第五章 双极结型三极管及其 放大电路 2018年3月26日.

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1 第五章 双极结型三极管及其 放大电路 2018年3月26日

2 §5-1半导体BJT BJT（Bipolar Junction Transistor）常称为双极性 结型晶体管，简称晶体管 或三极管，它的种类很多； 按照频率分：有高频管、 低频管； 按照功率分：有小、中、 大功率管； 按照半导体材料分：有硅 管、锗管等等。 根据结构不同，BJT一般可 分成两种类型：NPN型和 PNP型。

3 NPN型BJT结构 NPN型BJT是由两个PN结，中间是一块很簿的P型 半导体(几微米-几十微米)，两边各为一块N型半导体。
从三块半导体上接出一根引线作为三个电极，分别叫 做发射极e、基极b和集电极c，对应的每块半导体称 为发射区、基区和集电区。 发射区比集电区掺的杂质多，集电区的面积比发射区 的大，因此它们不是对称的。

4 NPN型BJT结构 当两块不同类型的半导体结合在一起时，交界处就 会形成PN结。BJT有两个PN结：发射区与基区交 界处的PN结称为发射结，集电区与基区交界处的 PN结称为集电结，两个PN结通过很薄的基区联系。 在N型硅片氧化膜上光刻一个窗口，进行硼杂质扩 散，获得P型基区，再在P型半导体上光刻一窗口， 进行高浓度的磷扩散，获得N型发射区，表面是一 层二氧化硅保护层，N型衬底用作集电极。 大部分NPN型硅BJT都属于这种结构。

5 晶体管的结构与符号 (a)NPN管的示意图；(b)电路符号；(c)平面管结构剖面图

6 PNP型BJT结构 PNP型BJT是由两个PN结的三层半导体制成的，不 过PNP的中间是N型半导体，两边是P型半导体。
NPN和PNP型BJT具有几乎等同的特性，只不过各 电极端的电压极性和电流流向不同。

7 BJT的电流分配与放大作用 为了能使发射区发射电子、集电区收集电子，必须具 备的条件是：发射结加正向电压(正向偏置)，集电结 加反向电压(反向偏置)，在这些外加电压的条件下， 管内载流子的传输将发生下列过程。

8 发射区向基区注入电子 由于发射结外加正向电压，因此发射结势垒由Vo减小 到Vo-VEE，发射区的多数载流子电子不断通过发射结 扩散到基区，形成发射极电流IE，其方向与电子流动 方向相反。 基区空穴也扩散到发射区，但由于发射区杂质浓度比 基区高得多(一般高几百倍)，与电子流相比，这部分 空穴流可忽略不计。

9 电子在基区中的扩散与复合 发射区的电子注入基区后，在基区靠近发射结的边界 积累起来，形成了浓度梯度，在发射结附近浓度最高， 因此，电子就要向集电结的方向扩散。 在扩散过程中，电子会与基区中的空穴复合，同时接 在基区的电源VEE的正端则不断从基区拉走电子。电 子复合的数目与电源从基区拉走的电子数目相等，使 基区的空穴浓度基本维持不变。这样就形成了基极电 流IB，基极电流就是电子在基区与空穴复合的电流。 复合越多，到达集电结的电子越少。为了减小复合， 常把基区做得很薄，并使基区掺入杂质的浓度很低， 因而电子在扩散过程中实际上与空穴复合的数量很少， 大部分都能到达集电结。

10 集电区收集扩散过来的电子 集电结所加的是反向电压，集电结势垒由Vo增加到 Vo+Vcc。集电结势垒很高，使集电区的电子和基区 的空穴很难通过集电结，但这个势垒对基区扩散到 集电结边缘的电子却有很强的吸引力，可使电子很 快地漂移过集电结为集电区所收集，形成集电极电 流IC。 另一方面，根据反向PN结的特性，当集电结加反向 电压时，基区中少数载流子电子和集电区中少数载 流子空穴在结电场作用下形成反向漂移电流，这部 分电流决定于少数载流子浓度，称为反向饱和电流 ICBO，它的数值很小，对放大没有贡献，而且受温 度影响很大，容易使管子工作不稳定，所以在制造 过程中要尽量设法减小ICBO 。

11 三极管内载流子的运动和各极电流

12 由以上分析可知，晶体管三个电极上的 电流与内部载流子传输形成的电流之间有如下 关系：

13 电流分配关系 发射极的总电流与发射结的电压vBE成指数关系
式中VT为温度的等效电压kT/q，IES为发射结的反向饱和电流，它与发射区和基区的掺杂浓度、温度等因素有关，也与发射结的面积成比例。 集电结收集的电子流是发射结发射的总电子流的一部分，常用一系数来表示，即

