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探測奈米的世界 STM掃描穿隧顯微鏡 Scanning Tunneling Microscope

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Presentation on theme: "探測奈米的世界 STM掃描穿隧顯微鏡 Scanning Tunneling Microscope"— Presentation transcript:

1 探測奈米的世界 STM掃描穿隧顯微鏡 Scanning Tunneling Microscope
Nano Science Lab 2009

2 outline 自然界的奈米現象 掃描穿隧顯微鏡的發展 STM原理: 穿隧效應 取像模式 STM裝置: 真空系統 主要部分 探針製備
參考資料

3 自然界的奈米現象 蓮花效應-出淤泥而不染 蓮葉表面上有納米尺度的蠟質凸塊,能防止污垢和水沾上,因此具 有自潔的功能。
Ref :維基百科

4 自然界的奈米現象 壁虎腳趾 動物學家利用電子顯微經觀察壁虎的腳趾皮膚,發現最尖端是由 400~1000根狀的匙突(spatula)所組成的,長度大約200奈米至500 奈米。 Ref :Philos Transact A Math Phys Eng Sci May 13;366(1870):

5 掃描穿隧顯微鏡的發展 掃描穿隧顯微術是利用 "穿隧效應" 的原理,當探針與樣 品間距離很小時,在兩者之間加上微小電壓,則電子就會 在樣品與探針間形成穿隧電流。 光學顯微鏡於1830年代後期被發展出來增進人類微觀視野, 使人類“看”到了致病的細菌、微生物和微米級的微小物 體,傳統的光學顯微鏡所能提供的最佳解析度,大約等於 其使用光源的波長(~1m),這樣的解析度已不符目前的需 求。 1926年左右,粒子波學說經實驗證實後,電子束便取代了 可見光源;1940年代發展出來的掃描電子顯微鏡(SEM)將 解析度提高至約20埃(1Å=10-10m,原子直徑約為2-3 Å),使 人類能看到病毒等亞微米的物體而成為現代科技中一項重 要技術。

6 掃描穿隧顯微術起源於1980年代初期此技術有效並穩定地 操控金屬探針,且利用量子力學的電子穿隧原理,藉探針
在距樣品表面僅約幾個原子大小的範圍內來回掃描,讓原 子的排列具體地呈現,有助於我們從基本層面來瞭解許多 物理及化學現象。 1981年比尼格 Gerd Binnig 和羅勒Heinrich Rohrer發明了 掃描隧道顯微鏡。在1986年,發明者即因此獲頒諾貝爾物理獎

7 基本原理 掃描穿隧顯微術是利用 "穿隧效應" 的原理,當 探針與樣品間距離很小時,在兩者之間加上微 小電壓,則電子就會在樣品與探針間形成穿隧 電流。 在古典力學中,一個處於位能較低的電子,不 可能穿越能量障礙到達另一邊,除非給予的能 量超過位能障,然而在量子力學的觀點來看, 電子卻有可能越過能障到達另一邊,主要原因 是電子同時具有粒子和波的行為如下圖。

8 穿隧效應(tunneling effect)
位能障 Ref : After B.Bleaney.Contemp.Phy.25(1984)320

9 穿隧效應(tunneling effect)
穿隧校應:量子世界中,粒子是有機率穿遇過能量比本身能量高的能障,而到位能障的另一邊。 探針與導電樣品之間會形成位能障(potential barrier),穿隧效應發生的地方就在探針與樣品之間。 穿越位障的機率大小是和針尖及樣品表面間距離,成指數平方反比的關係。 單位時間內穿隧過位障的電量稱為穿隧電流。 藉由穿隧電流和針尖樣品間距離關係來取像。

10 取像方法 定電流取像法(constant current mode) 是以設定的穿隧電流(~0.1nA)為回饋訊號。
回饋訊號:定電流後,經由差分放大器的參考值,來 另壓電材料伸縮。 是用壓電材料的z軸伸縮高度來成像。 可接受表面高低起伏大。 探針 樣品 掃描方向 探針 掃描路徑 樣品

11 取像方法 定高度取像法(constant hight mode) 是直接以穿隧電流值來成像。
掃瞄速度較快,但表面起伏不能太大,不然會損害針。 掃描方向 探針 樣品

12 超高真空掃描探針顯微鏡 JSPM-4500A 蘇志川, 碩士論文,國立中興大學, 2007

13 真空系統 為什麼要在超高真空系統下?Why? 如何達到超高真空?
超高真空(Ultra-high vacuum)壓力範圍=10-9torr以下。 將氣體排出腔體是幫浦主要的工作。 幫浦系統:旋轉式幫浦(Rotary pump) 、渦輪分子幫浦(Turbo molecule pump)、離子幫浦(Ion pump)及鈦昇華幫浦(Titanium Sublimation pump)。 真空計:派藍尼真空計(Pirani gauge)、潘寧式真空計 (Penning gauge)離子真空計(ion gauge) 。

