第二部分　微机原理 第5章 存储器 主讲教师：喻红.

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1 第二部分　微机原理 第5章 存储器 主讲教师：喻红

2 主要内容 “扩展”的概念； 半导体存储器的类型及适用场合； 单片机系统中常用的存储芯片； 单片机系统中存储器的扩展方法。

3 5.1　MCS-51单片机最小应用系统

4 MCU 单片机的扩展 人机交互 地址译码器 存储空间 地址锁存器 输入输出 通信接口 键盘 显示器 数据总线 地址总线 控制总线 程序
存储器 数据 人机交互 键盘 显示器 输入输出 数字I/O接口 A/D D/A 通信接口 地址锁存器 地址译码器 数据总线 地址总线 控制总线 单片机的扩展

5 三总线的形成

6 5.2 存储器的类型 动态RAM(DROM)：电容 随机存取存储器 RAM 静态RAM(SRAM)：双稳态触发器
5.2　存储器的类型 动态RAM(DROM)：电容 随机存取存储器 RAM 静态RAM(SRAM)：双稳态触发器 非易失性RAM (NVRAM)：SRAM+EEPROM 半导体存储器 掩膜ROM：厂家一次性编程 可编程PROM(PROM)：用户一次性编程 只读存储器 ROM 可擦除PROM(EPROM)：紫外光整体擦除 电可擦除EPROM(EEPROM)：电脉冲单元/页面擦除 闪存 Flash-ROM：电脉冲单元/页面擦除

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8 数据存储器的扩展 数据存储器用于存放现场采集的原始数据及运算的中间结果等。 在运行过程中可随时对任意存储单元进行读、写操作。 通常用静态RAM作为外部数据存储器,必要时也可以用其它存储器。

9 存储器扩展注意事项 总线带负载能力 适时增加缓冲器或总线驱动器 速度匹配 根据MCU的速度选配存贮器 地址分配与片选控制 合理利用资源、兼顾硬软需求 控制信号 读/写 ……

10 常用的静态RAM

11 存储器的结构 存储器的容量：存储矩阵；N=2n 地址译码：行地址译码、列地址译码

12 外部数据存储器扩展 74LS273 74LS373 Intel 8282

13 地址锁存器

14 §5.2.3地址锁存器 地址扩展要点 合理选用芯片 P0.0-P0.7D输入 Q输出A0-A7 分清/CLR与/OC及/OE
ALEG或STB /ALECLK 8D锁存器，上跳沿触发 8D触发器，共使能， 8D锁存器，三态驱动输出 8位锁存，输入/输出同相

15 编址及译码 8051采用存储器和I/O口统一编址方式 片内地址线 单片机可以直接和所选存储芯片地址对应相连的那部分地址线。 片选地址线（为什么要片选） 除片内地址线以外的其余地址线。 注意 一般用地址总线的高几位作为片选地址线，以使相应外设得到连续的地址分布。

16 存储器地址的译码方法 线选方式 片选地址线直接接到芯片的片选端  全译码方式 所有片选地址线全部参加译码 部分译码方式 片选地址线部分参加译码，剩下部分悬空

17 两种常用译码器 双2-4译码器 3-8译码器

18 与扩展有关的芯片—74LS138 G1 G2A G2B

19 与扩展有关的芯片—74LS139

20 扩展2k字节RAM

21 扩展64k字节RAM 8031+(62128×4)

22 5.3 程序存储器的扩展 扩展的外部程序存储器的特点： 存储数据非易失； 存储数据在使用时不可更改。
5.3　程序存储器的扩展 扩展的外部程序存储器的特点： 存储数据非易失； 存储数据在使用时不可更改。 所以需采用只读存储器，多采用EPROM或E2PROM 。

23 5.3.1　EPROM引脚

24 5.3.2　EPROM的工作方式 五种工作方式 （1）读方式：程序代码写入EPROM之后主要工作方式。进入这种方式必须保证CE为低，OE为低，才可以将指定的地址单元的内容读出到数据线上。 （2）维持方式：将CE脚升为高电平，这时EPROM输出为高阻抗，不占用数据线。 （3）编程方式（又称写入方式）：将Vpp加至+25V，CE、OE都加高电平，就能将数据线上的信息写入到指定的地址单元。

25 （4）编程校验方式：保持Vpp为+25V，其他按读出方式读出，以便校验写入的内容正确与否。
（5）编程禁止方式：保持Vpp为+25V，令CE脚为低电平，则EPROM的输出脚为高阻抗。

26 §5.3.3 外部程序存储器扩展 2764(A)存储空间:0000H~1FFFH 2764(A)存储空间:8000H~9FFFH

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29 本章结束