第二章 低介装置陶瓷 §2-1 低介装置瓷的基本知识 §2-2 典型低介装置瓷 §2-3 低温共烧陶瓷.

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1 第二章 低介装置陶瓷 §2-1 低介装置瓷的基本知识 §2-2 典型低介装置瓷 §2-3 低温共烧陶瓷

2 § 2-1 低介装置瓷的基本知识 §2-1-1 低介装置瓷的概念
第6章 Internet应用基础 § 低介装置瓷的基本知识 §2-1-1 低介装置瓷的概念 用于电子技术、微电子技术和光电子技术中起绝缘、支撑、保护作用的陶瓷装置零件、陶瓷基片以及多层陶瓷封装等的瓷料。 例如：高频绝缘子骨架、电子管底座、电阻器基片、厚薄膜混合集成电路基片、微波集成电路基片等。

3 第6章 Internet应用基础 § 低介装置瓷的基本知识 陶瓷基片 电子用陶瓷零件 陶瓷封装

4 § 2-1 低介装置瓷的基本知识 § 2-1-2 低介装置瓷的性能 1. 电性能：a、介电系数低，≤10
第6章 Internet应用基础 § 低介装置瓷的基本知识 § 低介装置瓷的性能 1. 电性能：a、介电系数低，≤10 　 b、介电损耗小，tg为2×10-4～9×10-3 c、抗电强度高，≥10kv/mm d、绝缘电阻高，＞1012Ω·㎝(20℃) 2. 机械性能：a、抗弯强度（45～300）MPa b、抗拉强度（400～2000）MPa 3. 热性能：a、线热膨胀系数小 b、热导率高 c、耐热冲击、热稳定性好

5 § 2-2 典型低介装置瓷 § 2-2-1 滑石瓷 § 2-2-2 氧化铝瓷 § 2-2-3 高热导率陶瓷基片 § 2-2-4 透明陶瓷
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 § 滑石瓷 § 氧化铝瓷 § 高热导率陶瓷基片 § 透明陶瓷

6 § 2-2 典型低介装置瓷 § 2-2-1 滑石瓷 1、滑石的结构 滑石瓷分子式：3MgO·4SiO2·H2O
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 § 滑石瓷 共价键\离子键 复合层 1、滑石的结构 滑石瓷分子式：3MgO·4SiO2·H2O 滑石矿为层状结构的镁硅酸盐，属单斜晶系，[SiO4]四面体联结成连续的六方平面网，活性氧离子朝向一边，每两个六方网状层的活性氧离子彼此相对，通过一层水镁氧层联结成复合层。 分子键

7 § 2-2 典型低介装置瓷 2、滑石的相变 120~200℃，脱去吸附水 1000℃，脱去结构水，转变为偏硅酸镁
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 2、滑石的相变 120~200℃，脱去吸附水 1000℃，脱去结构水，转变为偏硅酸镁 1557℃，再次失去Si，生成镁橄榄石

8 原顽辉石是滑石瓷的主晶相，有少量斜顽辉石
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 偏硅酸镁 呈单链状辉石结构，它有三种晶型： 顽辉石 原顽辉石 斜顽辉石 原顽辉石是滑石瓷的主晶相，有少量斜顽辉石

9 § 2-2 典型低介装置瓷 3、滑石瓷存在的问题及解决方案 (1) 老化 (2) 开裂 (3) 烧结温区过窄
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 3、滑石瓷存在的问题及解决方案 (1) 老化 (2) 开裂 (3) 烧结温区过窄

10 § 2-2 典型低介装置瓷 (1) 老化（粉化）: 老化原因： 防老化措施： a. 用粘度大的玻璃相包裹晶粒，防止相变 b. 抑制晶粒生长
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 (1) 老化（粉化）: 老化原因： 防老化措施： a. 用粘度大的玻璃相包裹晶粒，防止相变 b. 抑制晶粒生长 c. 去除游离石英

11 § 2-2 典型低介装置瓷 (2) 开裂 开裂原因： 防开裂措施： a. 1300~1350℃高温预烧 b. 热压铸成型
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 (2) 开裂 开裂原因： 防开裂措施： a. 1300~1350℃高温预烧 b. 热压铸成型

