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第十三章 新興製造技術 13-1 半導體製程簡介 13-2 微細製造簡介 13-3 其他製造技術 總目次.

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1 第十三章 新興製造技術 13-1 半導體製程簡介 13-2 微細製造簡介 13-3 其他製造技術 總目次

2 13-1 半導體製程簡介 一、概述 (1)導體 (2)半導體 (3)絕緣體 1.半導體、電路與積體電路 材料以導電能力,可以分為 回目次
13-1 半導體製程簡介 一、概述 1.半導體、電路與積體電路 材料以導電能力,可以分為 (1)導體 (2)半導體 (3)絕緣體 課本P.268 回目次

3 13-1 半導體製程簡介 一、概述 矽為現今主要的半導體材料! (1)半導體: 導電能力介於導體和絕緣體之間的材料,就稱之為半導體。
13-1 半導體製程簡介 一、概述 (1)半導體: 導電能力介於導體和絕緣體之間的材料,就稱之為半導體。 半導體材料主要有鍺、矽及砷化鎵。 矽的優點: a.原料便宜 b.耐高溫 c.表面易形成絕緣的二氧化矽 矽為現今主要的半導體材料! 課本P.268 回目次

4 13-1 半導體製程簡介 一、概述 (1)半導體: 半導體產品,如圖所示。 課本P.268 回目次

5 13-1 半導體製程簡介 一、概述 1.半導體、電路與積體電路 (1)半導體:
13-1 半導體製程簡介 一、概述 1.半導體、電路與積體電路 (1)半導體: 砷化鎵適用於製作雷射二極體及發光二極體 ( Light emitting diode,LED ) 的材料。 常用的摻雜劑有帶正電的硼及帶負電的磷或砷。 加入硼則稱為p型半導體,加入磷或砷則稱為n型半導體。 課本P.268 回目次

6 13-1 半導體製程簡介 一、概述 1.半導體、電路與積體電路 積體電路,如圖13-2所示。 課本P.269 回目次

7 13-1 半導體製程簡介 一、概述 2.無塵室 (1)半導體及IC的製作需要在無塵室中進行。
13-1 半導體製程簡介 一、概述 2.無塵室 (1)半導體及IC的製作需要在無塵室中進行。 (2)製程中最大的汙染源是工作人員,因此必須穿著   全身包覆的無塵衣。 (3)無塵室的空氣必須以高效能空氣微粒濾網 ( HEPA )  過濾,溫度控制在23℃、相對溼度在45%最為適 宜。 (4)奈米(nm)是長度單位,為10-9公尺(m),即 1nm= m。 課本P.269 回目次

8 13-1 半導體製程簡介 一、概述 2.無塵室 以IC的製程技術而言,其單一線路寬度可細小至20nm以下,如圖13-3為IC製程尺度。
13-1 半導體製程簡介 一、概述 2.無塵室 以IC的製程技術而言,其單一線路寬度可細小至20nm以下,如圖13-3為IC製程尺度。 課本P.269 回目次

9 13-1 半導體製程簡介 一、概述 3.摩爾定律(Moore's law)
13-1 半導體製程簡介 一、概述 3.摩爾定律(Moore's law) (1)「IC 中可容納的電晶體數每隔18 個月就能增加1倍,從而使性能也提升1 倍」 (2)預測未來製程微小至7nm後,此定律將不再適用。 課本P.270 回目次

10 13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 矽在地球上的含量占25%,僅次於氧。
13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 矽在地球上的含量占25%,僅次於氧。 將矽砂經過一連串的精煉過程後,可以製作成     半導體材料及IC,流程如圖13-4所示。 課本P.270~271 回目次

11 13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 1.晶棒與晶圓
13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 1.晶棒與晶圓 (1)現況概述: 由矽砂提煉成矽晶棒的最後一關,使用柴氏或稱CZ製程(Czochralski process),操作方法如圖13-5所示。 課本P.272 回目次

12 13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 1.晶棒與晶圓 (2)矽晶棒的製作: 如圖13-5(續)為晶圓切片與化學機械研磨。
13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 1.晶棒與晶圓 (2)矽晶棒的製作: 如圖13-5(續)為晶圓切片與化學機械研磨。 課本P.272 回目次

