7.2其他放大电路 7.2.1共集电极放大电路 共集电极放大电路又称射极输出器,主要作用是交流电流放大,以提高整个放大电路的带负载能力。实用中,一般用作输出级或隔离级。
1.电路组成 共集电极放大电路的组成如图7.21(a)所示,图7.21(b)为其交流通路。各元件的作用与共发射极放大电路基本相同,只是RE除具有稳定静态工作点外,还作为放大电路空载时的负载。? (a) 电路图 (b) 交流通路 图7.21共集电极放大电路
2.静态分析 UCC=IBRB+UBE+(1+β)IBRE IB= IC =βIB UCE =UCC - IERE ≈ UCC - ICRE
3.动态分析 (1) 电压放大倍数 图7.21(c) 微变等效电路 由图7.21(c)可知
(2) 输入电阻Ri 故 Ri = RB∥Ri/ = RB∥[rbe+(1+β)RL/]
(3) 输出电阻Ro 求输出电阻的等效电路如图7.22所示。 图7.22 计算输出电阻的等效电路
由图7.22可得: 式中 = RS∥RB 故 通常RE>> ,所以
综上所述,共集电极放大电路的主要特点是:输入电阻高,传递信号源信号效率高;输出电阻低,带负载能力强;电压放大倍数小于1而接近于1,且输出电压与输入电压相位相同,具有跟随特性。因而在实用中,广泛用作输出级或中间隔离级。 需要说明的是:共集电极放大电路虽然没有电压放大作用,但仍有电流放大作用,因而有功率放大作用。
[例7. 5] 若图7. 21电路中各元件参数为:UCC = 12V,RB= 240 kΩ,RE= 3 [例7.5] 若图7.21电路中各元件参数为:UCC = 12V,RB= 240 kΩ,RE= 3.9 kΩ,RS = 600Ω,RL = 12 kΩ,β= 60,C1和C2容量足够大,试求:Au,Ri,Ro。 解: μA IE≈IC=βIB=60×25=1.5mA rbe= 300+(1+β) =300+(1+60) =1.4 kΩ = RE∥RL= ≈2 .9 kΩ
故: Ri = RB∥[rbe+(1+β) ] = 200∥[1.4+(1+60)×2.9] = 102 kΩ Ω
7.2.2 共基极放大电路 共基极放大电路主要作用是高频信号放大,频带宽,其电路组成如图7.23所示。 图7.23 共基极放大电路
表7.2 三种组态基本放大电路性能比较 电路形式 共发射极放大电路 共集电极放大电路 共基极放大电路 电流放大系数 较大,例如200 表7.2 三种组态基本放大电路性能比较 电路形式 共发射极放大电路 共集电极放大电路 共基极放大电路 电流放大系数 较大,例如200 <1 电压放大倍数 较大,例如100 功率放大倍数 很大,例如20000 较大,例如300 输入电阻 中等,例如5kΩ 较大,例如50kΩ 较小,例如50Ω 输出电阻 较大,例如10kΩ 较小,例如100Ω 较大,例如5kΩ 200 输出与输入电压相位 相反 相同
7.2.3 多级放大电路 在许多情况下,输入信号是很微弱的,要把微弱的信号放大到足以带动负载,必须经多级放大。在多级放大器中,每两个单级放大电路之间的连接方式称为间级耦合,实现耦合的电路称级间耦合电路。对级间耦合电路的基本要求是:不引起信号失真; 尽量减小信号电压在耦合电路上的损失。 目前,以阻容耦合(分立元件电路)和直接耦合(集成电路)应用最广泛。阻容耦合指用较大容量的电容连接两个单级放大电路的连接方式,其特点是各级静态工作点互不影响,电路调试方便,但信号有损失。直接耦合指用导线连接两个单级放大电路的连接方式,其特点是信号无损失,但各级静态工作点相互影响,电路调试麻烦。
一般多级放大器的组成方框图如图7.24所示。 图 7.24 多级放大电路组成框图
1.多级放大电路电压放大倍数的计算 多级放大电路总的电压放大倍数等于各级电路电压放大倍数的乘积。即 在计算单级放大电路电压放大倍数时,把后一级的输入电阻作为本级的负载即可。 2.多级放大电路的输入电阻和输出电阻 多级放大电路的输入电阻即为第一级放大电路的输入电阻;多级放大电路的输出电阻即为最后一级(第n级)放大电路的输出电阻。即 Ri = Ri1 Ro= Ron
[例7. 6] 两级阻容耦合放大电路如图7. 25所示,各元件参数为:UCC=12V,RB1=100kΩ,RB2=39kΩ,RC1=5 [例7.6] 两级阻容耦合放大电路如图7.25所示,各元件参数为:UCC=12V,RB1=100kΩ,RB2=39kΩ,RC1=5.6 kΩ,R E1=2.2kΩ, =82 kΩ, =47 kΩ,RC2=2.7 kΩ,RE2=2.7kΩ,RL=3.9kΩ,rbe1=1.4kΩ,rbe2=1.3kΩ,β1=β2 =50。 求:电压放大倍数,输入电阻,输出电阻。