12 第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 (3) 烧结温区过窄 MgO-Al2O3-SiO2系统的最低共熔点为1335℃，其组成为MgO(20%)、Al2O3(18.3%)、SiO2(61.4%)，与滑石瓷的组成非常接近，故滑石瓷在1350℃左右开始出现液相，并随温度的升高，液相数量急剧增加，使胚体软化、变形、甚至报废。 由于粉料经高温预烧后活性下降，烧结温度过低会出现生烧。因此滑石瓷的烧结温区一般为10~20℃。

13 第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 扩大烧结温区的措施： 扩展下限：a)、提高粉料的活性：粉料细化，降低预烧温度或采用一次配料成瓷； b)、加入助熔剂BaCO3：在800℃~950℃出现Ba-Al-Si玻璃，包裹偏硅酸镁晶粒促进烧结； 扩展上限：a)、提高玻璃相黏度：b)、加入阻制剂ZrO2、ZnO，使Mg-Al-Si液相黏度大，胚体不易变形。

14 § 2-2 典型低介装置瓷 4、滑石瓷的用途 滑石瓷便宜，但热稳定性差，主要用于制造 绝缘子 线圈骨架 波段开关 管座 电阻基体
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 4、滑石瓷的用途 滑石瓷便宜，但热稳定性差，主要用于制造 绝缘子 线圈骨架 波段开关 管座 电阻基体

15 § 2-2 典型低介装置瓷 5、其他滑石类瓷简介 (1) 镁橄榄石瓷（MgO·SiO2）
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 5、其他滑石类瓷简介 (1) 镁橄榄石瓷（MgO·SiO2） (2) 堇青石瓷（ 2MgO·2Al2O3·5SiO2 ）

16 § 2-2 典型低介装置瓷 (1) 镁橄榄石 由P29表2-3可知： a、镁橄榄石瓷在高温、高频下介电性能优于滑石瓷；
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 (1) 镁橄榄石 由P29表2-3可知： a、镁橄榄石瓷在高温、高频下介电性能优于滑石瓷； b、高温下，绝缘电阻高； c、热膨胀系数与Ti-Ag-Cu 或Ti-Ni合金相匹配，有利于真空封接； d、可作金属膜电阻，碳膜电阻和绕线电阻的基体以及IC基片； e、线膨胀系数大，抗热冲击性能差；

17 § 2-2 典型低介装置瓷 (2) 堇青石瓷 a、线膨胀系数小，室温到800℃：0.9~1.4×10-6/℃，陶瓷材料中最小。
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 (2) 堇青石瓷 a、线膨胀系数小，室温到800℃：0.9~1.4×10-6/℃，陶瓷材料中最小。 b、烧成温度范围很窄（几度）。 c、材料中离子排列不够紧密，晶格内存在大的空隙，很难烧结。 d、机电性能差。 改进措施: i. 超细粉料＜1µm；ii. 加入矿化剂（长石、LiF、B2O3、BaCO3等）；iii.  制成多孔陶瓷；iiii. 制成低热膨胀、高机械强度的陶瓷材料（掺加刚玉）。

18 § 2-2 典型低介装置瓷 § 2-2-2 氧化铝瓷 1、氧化铝瓷的分类、性能与用途 2、氧化铝瓷原料的制备
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 § 氧化铝瓷 1、氧化铝瓷的分类、性能与用途 2、氧化铝瓷原料的制备 3、降低烧结温度、改进工艺性能的措施

19 § 2-2 典型低介装置瓷 1、氧化铝瓷的分类、性能与用途 以Al2O3为主要原料，α-Al2O3为主晶相的陶瓷称为氧化铝瓷。
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 1、氧化铝瓷的分类、性能与用途 以Al2O3为主要原料，α-Al2O3为主晶相的陶瓷称为氧化铝瓷。 根据氧化铝瓷的含量，将氧化铝瓷分为莫来石瓷、刚玉-莫来石瓷、刚玉瓷，含Al2O375%以上的称为高铝瓷（P30表2-4）。 根据氧化铝瓷的颜色和透光性能，可分为白色Al2O3瓷、黑色Al2O3瓷、透明Al2O3瓷。