13 13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 1.晶棒與晶圓 (3)晶圓的製作:圖13-6為不同直徑的晶圓片。
13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 1.晶棒與晶圓 (3)晶圓的製作:圖13-6為不同直徑的晶圓片。 圖13-6 晶圓片直徑朝大尺度展(3~12吋) 課本P.273 回目次

14 13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 1.晶棒與晶圓 (4)發展狀況:
13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 1.晶棒與晶圓 (4)發展狀況: 單顆IC的面積通常只有數mm2很少有大於1cm2     的尺度。 一片直徑12吋的晶圓面積,可以同時製作出數百  個或數千顆IC。 最後再以鑽石砂輪或雷射分割成單顆IC進行封裝。 課本P.273 回目次

15 13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 2. IC中的線路及元件製作
13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 2. IC中的線路及元件製作 IC依功能及使用目的,進行線路及半導體元件的  設計並製作於晶圓表層。 過程:薄膜製作→微影製程→蝕刻→離子植入。 重複上述過程,進行不同位置的線路及元件製作。 課本P.273 回目次

16 13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 2. IC中的線路及元件製作 (1)薄膜製作:
13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 2. IC中的線路及元件製作 (1)薄膜製作: 薄膜的製作通常採用氣相沉積和氧化等方法。 ①氣相沉積薄膜 A.物理(PVD) B.化學氣相沉積(CVD) C.磊晶 課本P.273~274 回目次

17 13-1 半導體製程簡介 (1)薄膜製作: ①氣相沉積薄膜 A.物理氣相沉積:PVD(Physical vapor deposition)
13-1 半導體製程簡介 (1)薄膜製作: ①氣相沉積薄膜 A.物理氣相沉積:PVD(Physical vapor deposition) B.化學氣相沉積:CVD(Chemical vapor deposition ) 圖13-7所示的常壓式與低壓式二種化學氣相沉積爐。 圖13-7 常壓式與低壓式化學氣相沉積爐 課本P.274 回目次

18 13-1 半導體製程簡介 (1)薄膜製作: ①氣相沉積薄膜 B.化學氣相沉積:CVD(Chemical vapor deposition )
13-1 半導體製程簡介 (1)薄膜製作: ①氣相沉積薄膜 B.化學氣相沉積:CVD(Chemical vapor deposition ) 低壓式的爐體為密閉設計,可節省大量反應  用的化學氣體。 生產率高且膜厚均勻。 常用於多晶矽、氮化矽及二氧化矽等薄膜的  沉積。 課本P.274 回目次

19 13-1 半導體製程簡介 (1)薄膜製作: ①氣相沉積薄膜 C.磊晶 使沉積薄膜的結晶方向與基材(晶圓)相 同或直接相關的一種薄膜製作方法。
13-1 半導體製程簡介 (1)薄膜製作: ①氣相沉積薄膜 C.磊晶 使沉積薄膜的結晶方向與基材(晶圓)相  同或直接相關的一種薄膜製作方法。 磊晶薄膜的雜質少,製成的元件效能較高。 課本P.274 回目次

20 13-1 半導體製程簡介 (1)薄膜製作: 製作的方法 ②氧化薄膜 IC製程中二氧化矽是最常使用的氧化薄膜。 乾式氧化(高品質)
13-1 半導體製程簡介 (1)薄膜製作: ②氧化薄膜 IC製程中二氧化矽是最常使用的氧化薄膜。 製作的方法 乾式氧化(高品質) 溼式氧化(高效率) 以乾→溼→乾的順序來提高生產率製作高   品質的二氧化矽薄膜。 課本P.274~275 回目次

21 13-1 半導體製程簡介 (2)微影製程: 光罩 影像呈現的形式 一片印製有線路、元件圖案的透明石英玻璃。
13-1 半導體製程簡介 (2)微影製程: 光罩 一片印製有線路、元件圖案的透明石英玻璃。 影像呈現的形式 正片光罩:線路部分透光(其餘部分不透光) 負片光罩:線路部分不透光(其餘皆透光) 課本P.275 回目次

22 13-1 半導體製程簡介 (2)微影製程: 微影製程步驟 將光罩上的線路、元件圖案,投影至晶圓表面,以便後續蝕刻出圖案。 光阻塗布 曝光
13-1 半導體製程簡介 (2)微影製程: 將光罩上的線路、元件圖案,投影至晶圓表面,以便後續蝕刻出圖案。 微影製程步驟 光阻塗布 曝光 顯影 課本P.275 回目次

