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第三章 场效应管放大器 3.1 场效应管 3.2 场效应管放大电路 绝缘栅场效应管 结型场效应管 效应管放大器的静态偏置
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4 场效应管放大电路 4.1 结型场效应管 *4.2 砷化镓金属-半导体场效应管 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 4.1 结型场效应管 *4.2 砷化镓金属-半导体场效应管 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 4.4 场效应管放大电路 4.5 各种放大器件电路性能比较

4 场效应管放大电路 分类: N沟道 (耗尽型) JFET 结型 P沟道 FET 场效应管 N沟道 增强型 P沟道 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) N沟道 耗尽型 P沟道

4.1 结型场效应管 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数  结构  工作原理  输出特性 4.1 结型场效应管 4.1.1 JFET的结构和工作原理  结构  工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数  输出特性  转移特性  主要参数

4.1.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构

4.1.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 漏极,用D或d表示 栅极,用G或g表示 源极,用S或s表示 N型导电沟道 符号 P型区

2. 工作原理 ① VGS对沟道的控制作用 当VGS<0时 PN结反偏  耗尽层加厚  沟道变窄。 VGS继续减小,沟道继续变窄 (以N沟道JFET为例) ① VGS对沟道的控制作用 当VGS<0时 PN结反偏  耗尽层加厚  沟道变窄。 VGS继续减小,沟道继续变窄 当沟道夹断时,对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP ( 或VGS(off) )。 对于N沟道的JFET,VP <0。

2. 工作原理 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时, VDS  ID  (以N沟道JFET为例) ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时, VDS  ID  G、D间PN结的反向电压增加,使靠近漏极处的耗尽层加宽,沟道变窄,从上至下呈楔形分布。 当VDS增加到使VGD=VP 时,在紧靠漏极处出现预夹断。 此时VDS   夹断区延长  沟道电阻  ID基本不变

2. 工作原理 ③ VGS和VDS同时作用时 当VP <VGS<0 时, 导电沟道更容易夹断, (以N沟道JFET为例) ③ VGS和VDS同时作用时 当VP <VGS<0 时, 导电沟道更容易夹断, 对于同样的VDS , ID的值比VGS=0时的值要小。 在预夹断处 VGD=VGS-VDS =VP

综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电, 所以场效应管也称为单极型三极管。 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电, 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的,因 此iG0,输入电阻很高。 JFET是电压控制电流器件,iD受vGS控制 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系;预夹断后, iD趋于饱和。

4.1.2 JFET的特性曲线及参数 1. 输出特性 2. 转移特性 VP

3. 主要参数 ① 夹断电压VP (或VGS(off)): 漏极电流约为零时的VGS值 。 ② 饱和漏极电流IDSS: 3. 主要参数 ① 夹断电压VP (或VGS(off)): 漏极电流约为零时的VGS值 。 ② 饱和漏极电流IDSS: VGS=0时对应的漏极电流。 ③ 低频跨导gm: 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得,单位是mS(毫西门子)。 或 ④ 输出电阻rd:

3. 主要参数 ⑤ 直流输入电阻RGS: 对于结型场效应三极管,反偏时RGS约大于107Ω。 ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS 3. 主要参数 ⑤ 直流输入电阻RGS: 对于结型场效应三极管,反偏时RGS约大于107Ω。 ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS ⑧ 最大漏极功耗PDM {end}

4.4 场效应管放大电路 4.4.1 FET的直流偏置及静态分析  直流偏置电路  静态工作点 4.4 场效应管放大电路 4.4.1 FET的直流偏置及静态分析  直流偏置电路  静态工作点 4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法  FET小信号模型  动态指标分析  三种基本放大电路的性能比较

4.4.1 FET的直流偏置电路及静态分析 1. 直流偏置电路 vGS = - iDR (1)自偏压电路 (2)分压式自偏压电路 vGS

2. 静态工作点 Q点: VGS 、 ID 、 VDS 已知VP ,由 vGS = - iDR VDS = VDD 2. 静态工作点 Q点: VGS 、 ID 、 VDS 已知VP ,由 vGS = - iDR VDS = VDD - ID (Rd + R ) 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS

4.4.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. FET小信号模型 (1)低频模型

(2)高频模型

2. 动态指标分析 (1)中频小信号模型

2. 动态指标分析 (2)中频电压增益 忽略 rD 由输入输出回路得 则 (3)输入电阻 通常 则 (4)输出电阻

例题 例4.4.2 共漏极放大电路如图示。试求中频电压增益、输入电阻和输出电阻。 解: (1)中频小信号模型 (2)中频电压增益 由 得 例4.4.2 共漏极放大电路如图示。试求中频电压增益、输入电阻和输出电阻。 解: (1)中频小信号模型 (2)中频电压增益 由 得 (3)输入电阻

例题 (4)输出电阻 由图有 所以

3. 三种基本放大电路的性能比较 组态对应关系: BJT FET CE CS CC CD CB CG 电压增益: BJT FET CE:

3. 三种基本放大电路的性能比较 输入电阻: BJT FET CE: CS: CC: CD: CB: CG: 输出电阻: CE: CS:

例题 放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增益、输入电阻和输出电阻。 画中频小信号等效电路 解: 根据电路有 则电压增益为 则 由于 {end}