2、表面安装电容 表面组装电容器目前使用较多的主要有两种：陶瓷系列(瓷介)的电容器和钽电解电容器，其中瓷介电容器约占80%，其次是钽和铝电解电容器。有机薄膜和云母电容器使用较少。 表面安装电容的外形同电阻一样，也有矩形片状和圆柱形两大类。
（1）表面安装片状电容的标注 例如：K2为2.4×100pF、 AP3为13.6×1000pF 字母 A B C D E F G H I K L M N 有效数字 1 1.1 1.3 1.5 1.6 1.8 2 2.2 2.4 2.7 3 3.3 字母 P Q R S T U V W X Y Z 有效数字 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 字母 a b c e f m n t y 有效数字 2.5 3.5 4 4.5 5 6 7 8 9 例如：K2为2.4×100pF、 AP3为13.6×1000pF
用P表示小数点，如4P7表示4.7pF。
（2）常见片状电容 ①片状多层陶瓷电容器 多层陶瓷电容器多以陶瓷材料为电容介质，多层陶瓷电容器是在单层盘状电容器的基础上构成的，电极深入电容器内部，并与陶瓷介质相互交错。多层陶瓷电容器简称MLC。MLC通常是无引脚矩形结构，外层电极与片式电阻相同，也是3层结构，即Ag-Ni/Cd-Sn/Pb, MLC外形和结构如图所示。
②片状铝电解电容器 铝电解电容器的容量和额定工作电压的范围比较大，因此做成贴片形式比较困难，一般是异形，如图所示。图a是铝电解电容器的形状和结构，图b是它的标注和极性表示方式。
③片状钽电解电容 钽电解电容以金属钽作为电容介质，可靠性很高，单位体积容量大，在容量超过0.33μF时，大都采用钽电解电容器。电容量范围是0.1～100 μF，直流工作电压范围为4～25 V。
钽电解电容器的结构和类型 a)内部结构 b)裸片型 c)模塑封装型 d)端帽型
3、表面安装电感器 由于电感器受线圈制约，片式化比较困难，故其片式化晚于电阻器和电容器，其片式化率也低。尽管如此，电感器的片式化仍取得了很大的进展。不仅种类繁多，而且相当多的产品已经系列化、标准化，并已批量生产。
（1）片状电感器的标注方法 分别用N和R表示小数点。 例如：4N7表示4.7nH， 4R7表示4.7μH，10N表示10nH 。但是，10μH用100表示。 大功率片状电感器用680K表示68 μH、 220K表示22 μH 。
（2）常见片状电感器 ①绕线片状电感器
②多层片状电感器 多层型片式电感器(MLCI)，它的结构和多层型陶瓷电容器相似,制造时由铁氧体浆料和导电浆料交替印刷叠层后，经高温烧结形成具有闭合磁路的整体。导电浆料经烧结后形成的螺旋式导电带，相当于传统电感器的线圈，被导电带包围的铁氧体相当于磁心，导电带外围的铁氧体使磁路闭合。
③高频片状电感器 高频片状电感器是在陶瓷基片上采用精密薄膜多层工艺技术制成，具有精度高、寄生电容小、固有频率高等特点。
4、表面安装半导体器件 表面安装半导体器件有片状二极管、片状三极管、片状场效应管、片状集成电路和片状敏感半导体器件。 也有由2、3只晶体管、二极管组成的简单复合电路。
（1）片状二极管 片状二极管，一般采用2端或3端SMD封装。
（2）片状三极管 晶体管类器件，一般采用3端或4端封装，4～6端SMD器件内大多封装了2只晶体管或场效应管。
SOT-23晶体管
（3）片状集成电路 片状集成电路包括各种数字电路和模拟电路的SSI～ULSI集成器件。
·常用封装（1） SOP（Small Outline Package）小外形封装 QFP（Quad Flat Package ）方形扁平封装 PLCC （Plastic Leaded Chip Carrier）塑封引线芯片载体 SOP QFP PLCC
常用封装（2） COB（Chip On Board）板载芯片 bonding BGA（ball grid array）球栅阵列
IC内部结构