23 13-1 半導體製程簡介 (2)微影製程: 依成分分為 ①光阻塗布 光阻是一種感光材料,由感光劑、樹脂及溶劑混合而成。 正光阻:不溶於顯影液
13-1 半導體製程簡介 (2)微影製程: ①光阻塗布 光阻是一種感光材料,由感光劑、樹脂及溶劑混合而成。 依成分分為 正光阻:不溶於顯影液 解析度較佳! 負光阻:易溶於顯影液 課本P.275 回目次

24 13-1 半導體製程簡介 (2)微影製程: ①光阻塗布 塗布的方法如圖13-8所示。 課本P.275 回目次

25 13-1 半導體製程簡介 (2)微影製程: ②曝光 將光罩覆蓋在塗有光阻的晶圓片上(或保持一定距離)。
13-1 半導體製程簡介 (2)微影製程: ②曝光 將光罩覆蓋在塗有光阻的晶圓片上(或保持一定距離)。 以紫外光、電子束、X 光及離子束等射線穿過光罩透明部份,將線路圖案投影在光阻上。 使受到照射的光阻產生性質變化。 課本P.276 回目次

26 13-1 半導體製程簡介 (2)微影製程: ②曝光 如圖13-9所示 課本P.276 回目次

27 13-1 半導體製程簡介 (2)微影製程: ③顯影 經曝光後的光阻層,使用顯影劑沖洗去除不要的光阻。 的在去除剩餘之溶劑及水氣。
13-1 半導體製程簡介 (2)微影製程: ③顯影 經曝光後的光阻層,使用顯影劑沖洗去除不要的光阻。 的在去除剩餘之溶劑及水氣。 使光阻形成的線路圖案更加堅韌及牢固, 確實保護不需蝕刻的部份。 課本P.276 回目次

28 13-1 半導體製程簡介 溼式化學法 乾式電漿法 (3)蝕刻: 方法有二種 將晶圓表面未受光阻保護的二氧化矽薄膜蝕穿,而露出下層的矽晶材料。
13-1 半導體製程簡介 (3)蝕刻: 將晶圓表面未受光阻保護的二氧化矽薄膜蝕穿,而露出下層的矽晶材料。 再將離子植入,形成二極體、電晶體等半導體元件及線路。 方法有二種 溼式化學法 乾式電漿法 課本P.276 回目次

29 13-1 半導體製程簡介 (3)蝕刻: ①溼化學蝕刻: 如圖13-10(a)所示。 將晶圓浸入酸液(氫氟酸,HF)中,蝕刻方向為等向性。
13-1 半導體製程簡介 (3)蝕刻: ①溼化學蝕刻: 如圖13-10(a)所示。 將晶圓浸入酸液(氫氟酸,HF)中,蝕刻方向為等向性。 蝕刻深度由時間、溶液濃度及溫度加以控制。 課本P.277 回目次

30 13-1 半導體製程簡介 (3)蝕刻: ②乾式電漿蝕刻: 如圖13-10(b)所示。 蝕刻方向為非等向性。
13-1 半導體製程簡介 (3)蝕刻: ②乾式電漿蝕刻: 如圖13-10(b)所示。 蝕刻方向為非等向性。 製程中僅需要少量的化學反應用氣體,是比較好的蝕刻方法。 課本P.277 回目次

31 13-1 半導體製程簡介 (4)離子植入: 如圖13-11所示。 ①在p型或n型半導體製成的晶圓上,局部植入硼或磷離子。
13-1 半導體製程簡介 (4)離子植入: 如圖13-11所示。 ①在p型或n型半導體製成的晶圓上,局部植入硼或磷離子。 ②該部位形成為一個具有功能的半導體元件。 課本P.277~278 回目次

32 13-1 半導體製程簡介 (4)離子植入: ③重複薄膜製作→微影製程→蝕刻(並去除光阻)→離子植入(並去除二氧化矽薄膜)等步驟。 回目次
13-1 半導體製程簡介 (4)離子植入: ③重複薄膜製作→微影製程→蝕刻(並去除光阻)→離子植入(並去除二氧化矽薄膜)等步驟。 課本P.277~278 回目次

