或中间隔离级。 需要说明的是:共集电极放大电路虽然没有电压放大作用,但仍有电流放大作用,因而有功率放大作用。

[例7. 5] 若图7. 21电路中各元件参数为:UCC = 12V,RB= 240 kΩ,RE= 3 [例7.5] 若图7.21电路中各元件参数为:UCC = 12V,RB= 240 kΩ,RE= 3.9 kΩ,RS = 600Ω,RL = 12 kΩ,β= 60,C1和C2容量足够大,试求:Au,Ri,Ro。 解: μA IE≈IC=βIB=60×25=1.5mA rbe= 300+(1+β) =300+(1+60) =1.4 kΩ = RE∥RL= ≈2 .9 kΩ

故: Ri = RB∥[rbe+(1+β) ] = 200∥[1.4+(1+60)×2.9] = 102 kΩ Ω

7.2.2 共基极放大电路 共基极放大电路主要作用是高频信号放大,频带宽,其电路组成如图7.23所示。 图7.23 共基极放大电路

表7.2 三种组态基本放大电路性能比较 电路形式 共发射极放大电路 共集电极放大电路 共基极放大电路 电流放大系数 较大,例如200 表7.2 三种组态基本放大电路性能比较 电路形式 共发射极放大电路 共集电极放大电路 共基极放大电路 电流放大系数 较大,例如200 <1 电压放大倍数 较大,例如100 功率放大倍数 很大,例如20000 较大,例如300 输入电阻 中等,例如5kΩ 较大,例如50kΩ 较小,例如50Ω 输出电阻 较大,例如10kΩ 较小,例如100Ω 较大,例如5kΩ 200 输出与输入电压相位 相反 相同

7.2.3 多级放大电路 在许多情况下,输入信号是很微弱的,要把微弱的信号放大到足以带动负载,必须经多级放大。在多级放大器中,每两个单级放大电路之间的连接方式称为间级耦合,实现耦合的电路称级间耦合电路。对级间耦合电路的基本要求是:不引起信号失真; 尽量减小信号电压在耦合电路上的损失。 目前,以阻容耦合(分立元件电路)和直接耦合(集成电路)应用最广泛。阻容耦合指用较大容量的电容连接两个单级放大电路的连接方式,其特点是各级静态工作点互不影响,电路调试方便,但信号有损失。直接耦合指用导线连接两个单级放大电路的连接方式,其特点是信号无损失,但各级静态工作点相互影响,电路调试麻烦。

一般多级放大器的组成方框图如图7.24所示。 图 7.24 多级放大电路组成框图

1.多级放大电路电压放大倍数的计算 多级放大电路总的电压放大倍数等于各级电路电压放大倍数的乘积。即 在计算单级放大电路电压放大倍数时,把后一级的输入电阻作为本级的负载即可。 2.多级放大电路的输入电阻和输出电阻 多级放大电路的输入电阻即为第一级放大电路的输入电阻;多级放大电路的输出电阻即为最后一级(第n级)放大电路的输出电阻。即 Ri = Ri1 Ro= Ron

[例7. 6] 两级阻容耦合放大电路如图7. 25所示,各元件参数为:UCC=12V,RB1=100kΩ,RB2=39kΩ,RC1=5 [例7.6] 两级阻容耦合放大电路如图7.25所示,各元件参数为:UCC=12V,RB1=100kΩ,RB2=39kΩ,RC1=5.6 kΩ,R E1=2.2kΩ, =82 kΩ, =47 kΩ,RC2=2.7 kΩ,RE2=2.7kΩ,RL=3.9kΩ,rbe1=1.4kΩ,rbe2=1.3kΩ,β1=β2 =50。 求:电压放大倍数,输入电阻,输出电阻。

图7.25(a) 两级阻容耦合放大电路

图7.25(b) 两级阻容耦合放大电路微变等效电路

解: RL1= // // rbe2 = 82 // 47 // 1. 3≈1. 3 kΩ = RC1 // RL1 = 5. 6 // 1 解: RL1= // // rbe2 = 82 // 47 // 1.3≈1.3 kΩ = RC1 // RL1 = 5.6 // 1.3≈1.06 kΩ 故 Ri = Ri1 = RB1 // RB2 // rbe1 = 100 // 39 // 1.4≈1.4 kΩ Ro = RC2 = 2.7 kΩ