14 旋轉式幫浦 (Rotary pump) A)吸入 B)壓縮 C)過壓 D)排氣
“真空技術與應用”,2001年7月,行政院國家科學委員會精密儀器發展中心。

15 旋轉式幫浦為排氣式幫浦,抽氣壓力範圍約 可到10-3 torr,工作原理主要是將氣體引入並 利用動力壓縮氣體最後排出。
首先腔體內氣體經由進氣孔被吸入(suction), 藉由轉子帶動葉片壓縮(compression)氣體,造 成氣體過壓(overpressure)最後經由排氣孔排出 (exhaust)。

16 渦輪分子幫浦 (Turbo molecule pump)
A)氣體粒子分子 與運動機件碰撞 後產生額外的運 動分量。 B)渦輪分子幫浦 轉子葉片剖面與 淨氣流之產生。 C)轉子-靜子組合 形成壓縮級。 D)組合多數壓縮 級後形成TMP。 “真空技術與應用”,2001年7月,行政院國家科學委員會精密儀器發展中心。

17 離子幫浦(Ion pump) 離子幫浦抽氣作用圖解。 “真空技術與應用”,2001年7月,行政院國家科學委員會精密儀器發展中心。

18 離子幫浦屬於物理吸附儲氣式幫浦,工作壓 力範圍10-5~10-11 torr,工作原理可分為:
氣體離子化(gas ionization) 鈦金屬濺射(titanium sputtering) 化學結拖(chemical gettering) 離子埋入(ion burial) 擴散(diffusion)。

19 鈦昇華幫浦 (Titanium Sublimation pump)
“真空技術與應用”,2001年7月,行政院國家科學委員會精密儀器發展中心。

20 Brief Intro : Scanning Tunneling Microscopy
PZT voltage cable scanner Tunneling current wire STM controller preamp Bias voltage wire 1981年IBM實驗室發展出來 STM除了看表面形貌高低之外,還可以看電子組態 優點:原子解析度,local的觀測 缺點:速度較慢,無法直接得知觀測物的種類 之後又衍生出了其他的SPM系列 AFM是其中一種 sample monitor G. Bennig, H. Rohrer, et al. (1981) 20

21 STM主要裝置 Ref:

22 STM主要裝置 掃描頭(scanner): 探針(tip): 步進器(step motor):
掃描頭主要材質為壓電材料,壓電材料 (piezoelectric materials)外加電壓可使XYZ三個維度 具有1Å的移動的準確性。 探針(tip): 針尖首先必須具備高度對稱性,而最佳的針是 短尖型,若針尖太長,掃描取圖時容易產生雜 訊。 步進器(step motor): 步進器通常具有小於100nm的移動能力,探針靠 近樣品時,首先採用自動進針(auto approach on), 接著使用手動進針,直到穿隧電流產生為止。

23 樣品座(sample holder): 當探針取圖時,由於探針與樣品距離非常靠近, 若樣品基座不穩固,當探針進行較大範圍移動 時,所產生的震動極可能導致撞針。 電腦及控制系統(computer and controller): 回饋電路:差分放大器(differential amplifier)。 電腦控制介面:多個數位/類比(D/A)及類比/數 位(A/D)轉換器 前置放大器(pre-amplifier): 放大其回饋信號之穿隧電流。

24 避震系統(vibration isolation):
因為產生的穿隧電流只有幾個nÅ,很容易受到 任何震動影響,因此整張桌子採用氣墊桌懸浮 離地,而STM stage避震裝置則有金屬彈簧、橡 皮墊。

25 探針製備 使用直徑0.3mm的鎢線,利用磨砂紙除去鎢線 外圍的氧化層,並使用丙酮→甲醇→DI water 震洗,再利用電化學蝕刻的方法製備。

26 電化學蝕刻法的化學反應式: 陽極:W + 8OH-→4H2O + WO42-+ 6e- 陰極:6H2O + 6e- → 3H2 + 6OH-
總反應:W + 2H2O +2OH-→3H2 + WO42-

27 電子顯微鏡下的探針實圖

28 STM應用 表面動態學的研究 表面電子特性研究 原子操縱術 表面動態是磊晶成長、很多表面化學反應、及 其它複雜現象中的一基本機制。
觀測表面電子組態狀態。 原子操縱術 最主要的應用是奈米級或原子級結構的製造。

29 參考文獻 “奈米科學網http://nano.nchc.org.tw 維基百科http://zh.wikipedia.org
Philos Transact A Math Phys Eng Sci May 13;366(1870): After B.Bleaney.Contemp.Phy.25(1984)320 中央研究院物理研究所 “真空技術與應用”,2001年7月,行政院國家科學委員會精密 儀器發展中心。 蘇志川, “銀原子在矽(111)-7×7表面的動態研究”,國立中興大 學, 2007.


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