33 13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 3.金屬化製程 (1)說明: ①在晶圓片上的每一顆IC裡,製作出千萬個半導體元件。
13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 3.金屬化製程 (1)說明: ①在晶圓片上的每一顆IC裡,製作出千萬個半導體元件。 ②這些元件還需要有鋁或鋁銅合金導線來加以連接,才能使IC產生功能。 ③這些連接元件之間的導線製作,稱之為金屬化,如圖13-12所示。 課本P.278 回目次

34 13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 3.金屬化製程 課本P.278~279 回目次

35 13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 3.金屬化製程 (2)製作過程: ①每兩層金屬導線之間會沉積一層絕緣材質做為隔離。
13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 3.金屬化製程 (2)製作過程: ①每兩層金屬導線之間會沉積一層絕緣材質做為隔離。 ②上下層導線連接處稱為通道。 ③導線與元件相接處則稱為接點。 ④每條導線最終的端點會製作在IC最上層的四周,並製成較大的面積稱之為銲盤。 課本P.278~279 回目次

36 13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 3.金屬化製程 (3)後續處理:
13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 3.金屬化製程 圖13-13 完成測試等待分割的晶圓片局部外觀 (3)後續處理: 待整片晶圓檢測完成,即以非常薄的鑽石砂輪片,將每一顆IC切下,如圖13-13所示。 課本P.279 回目次

37 13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 4.打線、封裝與測試 (1)打線: ①將IC晶片以環氧樹脂黏在導線架上。
13-1 半導體製程簡介 二、半導體製程 矽晶圓製作IC 4.打線、封裝與測試 (1)打線: ①將IC晶片以環氧樹脂黏在導線架上。 ②使用直徑0.025mm左右的金線以熱壓接合或    超音波銲接法,連接IC晶片表面的銲盤與  導線架。 課本P.279 回目次

38 13-1 半導體製程簡介 4.打線與封裝 (1)打線:如圖13-14所示。 圖13-14 打線 課本P.280 回目次

39 13-1 半導體製程簡介 4.打線與封裝 (2)封裝: ①將打線完成的IC晶片與導線架,置入封裝模具中,以環氧樹脂(最常用)或是陶瓷材料填入密封。 ②完成封裝後即進行晶片的功能測試,以確保出廠之產品品質。 課本P.280 回目次

40 13-2 微細製造簡介 定義 製造微小化零件及產品的技術稱為微細製造。 回目次 課本P.281
13-2 微細製造簡介 定義 製造微小化零件及產品的技術稱為微細製造。 圖片資料來源:蔡明欽,金屬工業研究及發展中心,金屬精微成形實驗室負責人 課本P.281 回目次

41 13-2 微細製造簡介 一、半導體製程 / 微機電系統 二、 LIGA製程 三、精微機械製造 範圍 包含的技術分三大類
13-2 微細製造簡介 範圍 製品的尺度小至微米(m;10-6m)範圍。 包含的技術分三大類 一、半導體製程 / 微機電系統 二、 LIGA製程 三、精微機械製造 課本P.281 回目次

42 13-2 微細製造簡介 微細製造的尺度範圍和類別如圖13-15所示。 課本P.281 回目次

43 13-2 微細製造簡介 一、積體電路 二、微感測器 三、微致動器 微機電系統(MEMS) 微機電系統包含三項基本元件
13-2 微細製造簡介 微機電系統(MEMS) 微機電系統 ( Micro electro mechanical system ) 為一具有特定功能的系統。 微機電系統包含三項基本元件 一、積體電路 二、微感測器 三、微致動器 課本P.281 回目次

44 13-2 微細製造簡介 一、 LIGA製程 LIGA製程結合三製程 1.X光微影 2.電鑄 3.射出成形
13-2 微細製造簡介 一、 LIGA製程 LIGA是德文 ( Lithographie gal vanoformung abformung ) 之縮寫。 稱為X 光深刻精密電鑄模造成形,簡稱光刻鑄模。 LIGA製程結合三製程 1.X光微影 2.電鑄 3.射出成形 課本P.282 回目次

45 13-2 微細製造簡介 一、 LIGA製程 製程步驟如圖13-16所示。 課本P.282 回目次

46 13-2 微細製造簡介 一、 LIGA製程 1.X光微影製程 (1)LIGA所用的微影製程與前述IC製程中相同。
13-2 微細製造簡介 一、 LIGA製程 1.X光微影製程 (1)LIGA所用的微影製程與前述IC製程中相同。 (2)製程步驟:光阻塗布→圖案轉印及顯影→硬烤。 (3)塗布光阻的基板必須是導體,做為後續電鑄製程的陰極。 (4)LIGA的照射光源具有短波長、繞射小、功率大、  穿透力強等優點的同步輻射X光。 (5)搭配光阻材料PMMA(壓克力),可得最佳的圖  案解析度及照射深度。 課本P.282 回目次