20 § 2-2 典型低介装置瓷 P30 表2-4 氧化铝陶瓷按Al2O3含量分类 瓷料类别 Al2O3含量 ％ 相组成 结晶相 玻璃相 莫来石瓷
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 P30 表2-4 氧化铝陶瓷按Al2O3含量分类 瓷料类别 Al2O3含量 ％ 相组成 结晶相 玻璃相 莫来石瓷 45~70 85~90%莫来石 10~15% 刚玉－莫来石瓷 70~90 80~90%莫来石和刚玉 10~20% 刚玉瓷 90~99.5 80~100%刚玉 10~20%或以下

21 § 2-2 典型低介装置瓷 氧化铝瓷的性能：P31表2-5
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 氧化铝瓷的性能：P31表2-5 可见，随Al2O3含量的增加，Al2O3的机电性能和热性能愈来愈好，表现在：ρ↑，硬度↑，tgδ↓，热导率↑ ； 但是，随着Al2O3含量的增加，氧化铝瓷的工艺性能却愈来愈差，表现在：可塑性↓，烧结温度↑，机加工难度↑，对原材料的要求↑

22 § 2-2 典型低介装置瓷 氧化铝瓷的用途： a、用于一般滑石瓷场所 b、高温、高压、高频、大功率特殊情况下 c、特殊环境，如：
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 氧化铝瓷的用途： a、用于一般滑石瓷场所 b、高温、高压、高频、大功率特殊情况下 c、特殊环境，如： 集成电路外壳（黑色Al2O3） 钠灯（透明Al2O3） 宇宙飞船的视窗（透明Al2O3）

23 第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 2、氧化铝瓷原料的制备 (1) 天然矿物 (2) 化学法 (3) 冷冻干燥法

24 第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 (1) 天然矿物 由铝矾土矿（Al2O3·3H2O）经化学方法处理得到，是炼铝工业生产的中间产物，纯度不高，20~80μm 氧化铝的三种晶型：高温α型、低温γ型和中温的β型，由表2-6可知，只有α-Al2O3具有优良的电器性能，结构紧密、硬度大、损耗小、绝缘好，β- Al2O3的性能最差。故对工业Al2O3在配料前必须经高温煅烧（预烧），使γ-Al2O3→α-Al2O3

25 § 2-2 典型低介装置瓷 预烧的作用: 促使晶型转变 减少胚体的烧结收缩率，保证产品尺寸的准确性
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 预烧的作用: 促使晶型转变 减少胚体的烧结收缩率，保证产品尺寸的准确性 可使碱金属离子减少或去除，起纯化的作用，破坏Al2O3颗粒聚集状态，以获得细颗粒的原料。

26 § 2-2 典型低介装置瓷 (2) 化学法 铝的草酸盐热分解 醇盐水解 sol-gel法
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 (2) 化学法 铝的草酸盐热分解 醇盐水解 sol-gel法 可获得高纯、高均匀度的超细粉料,平均粒径10~30nm，比表面积550±10%m2/g，纯度高达99%以上。

27 第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 (3) 冷冻干燥法 将含Al3+溶液雾化成微小液滴，快速冻结为固体，加热使液滴中的水升华气化，干燥形成无水盐，焙烧后得到球型颗粒。 特点： 疏松而脆，容易粉碎成均匀，超细原料 成分均匀 适于批量化生产，设备简单，成本低

28 § 2-2 典型低介装置瓷 3、降低烧结温度、改进工艺性能的措施 加入变价金属氧化物MnO2、TiO2 加入助熔剂，固液烧结
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 3、降低烧结温度、改进工艺性能的措施 加入变价金属氧化物MnO2、TiO2 加入助熔剂，固液烧结 利用超细粉体，提高粉体烧结活性 采用还原气氛烧结或热压烧结

29 § 2-2 典型低介装置瓷 § 2-2-3 高热导率陶瓷基片 1、基片应具有的机电性能 2、电介质导热机制 3、高热导率晶体的结构特征
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 § 高热导率陶瓷基片 1、基片应具有的机电性能 2、电介质导热机制 3、高热导率晶体的结构特征 4、高导热陶瓷材料特征比较 5、多芯片组装-多层基片