14 共发射极直流电流放大系数 ：基区每 复合一个电子，则有 个电子扩散到集 电区去。
共基极直流电流放大系数 ：扩散到集 电区的电流ICN与射极注入电流IEN的比 例。

15 放大作用 在发射极和基极之间的回 路上加入一待放大的输入 信号vI，这样发射结的外 加电压vEB将等于vEE+ vI 。
由于外加电压的变化，将 使发射极电流IE相应地变 化iE，信号电压vI控制IE。 vI的微小变化可以引起IE的变化iE，因IC=IE，又相应引起IC的变化，iC通过接在集电极上的负载电阻RL上产生一个变化的电压vo，则从RL取出来的变化电压vo随时间的变化规律和vI相同，但幅度却大了许多倍。所增大的倍数称为电压增益。

16 放大电路连接方式 利用BJT组成的放大电路，其中 一个电极作为信号输入端，一 个电极作为输出端，另一个电 极作为输入、输出回路的共同 端。
根据共同端的不同，有三种连 接方式：共基极、共发射极和 共集电极电路。 上图为共基极电路，发射极为 输入端，集电极为输出端，基 极为输入、输出回路的共同端。 下图为共发射极电路，以发射 极作为共同端，以基极为输入 端，集电极为输出端。

17 共发射极电路放大原理 如在基极输入端加入一个待放大 的信号vI ，发射结电压vBE就在 原来vBB的基础上叠加了一个vI ， 于是发射极电流iE将按vI 的规 律变化，所以相应的iB和iC也 将按iE的规律变化。 当iB按vI的规律改变时， iC将随之而变。设=0.98 ，当vI变化20mV时，能引起基极电流的变化iB=20A，则发射极电流变量为

18 电压增益 在RL所得的电压变化

19 共射极和共基极电路的特点 (1) 共射极电路以基极电流iB作为输入控制电流，而共基极电路则是以发射极电流iE作为输入控制电流。用iB作为输入控制电流的好处是信号源消耗的功率很小。 (2) 研究共射极电路的放大过程主要是分析集电极电流(输出电流)与基极电流(输入电流)之间的关系。 (3) 共基极电路的电流放大系数为，共射极电路的电流放大系数为。的值小于1，但接近于1，而的值则远大于l，所以iC＞iB。共射极电路不但能得到电压放大，而且还可得到电流放大，共射极电路是应用最广泛的一种组态。

20 BJT的特性曲线 BJT的特性曲线是指各电极电压与电流之间的关系 曲线，是BJT内部载流子运动的外部表现。
由于BJT有三个电极，它的V-I特性就不像二极管那 样简单，工程上最常用到的是它的输入特性和输出 特性曲线。

21 共射极电路的输入特性曲线 输入特性是指当集电极与发射极之间的电压vCE为常 数时，加在BJT基极与发射极之间的电压vBE与基极电 流iB之间的关系曲线，用函数关系表示为 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 当vCE=1V时，集电结加了反向电压，集电结吸引电子的能力加强，使得从发射区进入基区的电子更多地流向集电区，因此对应于相同的vBE，流向基极的电流iB比原来vCE=0时减小了，特性曲线也就相应地向右移动了。

22 共射极电路的输出特性 输出特性是在基极电流iB一定的情况下，集电极与发 射极之间的电压vCE与集电极电流iC之间的关系曲线， 用函数表示为
输出特性的起始部分很陡， vCE略有增加时， iC增加很快，这是由于在vCE很小时，集电结的反向电压很小，对到达基区的电子吸引力不够，这时iC受vCE的影响很大。 vCE稍有增加，从基区到集电区的电子也增加。故iC随vCE 的增加而增加。

23 输出特性曲线 当vCE超过某一数值(约lV)后，特性曲线变得比较平坦。这是由于vCE大于1V以后，集电结的电场已足够强．能使发射区扩散到基区的电子绝大部分都到达集电区，故vCE再增加， iC就增加不多了。 改变iB的值，即可得到一组输出特性曲线。由iC=iB可知，在vCE大于零点几伏以后，输出特性是一组间隔基本均匀，比较平坦的平行直线。

24 输出特性曲线的三个区域: 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。
饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜1V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压，集电结反偏。

25 基区宽度调制效应 由共射极电路可知， vCE= vCB + vBE ，当vCE增加时，由于vBE变化较少(例如硅管的vBE为0.7V左右)，故vCB(集电结反向偏压)随之增加。 vCB的增加使集电结的空间电荷区的宽度增加，致使基区有效宽度减小，这样在基区内载流子的复合机会减少，使电流放大系数增大，在iB不变的情况下， iC将随vCE增大，特性曲线向上倾斜，这种现象称为基区宽度调制效应。