47 13-2 微細製造簡介 一、 LIGA製程 2.電鑄 (1)將金屬電鑄在模型表面。
13-2 微細製造簡介 一、 LIGA製程 2.電鑄 (1)將金屬電鑄在模型表面。 (1)再以熔解或蝕刻的方式將模型去除,複製一個與模型完全互補的金屬微結構。 課本P.283 回目次

48 13-2 微細製造簡介 一、 LIGA製程 3.射出成形 (1)以電鑄所得的金屬微結構,做為微型的塑膠射出 模具或壓縮模具。
13-2 微細製造簡介 一、 LIGA製程 3.射出成形 (1)以電鑄所得的金屬微結構,做為微型的塑膠射出   模具或壓縮模具。 (2)或是由這些量產的塑膠微結構做為電鑄用模型,        進行第二次電鑄,便可以量產金屬微結構零件。 課本P.283 回目次

49 13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 泛指製品具有3D複雜形狀,且尺度介於0.5~10mm。
13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 泛指製品具有3D複雜形狀,且尺度介於0.5~10mm。 相較於半導體製程,精微機械製造在我國是一項剛  起步的製造科技。 課本P.283 回目次

50 13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 精微機械製造如表13-1所示,有微車削、微銑削、微磨削、微放電/線切割、微超音波及微雷射加工等。
13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 精微機械製造如表13-1所示,有微車削、微銑削、微磨削、微放電/線切割、微超音波及微雷射加工等。 課本P.283 回目次

51 13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 以車、銑、磨、放電及雷射等各種精微機械製造  方法,來製作可大量生產的精微模具及成形技術  ,是精微製造技術未來的主流。 精微鍛造成形技術,被視為最有潛力的微型零件  生產技術。 課本P.284 回目次

52 13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 1.微銑削 (1)與傳統銑削最大的差別在於使用直徑小於1mm的 微型刀具進行銑削加工。
13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 1.微銑削 (1)與傳統銑削最大的差別在於使用直徑小於1mm的  微型刀具進行銑削加工。 (2)搭配高轉速(20,000rpm~60,000rpm),進行低切削量高進給速率的方式。 (3)刀具對工件有銑削及拋光的雙重作用。 (4)可使加工表面達到鏡面的光度及微米級的尺度精 度。 課本P.284 回目次

53 13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 1.微銑削 圖13-17所示為直徑0.2mm的端銑刀。 課本P.284 回目次

54 13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 2.微磨削 (1)利用無心研磨不需夾持工件兩端,即可進行研磨 的加工原理製作而成。
13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 2.微磨削 (1)利用無心研磨不需夾持工件兩端,即可進行研磨   的加工原理製作而成。 (2)可製作直徑0.1~3mm,公差1m,細長比20倍以   上的零件。 (3)應用在微衝模及鍛造模的衝頭、頂出銷、微細軸件或是微放電加工用的電極等。 課本P.284 回目次

55 13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 3.微放電加工 (1)有微放電迴路,能更微細控制加工能量,以確保 高效率及穩定的長時間使用。
13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 3.微放電加工 (1)有微放電迴路,能更微細控制加工能量,以確保   高效率及穩定的長時間使用。 (2)微放電加工的尺度可小至10m,公差控制在1m  以內。 (3)加工的形式可分為微細孔加工、微細溝槽加工及3D形狀模具加工。 課本P.285 回目次

56 13-2 微細製造簡介 ◎影片 二、精微機械製造 3.微放電加工 如圖13-18所示為3D形狀模具加工。 課本P.285 回目次

57 13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 3.微放電加工 如圖13-19所示為線放電研磨機(WEDG)。 課本P.285 回目次

58 13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 4.微鍛造成形 3C產品常使用到連結機件的螺釘、螺帽等扣件,如圖13-20所示。 回目次
13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 4.微鍛造成形 3C產品常使用到連結機件的螺釘、螺帽等扣件,如圖13-20所示。 課本P.286 回目次