30 § 2-2 典型低介装置瓷 1、基片应具有的机电性能 ①高热导率，低膨胀系数，高绝缘电阻和抗电强度，低介电常数和低的介质损耗。
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 1、基片应具有的机电性能 ①高热导率，低膨胀系数，高绝缘电阻和抗电强度，低介电常数和低的介质损耗。 ②机械性能优良，易机械加工 ③表面平滑度好，气孔率小，微晶化 ④规模生产具可行性，适应金属化、成本低

31 第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 2、电介质导热机制 金属导热的主要机制是通过大量质量很轻的自由电子的运动来迅速实现热量的交换，因而具有较大的热导率，但不适合制作IC基片（导电性）。

32 第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 陶瓷是绝缘体，没有自由电子，其热传导机理是由晶格振动的格波来实现的，根据量子理论，晶格波或热波可以作为声子的运动来描述，即热波既具有波动性，又具有粒子性。通过声子间的相互碰撞，高密度区的声子向低密度区扩散，声子的扩散同时伴随着热的传递。 T1 高温端 T2 低温端 声子热传导（类似于气体）

33 § 2-2 典型低介装置瓷 陶瓷的热传导公式： K-热导率，C-声子的热容，V-声子的速度，l-声子的平均自由程，v-声子的振动频率。
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 陶瓷的热传导公式： K-热导率，C-声子的热容，V-声子的速度，l-声子的平均自由程，v-声子的振动频率。 声子的散射机制：声子的平均自由程除受到格波间的耦合作用外（声子间的散射），还受到材料中的各种缺陷、杂质以及样品边界（表面、晶界）的影响。

34 § 2-2 典型低介装置瓷 3、高导热晶体的结构特征 共价键很强的晶体； 结构单元种类较少，原子量或平均原子量均较低； 不是层状结构；
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 3、高导热晶体的结构特征 共价键很强的晶体； 结构单元种类较少，原子量或平均原子量均较低； 不是层状结构；

35 § 2-2 典型低介装置瓷 高热导率晶体都是由原子量较低的元素构成的共价键或共价键很强的单质晶体或二元化合物。
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 高热导率晶体都是由原子量较低的元素构成的共价键或共价键很强的单质晶体或二元化合物。 此类非金属晶体有：金刚石（昂贵）、石墨（电子电导）、 立方BN（昂贵）、SiC（难烧结，需热压）、 BP（对杂质敏感）、 BeO、AlN。

36 第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 4、高导热陶瓷材料特征比较

37 § 2-2 典型低介装置瓷 (1) 氧化铍瓷 关键：降低烧结温度 添加剂：MgO、Al2O3 问题：加入添加剂会使热导率降低
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 Be-O共价键较强 平均原子量仅12 (1) 氧化铍瓷 性能 指标 密度/(g/cm3) 2.9 热导率/(W/m•℃) 310 热膨胀系数/(10-6 /℃) 7.2 抗弯强度/(MN/m2) 195 介电常数 6.5~7.5 介电损耗 0.005 绝缘电阻率/Ω•m 1012 关键：降低烧结温度 添加剂：MgO、Al2O3 问题：加入添加剂会使热导率降低

38 § 2-2 典型低介装置瓷 (2) 氮化铝瓷 Al-N共价键强 平均原子量20.49 性能 指标 热导率/(W/m•℃) 可达280
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 Al-N共价键强 平均原子量20.49 (2) 氮化铝瓷 性能 指标 热导率/(W/m•℃) 可达280 热膨胀系数/(10-6 /℃) 3.5 抗弯强度/(MPa) 500 介电常数(1MHz) 8.8 介电损耗 5×10-4 绝缘电阻率/Ω•m 5×1011 热导率高 热膨胀系数与Si接近 3～3.8

39 § 2-2 典型低介装置瓷 5、多芯片组件技术-多层基片
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 5、多芯片组件技术-多层基片 MCM（Multi Chip Module）—将多个半导体集成电路元件以裸芯片的状态搭载在不同类型的布线板上，经整体封装而构成的多芯片组件。 MCM的核心是多层基板技术。 应用：武器系统、航天电子、高频雷达、超级计算机（CPU封装）、通讯、传真、数据处理、高清晰度电视、摄像机、汽车电子等。