4.多级放大电路的频率特性 频率特性有幅频特性和相频特性,幅频特性指放大电路的电压放大倍数与频率之间的关系。相频特性指输出电压相对于输入电压的相位移(相位差)与频率之间的关系。单级阻容耦合放大电路的频率特性如图7.26所示。 图7.26 单级阻容耦合放大电路的频率特性

两级阻容耦合放大电路的频率特性如图7. 27所示,它是将每一级放大电路的频率特性叠加而成。多级放大电路的频率特性可用类似的方法获得。 图7 两级阻容耦合放大电路的频率特性如图7.27所示,它是将每一级放大电路的频率特性叠加而成。多级放大电路的频率特性可用类似的方法获得。 图7.27 两级放大电路的频率特性

1. 场效应管偏置电路及静态分析 场效应管是电压控制器件,它只需要合适的偏压,而不要偏流 。 (1)自偏压电路 图7 1. 场效应管偏置电路及静态分析 场效应管是电压控制器件,它只需要合适的偏压,而不要偏流 。 (1)自偏压电路 图7.28是耗尽型NMOS管组成的共源极放大电路的自偏压电路。由于栅极不取电流,RG上没有压降,栅极电位UG=0,所以栅极偏压为: UGS = UG - US = - IDRS 7.2.4 场效应管放大电路

图7.28 自偏压电路

(2)分压偏置电路 自偏压电路只适用由耗尽型MOS管或结型场效管组成的放大电路。对增强型MOS管,其偏置电压必须通过分压器来产生,如图7

2. 场效应管微变等效电路 场效应管也是非线性器件,但当工作信号幅度足够小,且工作在恒流区时,场效应管也可用微变等效电路来代替,如图7 2.场效应管微变等效电路 场效应管也是非线性器件,但当工作信号幅度足够小,且工作在恒流区时,场效应管也可用微变等效电路来代替,如图7.30所示 。 图7.30 场效应管微变等效电路

3. 场效应管放大电路的微变等效电路分析 (1) 共源极放大电路 共源极放大电路微变等效电路如图7. 31所示。 图7 3.场效应管放大电路的微变等效电路分析 (1) 共源极放大电路 共源极放大电路微变等效电路如图7.31所示。 图7.31 共源极放大电路的微变等效电路

① 电压放大倍数 式中 RL/= RD∥RL 故 ② 输入电阻Ri和输出电阻Ro Ri = RG Ro= RD

[例7. 7] N沟道结型场效应管自偏压放大电路如图7 [例7.7] N沟道结型场效应管自偏压放大电路如图7.32所示 ,已知 UDD = 18V,RD =10 kΩ,RS=2 kΩ,RG=4MΩ,RL=10 kΩ,gm=1.16 ms。试求: ,Ri,Ro。 图7.32 [例7.7] 电路图

解: Ri = RG = 4MΩ Ro= RD =10kΩ

(2)共漏极放大电路 共漏极放大电路又称源极输出器,其电路和微变等效电路如图7. 33所示。 (a) 电路图 (b) 微变等效电路 图7

① 电压放大倍数 式中 RL/= RS∥RL。 可见,输出电压与输入电压同相,且由于gmRL/ >>1,故Au小于1,但接近1。 ② 输入电阻Ri和输出电阻Ro Ri = RG 求输出电阻的等效电路如图7.34所示。

        图7.34 求Ro等效电路

由图可知 由于栅极电流 ,故 所以 即

实用中,利用场效应管和半导体三极管各自的特性互相配合,取长补短,组成混合电路,将具有更好的效果。混合示意图如图7. 35所示。 图7 实用中,利用场效应管和半导体三极管各自的特性互相配合,取长补短,组成混合电路,将具有更好的效果。混合示意图如图7.35所示。 图7.35 场效应管和三极管混合电路 不同类型场效应管对偏置电压的极性的要求,如表7.3所示。

表7.3 场效应管偏置电压的极性 类型 uGS uDS N沟道JFET 负 正 P沟道JFET 增强型NMOS 增强型PMOS 表7.3 场效应管偏置电压的极性    类型  uGS  uDS   N沟道JFET  负  正  P沟道JFET   增强型NMOS  增强型PMOS   耗尽型NMOS 正 零 负   耗尽型PMOS