59 13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 4.微鍛造成形 (1)零件尺度大約在0.4~3.0mm之間,若以微切削加 工方式,生產速度較慢。
13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 4.微鍛造成形 (1)零件尺度大約在0.4~3.0mm之間,若以微切削加   工方式,生產速度較慢。 (2)微鍛造成形技術具有每分鐘80~200件的高生產量。 (3)製品精度可控制在10~5m之間,材料使用率高、   品質穩定。 (4)微鍛造的加工技術往往取決於模具的製作。 (5)模具材質使用碳化鎢超硬合金,因此加工必須大   量依賴放電加工及超音波磨料加工等。 課本P.286 回目次

60 13-2 微細製造簡介 4.微鍛造成形 母模 夾爪x6 切刀 回目次 課本P.286
13-2 微細製造簡介 4.微鍛造成形 夾爪x6 母模 切刀 課本P.286 回目次 圖片資料來源:蔡明欽,金屬工業研究及發展中心,金屬精微成形實驗室負責人

61 13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 5.微型工廠 (1)機械微型化也是近年來機械製造業努力的方向。
13-2 微細製造簡介 二、精微機械製造 5.微型工廠 (1)機械微型化也是近年來機械製造業努力的方向。 (2)小型產品可以用小型生產系統來製造。 (3)能對變化快速的產品市場保持對應的彈性。 課本P.286 回目次

62 13-2 微細製造簡介 三、奈米製造 奈米材料是奈米科技發展的基石。 奈米製造是指1~100奈米之間的生產製作技術。
13-2 微細製造簡介 三、奈米製造 奈米材料是奈米科技發展的基石。 奈米製造是指1~100奈米之間的生產製作技術。 發展方向有移除技術(Top down)及累加技術(Bottom up)兩種。 課本P.286~287 回目次

63 13-2 微細製造簡介 三、奈米製造 如圖13-21所示為兩種奈米製造技術的思維及做法。 課本P.287 回目次

64 13-2 微細製造簡介 三、奈米製造 1.移除技術(Top down) 薄膜沉積 切成薄片 矽晶棒 微影技術 蝕刻 離子植入 奈米結構
13-2 微細製造簡介 三、奈米製造 1.移除技術(Top down) 薄膜沉積 切成薄片 矽晶棒 微影技術 蝕刻 離子植入 奈米結構 課本P.287 回目次

65 13-2 微細製造簡介 三、奈米製造 2.累加技術(Bottom up)
13-2 微細製造簡介 三、奈米製造 2.累加技術(Bottom up) (1)科學家發明了掃描探針顯微鏡 ( Scanning tunneling microscope,STM )。 (1)利用STM去控制電場蒸發與沉積方式,即可進行   單一原子的操縱。 課本P.287~288 回目次

66 13-2 微細製造簡介 三、奈米製造 2.累加技術(Bottom up)
13-2 微細製造簡介 三、奈米製造 2.累加技術(Bottom up) (3)IBM實驗室以STM的探針,在銅金屬表面移動鐵原子,排列出目前最小的中文字「原子」,如圖13-22所示。 課本P.288 回目次

67 13-2 微細製造簡介 三、奈米製造 2.累加技術(Bottom up)
13-2 微細製造簡介 三、奈米製造 2.累加技術(Bottom up) (4)1986年開發的原子力顯微鏡(Atomic force    microscope,AFM)則可以進行奈米切削、  充當奈米墨筆沾黏分子,進行圖案及文字的書寫。 (5)可以移動奈米粒子,進行微小物件的奈米製造。 課本P.289 回目次

68 13-2 微細製造簡介 三、奈米製造 2.累加技術(Bottom up) (1)蓮花效應
13-2 微細製造簡介 三、奈米製造 2.累加技術(Bottom up) (1)蓮花效應 蓮葉表面生有奈米結構,因而具有抗水防塵的自潔功能,稱為「蓮花效應」。 (2)奈米黃金 黃金製成奈米粒子時,呈紅寶石色澤,熔點、硬度、生物特性皆與黃金大不相同,可應用於染料、半導體及生物科技領域。 (3)奈米碳管 碳元素構成的奈米碳管,直徑約為1 ~ 4nm,強度約為鋼的10 ~ 100 倍,而重量僅有鋼的1/6,且具有優良的彈性,可應用於顯微探針及微電極材料。 課本P.289 回目次