40 第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 要求：多层布线层间隔介质的ε小（减少信号传输延迟时间，实现信号高速处理），高热导率（层数↑（<100），散热问题），AlN更有优势（如50层时，AlN内部热阻2℃·㎝2/w；Al2O3内部热阻5℃·㎝2/w）。 目前趋势：用金刚石基板或在AlN基板上淀积金刚石薄膜的复合基板→解决MCM结构的散热问题。

41 § 2-2 典型低介装置瓷 § 2-2-4 透明陶瓷 1、透明陶瓷性能要求 2、光散射因子 3、陶瓷透明化的措施 4、典型透明陶瓷
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 § 透明陶瓷 1、透明陶瓷性能要求 2、光散射因子 3、陶瓷透明化的措施 4、典型透明陶瓷

42 第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 1、透明陶瓷性能要求 优良的介电性能 高透光率 高度均匀

43 § 2-2 典型低介装置瓷 2、光散射因子 杂质和添加物析出相 烧结过程中的剩余气孔 陶瓷的晶界引起的反射
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 2、光散射因子 杂质和添加物析出相 烧结过程中的剩余气孔 陶瓷的晶界引起的反射 散射中心：气孔、夹杂物、晶界相等结构或成分不均匀的微小区域

44 § 2-2 典型低介装置瓷 3、陶瓷透明化的措施： 采用活性高、细，烧结性好的高纯粉料，常用化学共沉法制备。
第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 3、陶瓷透明化的措施： 采用活性高、细，烧结性好的高纯粉料，常用化学共沉法制备。 适当的添加物：晶界偏析，抑制晶界迁移，排除气孔；液相烧结，促进陶瓷致密化。 烧结（温度、时间、气氛）：气孔的消除 。 减小光学各向异性：将居里温度降至室温。

45 第6章 Internet应用基础 § 典型低介装置瓷 4、典型透明陶瓷 透明氧化铝瓷 透明尖晶石瓷 透明氧化钇瓷 透明氧化镁瓷

46 § 2-3 低温共烧陶瓷 § 2-3-1 传统陶瓷基片的缺陷 § 2-3-2 LTCC的优点 § 2-3-3 LTCC的研究现状
第6章 Internet应用基础 § 低温共烧陶瓷 § 传统陶瓷基片的缺陷 § LTCC的优点 § LTCC的研究现状 § LTCC材料体系 § LTCC的用途

47 § 2-3 低温共烧陶瓷 § 2-3-1 传统陶瓷基片的缺陷 氧化铝瓷烧结温度高，只能选择难熔金属Mo、W等作为电极，易导致下列问题：
第6章 Internet应用基础 § 低温共烧陶瓷 § 传统陶瓷基片的缺陷 氧化铝瓷烧结温度高，只能选择难熔金属Mo、W等作为电极，易导致下列问题： ① 需在还原气氛中烧结 ② Mo、W电阻率较高，布线电阻大，信号传输易造成失真，增大损耗，布线微细化受到限制 ③介电常数偏大（约9.6），增大信号延迟 ④热膨胀系数（7.0×10-6/℃）与硅（3.5×10-6/℃）不匹配

48 第6章 Internet应用基础 § 低温共烧陶瓷 § LTCC的优点 多层陶瓷基片必须与导体材料同时烧结，采用低温烧成多层陶瓷基板，则不仅可以与Au、Ag、Cu等低电阻率金属同时烧结，且有利于将电阻、电容、电感等无源元件同时制作在基板内部，使产品小型、轻量化—称为第五代基板。

49 § 2-3 低温共烧陶瓷 LTCC技术是一种先进的混合电路封装技术
第6章 Internet应用基础 § 低温共烧陶瓷 LTCC技术是一种先进的混合电路封装技术 它是将四大无源器件，即变压器（T）、电容器（C）、电感器（L）、电阻器（R）集成，配置于多层布线基板中，与有源器件（如：功率MOS、晶体管、IC电路模块等）共同集成为一完整的电路系统。 有效地提高电路的封装密度及系统的可靠性