图7.25(a) 两级阻容耦合放大电路
图7.25(b) 两级阻容耦合放大电路微变等效电路
解: RL1= // // rbe2 = 82 // 47 // 1. 3≈1. 3 kΩ = RC1 // RL1 = 5. 6 // 1 解: RL1= // // rbe2 = 82 // 47 // 1.3≈1.3 kΩ = RC1 // RL1 = 5.6 // 1.3≈1.06 kΩ 故 Ri = Ri1 = RB1 // RB2 // rbe1 = 100 // 39 // 1.4≈1.4 kΩ Ro = RC2 = 2.7 kΩ
4.多级放大电路的频率特性 频率特性有幅频特性和相频特性,幅频特性指放大电路的电压放大倍数与频率之间的关系。相频特性指输出电压相对于输入电压的相位移(相位差)与频率之间的关系。单级阻容耦合放大电路的频率特性如图7.26所示。 图7.26 单级阻容耦合放大电路的频率特性
两级阻容耦合放大电路的频率特性如图7. 27所示,它是将每一级放大电路的频率特性叠加而成。多级放大电路的频率特性可用类似的方法获得。 图7 两级阻容耦合放大电路的频率特性如图7.27所示,它是将每一级放大电路的频率特性叠加而成。多级放大电路的频率特性可用类似的方法获得。 图7.27 两级放大电路的频率特性
1. 场效应管偏置电路及静态分析 场效应管是电压控制器件,它只需要合适的偏压,而不要偏流 。 (1)自偏压电路 图7 1. 场效应管偏置电路及静态分析 场效应管是电压控制器件,它只需要合适的偏压,而不要偏流 。 (1)自偏压电路 图7.28是耗尽型NMOS管组成的共源极放大电路的自偏压电路。由于栅极不取电流,RG上没有压降,栅极电位UG=0,所以栅极偏压为: UGS = UG - US = - IDRS 7.2.4 场效应管放大电路
图7.28 自偏压电路
(2)分压偏置电路 自偏压电路只适用由耗尽型MOS管或结型场效管组成的放大电路。对增强型MOS管,其偏置电压必须通过分压器来产生,如图7
2. 场效应管微变等效电路 场效应管也是非线性器件,但当工作信号幅度足够小,且工作在恒流区时,场效应管也可用微变等效电路来代替,如图7 2.场效应管微变等效电路 场效应管也是非线性器件,但当工作信号幅度足够小,且工作在恒流区时,场效应管也可用微变等效电路来代替,如图7.30所示 。 图7.30 场效应管微变等效电路
3. 场效应管放大电路的微变等效电路分析 (1) 共源极放大电路 共源极放大电路微变等效电路如图7. 31所示。 图7 3.场效应管放大电路的微变等效电路分析 (1) 共源极放大电路 共源极放大电路微变等效电路如图7.31所示。 图7.31 共源极放大电路的微变等效电路
① 电压放大倍数 式中 RL/= RD∥RL 故 ② 输入电阻Ri和输出电阻Ro Ri = RG Ro= RD
[例7. 7] N沟道结型场效应管自偏压放大电路如图7 [例7.7] N沟道结型场效应管自偏压放大电路如图7.32所示 ,已知 UDD = 18V,RD =10 kΩ,RS=2 kΩ,RG=4MΩ,RL=10 kΩ,gm=1.16 ms。试求: ,Ri,Ro。 图7.32 [例7.7] 电路图
解: Ri = RG = 4MΩ Ro= RD =10kΩ
(2)共漏极放大电路 共漏极放大电路又称源极输出器,其电路和微变等效电路如图7. 33所示。 (a) 电路图 (b) 微变等效电路 图7
① 电压放大倍数 式中 RL/= RS∥RL。 可见,输出电压与输入电压同相,且由于gmRL/ >>1,故Au小于1,但接近1。 ② 输入电阻Ri和输出电阻Ro Ri = RG 求输出电阻的等效电路如图7.34所示。
图7.34 求Ro等效电路
由图可知 由于栅极电流 ,故 所以 即
实用中,利用场效应管和半导体三极管各自的特性互相配合,取长补短,组成混合电路,将具有更好的效果。混合示意图如图7. 35所示。 图7 实用中,利用场效应管和半导体三极管各自的特性互相配合,取长补短,组成混合电路,将具有更好的效果。混合示意图如图7.35所示。 图7.35 场效应管和三极管混合电路 不同类型场效应管对偏置电压的极性的要求,如表7.3所示。
表7.3 场效应管偏置电压的极性 类型 uGS uDS N沟道JFET 负 正 P沟道JFET 增强型NMOS 增强型PMOS 表7.3 场效应管偏置电压的极性 类型 uGS uDS N沟道JFET 负 正 P沟道JFET 增强型NMOS 增强型PMOS 耗尽型NMOS 正 零 负 耗尽型PMOS