双层金属阳极氧化实验 岳仑仑
金属生长条件 阳极氧化过程 XRD测试 SEM测试 EDS 下一阶段试验
金属生长条件 Zn：RF 40W 0.5Pa 生长速率：32nm/min Al： DC 50W 0.2Pa 生长速率：26nm/min 样品 100 70 50 45 样品 C3 A4 C4 A3 Zn厚度 50nm 30nm 10nm 0nm Al厚度 100
阳极氧化过程 不同厚度的Al的阳极氧化过程 样品 C3 C10 C9 A1 Zn厚度 50nm Al厚度 100 70 50 45 电压突变电压/V 33.2 30 9.0 突变时间/min 29 17.5 11
不同厚度的Zn的阳极氧化过程 样品 C3 A4 C4 A3 Zn厚度 50nm 30nm 10nm 0nm Al厚度 100 电压突变电压/V 33.2 40 77.8 70 突变时间/min 29 32 36.5 54.0
XRD测试
SEM测试 C9 C10
C11 C12
EDS 元素 重量 原子 百分比 Al /K 91.27 96.20 Zn /K 8.73 3.80
从EDS 的结果上分析：含有的Zn含量非常的少，这可能因为Zn在阳极氧化中被溶解。 从截面上来看，效果并不理想，但厚度上来分析，这个会有两种情况1、生成的氧化铝并不致密，造成厚度较厚 2、有部分的ZnO掺入其中造成较厚，但后者与EDS分析结果不服。
从阳极氧化的数据上来分析：我们可以确定，Zn的存在一定对Al的阳极氧化产生了较大的影响，但具体的机制并不清晰。 在氧化铝介质钝化层界面很有可能产生AZO层，但是底层还是有可能产生ZnO层，这样形成的ZnO和非统一的AZO层，这对于器件特性会有影响。
下一阶段试验 制作良好的截面，观测截面分层情况。 将会制作简单的TFT器件，观测是否有一定的性能。 研究Zn的存在对于Al阳极氧化的影响机制 通过一定温度的退火使得ZnO（如果含有ZnO层）结晶，暂定温度为250℃，此时氧化铝并不会结晶，但是ZnO很有可能结晶，通过此方法可能方便观测SEM界面。
Al 氧化层 二氧化硅 Al Grass
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