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What is “the lightly doped drain transistor”? To explain and discuss.
授課老師：鄒文正 學 生：林于翔
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Outline 1.前言 2.lightly doped drain transistor 3.LDD優缺點 4.熱載子效應 5.參考文獻
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前言 我們知道在現在超大型積體電路元件中，熱載子 效應扮演一個很重要的角色，當金氧半場效電晶 體尺寸縮小但未降低電源供應器的電壓值，熱載 子效應就成為元件尺寸縮小的一項限制。
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lightly doped drain transistor
因為閘極愈做愈小， 使源極和汲極兩端的距離變 得很近， 因此在閘極兩端接面間的載子很容易受 到大電場而被加速。便將閘極兩旁汲極/源極緊鄰 閘極的地方做極輕度的摻雜,以降低接面載子數量, 進而降低熱載子效應。 ※ V= E*L (電位=電場*長度)
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LDD優缺點 優點: 降低熱載子效應，增加MOS的穩定性。 缺點: 多一種不同濃度的摻雜，製程複雜。
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熱載子效應 當MOSFET的通道長L越小, 靠進汲極端的橫向電場 E≒ Vds/L 越大 。
MOSFET的通道載子，NMOS的電子或PMOS的電洞， 從源極端跑向汲極端時，受到上述橫向電場 E的作用 而獲得能量, 稱為熱載子(Hot carrier)。 熱載子所獲得能量如果夠大，將產生碰撞游離並生成 很多的電子-電洞對，如此對MOSFET元件的特性產 生影響， 降低其使用的壽命。
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參考文獻 ale=zh_TW
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