50 § 2-3 低温共烧陶瓷 LTCC的特性： 高电阻率：ρ>1012Ω·m，保证信号线间的绝缘性 低介电常数，减少信号延迟
第6章 Internet应用基础 § 低温共烧陶瓷 LTCC的特性： 高电阻率：ρ>1012Ω·m，保证信号线间的绝缘性 低介电常数，减少信号延迟 低介电损耗，减小在交变电场中的损耗 烧结温度850~1000℃，可使用阻值低的导体材料（Pd-Ag、Au、Cu），减小布线电阻 基片的热膨胀系数接近硅的热膨胀系数，减少热应力 高的热导率，防止多层基板过热 足够高的机械强度 化学性能稳定

51 § 2-3 低温共烧陶瓷基片 § 2-3-3 LTCC的研究现状
第6章 Internet应用基础 § 低温共烧陶瓷基片 § LTCC的研究现状 目前已实现多达50层、16英寸，应用频率为50MHz～5GHz的LTCC集成电路 日本富士通已研制出61层，245mm的共烧结构 美国IBM公司研制出了66层LTCC基板的多芯片组件

52 § 2-3 低温共烧陶瓷 § 2-3-4 LTCC材料体系 1、LTCC的实现方法（降低烧结温度） 掺杂适量的烧结助剂，进行液相活性烧结
第6章 Internet应用基础 § 低温共烧陶瓷 § LTCC材料体系 1、LTCC的实现方法（降低烧结温度） 掺杂适量的烧结助剂，进行液相活性烧结 采用化学法制取表面活性高的粉体 采用颗粒粒度细、主晶相合成温度低的材料 采用微晶玻璃或非晶玻璃

53 § 2-3 低温共烧陶瓷 2、LTCC材料体系 结晶玻璃系 玻璃陶瓷复合系 四类 氧化铝中添加物系 单相陶瓷系
第6章 Internet应用基础 § 低温共烧陶瓷 2、LTCC材料体系 单相陶瓷系 玻璃陶瓷复合系 结晶玻璃系 四类 氧化铝中添加物系

54 § 2-3 低温共烧陶瓷 第6章 Internet应用基础 已实用化的一些基板材料的性能 基板材料 烧成温度/℃ 介电常数1MHz
§ 低温共烧陶瓷 已实用化的一些基板材料的性能 基板材料 烧成温度/℃ 介电常数1MHz 介电损耗/10-2 电阻率/Ω•cm 热膨胀系数/10-6/℃ 抗弯强度102MPa 热导率/W/mk 共烧导体材料 Al2O3+硼硅酸玻璃 900~ 1050 4.8~5.7 0.2 >1016 4~5 1.5~2.5 1.8~4 Cu Al2O3+玻璃+镁橄榄石 900 6.5 0.15 >1014 6.0 2.0 2.9 Cu/Ag /Cu 硼硅酸玻璃+石英玻璃+堇青石 4.4 3.2 1.6 / SiO2+硼硅酸玻璃 850~ 4.25~5 3~7.9 1.5 ~2.4 Au/Cu 晶化玻璃（堇青石） 950 5.6 0.13 (10GHz) 5×1013 2.5~3.0 1.7 2.5 晶化玻璃（硅灰石） 850 5.7~6.1 > 8 Ag/Cu Al2O3+硼硅酸玻璃+ZrSiO4 830 5.5 >1013 PdAg

55 第6章 Internet应用基础 § 低温共烧陶瓷 § LTCC的用途 LTCC适用于高密度电子封装用的三维立体布线多层基板。特别适合于射频、微波、毫米波器件等。目前，随着电子设备向轻、薄、短、小方向的发展，设备工作频率的提高(例如从目前手机的400～800MHz提高到3GHz，甚至30～40GHz)，以及军用设备向民用设备的转化，LTCC多层基板将以其极大的优势成为无线通讯、军事及民用等领域重要发展方向之一。

56 § 2-3 低温共烧陶瓷 超级计算机用多层基板。用以满足元器件小型化、信号超高速化的要求。
第6章 Internet应用基础 § 低温共烧陶瓷 超级计算机用多层基板。用以满足元器件小型化、信号超高速化的要求。 下一代汽车用多层基板(ECU部件)。利用其高密度、多层化、混合电路化等特点，以及其良好的耐热性，作为下一代汽车电子控制系统部件，受到广泛关注。 高频部件(电压控制振荡器VCO,温度控制水晶振荡器TCXO等)。对于进入GHz频带的超高频通信，LTCC多层基板将在手机、GPS定位系统等许多高频部件广泛应用。