69 13-3 其他製造技術 一、 快速原型 ◎影片 原型是指將產品由設計概念,轉變成實體(模型),
13-3 其他製造技術 ◎影片 一、 快速原型 原型是指將產品由設計概念,轉變成實體(模型), 以供設計確認、產品修正、功能測試及模具開發之用。 快速原型技術(Rapid prototyping,簡稱RP),又稱3D列印,是80 年代開始發展的製造技術。 結合了材料學、CAD/CAM、數值控制及雷射技術。 課本P.290 回目次

70 13-3 其他製造技術 一、 快速原型 如圖13-23所示,為傳統產品開發與RP製程時間比較 課本P.290 回目次

71 13-3 其他製造技術 一、 快速原型 RP製程的特點 RP製程非常具有設計彈性。 可製作任何形狀。 材料可使用工程塑膠及金屬粉末(燒結)。
13-3 其他製造技術 一、 快速原型 RP製程的特點 RP製程非常具有設計彈性。 可製作任何形狀。 材料可使用工程塑膠及金屬粉末(燒結)。 可直接製成零組件使用。 廣泛應用於機械、汽車、電子、通訊、航太科技等領域。 課本P.290 回目次

72 13-3 其他製造技術 一、 快速原型 1.原理與製程步驟 RP製程如圖13-24所示 。 課本P.291 回目次

73 13-3 其他製造技術 一、 快速原型 1.原理與製程步驟 分層加工成形
13-3 其他製造技術 一、 快速原型 1.原理與製程步驟 分層加工成形 當遇到複雜的零件,如圖13-25所示,有伸出或中空部分則需要「支撐」。支撐可以在工件完成之後,以溶劑加以去除。 課本P.291 回目次

74 13-3 其他製造技術 一、 快速原型 (1) 立體印刷法 (2) 熔合沉積法 (3) 雷射燒結法 (4) 多層體製造法
13-3 其他製造技術 一、 快速原型 2.快速原型的成形方法 (1) 立體印刷法 (2) 熔合沉積法 (3) 雷射燒結法 (4) 多層體製造法 課本P.291 回目次

75 13-3 其他製造技術 一、 快速原型 2.快速原型的成形方法 (1) 立體印刷法(Stereolithography,SLA)
13-3 其他製造技術 一、 快速原型 2.快速原型的成形方法 (1) 立體印刷法(Stereolithography,SLA) 如圖13-26所示。 課本P.292 回目次

76 13-3 其他製造技術 一、 快速原型 2.快速原型的成形方法
13-3 其他製造技術 一、 快速原型 2.快速原型的成形方法 (2) 熔合沉積法(Fused-deposition modeling,FDM) 如圖13-27所示。 課本P.292 回目次

77 13-3 其他製造技術 一、 快速原型 2.快速原型的成形方法
13-3 其他製造技術 一、 快速原型 2.快速原型的成形方法 (3) 雷射燒結法(Selective laser sintering,SLS) 如圖13-28所示,粉末法(SLS)不用建構支撐,也是目前RP機器中能直接生產金屬件最成熟的方法。 課本P.293 回目次

78 13-3 其他製造技術 一、 快速原型 2.快速原型的成形方法
13-3 其他製造技術 一、 快速原型 2.快速原型的成形方法 (4) 多層體製造法(Laminated-object manufacturing,LOM) 如圖13-29所示。 課本P.243 回目次

79 13-3 其他製造技術 二、 逆向工程 ◎影片 逆向工程 ( RE ) : 實物→3D掃描→取得圖檔進行設計→工件製作。
13-3 其他製造技術 ◎影片 二、 逆向工程 逆向工程 ( RE ) : 實物→3D掃描→取得圖檔進行設計→工件製作。 常用非接觸式掃描設備量測實物的3D輪廓,而建立CAD圖檔。 圖檔以CAM轉換為加工程式,再以NC工具機或RP 技術,製作所需工件。 課本P.294 回目次

80 13-3 其他製造技術 二、 逆向工程 逆向工程常應用於下列情況: 1.產品設計開發。 3.藝術品數位典藏。 2.原始圖檔不易取得。 回目次
13-3 其他製造技術 二、 逆向工程 逆向工程常應用於下列情況: 1.產品設計開發。 3.藝術品數位典藏。 2.原始圖檔不易取得。 課本P.294 回目次


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