26 共基极电路的特性曲线 NPN型BJT共基极接法的输入特性和和输出特性

27 BJT的主要参数 1. 电流放大系数 BJT在共射极接法的电流放大系数，根据工作状态 的不同，在直流和交流两种情况下分别用符号 和 表示：
BJT集电极的直流电流IC与基极的直流电流IB的比值为共射极电路的直流电流放大系数 ,或hFE来代表。 在有信号输入时，基极电流产生一个变化量iB，相应的集电极电流变化量为iC，则iC与iB之比称为BJT的交流电流放大系数 ，记作hfe。

28 BJT的主要参数 对共基极接法的电流放大系数，直流放大系数 和 交流放大系数的定义与共发射极接法时相似。 在直流工作状态下，iC=IC， iE=IE ，故有

29 BJT的主要参数 2. 极间反向电流 (1) 集电极-基极反向饱和电流ICBO，表 示发射极开路，c、b间加上一定反 向电压时的反向电流，它只决定于 温度和少数载流子的浓度。在一定 温度下，这个反向电流基本上是个 常数，所以称为反向饱和电流。 (2)集电极-发射极反向饱和电流ICEO， 表示基极开路，c、e间加上一定反 向电压时的集电极电流。这个电流 从集电区穿过基区流至发射区，所 以又叫穿透电流。

30 BJT的主要参数 3. 极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM，参数变化不超过允许值时 集电极允许的最大电流。 (2)集电极最大允许功率损耗PCM，集电结上允许损耗功 率的最大值。 PCM=iCvCE (3)反向击穿电压，BJT的两个PN结，如反向电压超过规定值将会发生击穿。 vEBO集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压。 vCBO发射极开路时，集电极-基极间的反向击穿电压。 vCEO基极开路时，集电极-发射极间的反向击穿电压。

31 温度对晶体管特性曲线的影响 温度对晶体管的vBE、ICBO和β有不 容忽视的影响。其中， vBE 、 ICBO随温度 变化的规律与PN结相同，即温度每升高 1℃，vBE减小2~2.5mV；温度每升高10℃， ICBO增大一倍。温度对β的影响表现为，β 随温度的升高而增大，变化规律是：温 度每升高1℃，β值增大0.5%~1% (即 Δβ/βT≈(0.5~1)%/℃)。

32 §5-2共射极放大电路 单管放大电路中，采用NPN型硅BJT，VCC是集电极 回路的直流电源，它的负端接发射极，正端通过电阻 Rc接集电极，以保证集电结为反向偏置。 集电极电阻Rc将BJT的集电极电流iC的变化转变为集 电极电压vCE的变化。

33 共射极放大电路 VBB是基极回路的直流电源，它的负端接发射极，正 端通过基极电阻Rb接基极，使发射结为正向偏置，并 通过基极电阻Rb，供给基极一个合适的基极电流IB。 电容Cbl和Cb2称为隔直电容或耦合电容作用是“传送 交流，隔离直流”。

34 共射极基本放大电路的简化 为了简化电路，一般选取VBB=VCC

35 §5-3图解分析法 静态工作情况分析 当放大电路没有输入信号(vi=0)时，电路中各处的电 压、电流都是不变的直流，称为直流工作状态或静止 状态，简称静态。在静态工作情况下，BJT各电极的 直流电压和直流电流的数值，将在管子的特性曲线上 确定一点，这点常称为Q点。 当放大电路输入信号后，电路中各处的电压、电流便 处于变动状态，这时电路处于动态工作情况，简称动 态。

36 近似估算Q点 由于电容Cbl和Cb2的隔直作用， 对于静态下的直流电路来说， 它们相当于开路一样。所以， 在计算Q点时，只需考虑由VCC、 Rb、Rc及BJT所组成的直流通 路就可以了。 直流负载线 选取适当的IB，Q点为静态工作点。

37 动态工作情况分析 当接入正弦信号时、电路将处在动态工作情况，可以 根据输入信号电压vi通过图解确定输出电压vo，从而 可以得出vi与vo之间的相位关系和动态范围。

38 说明 ①没有输入信号电压时，BJT各电极都是恒定的电流和 电压(IB、IC、VCE)，当在放大电路输入端加上输入信 号电压后，iB、iC、vCE都在原来静态直流量的基础上 叠加了一个交流量。即 ② vCE中的交流分量vce的幅度远比vi为大，且同为正弦波电压，体现了放大作用。 ③vo(vce)与vi相位相反，称为放大电路的反相作用，共射极放大电路又叫做反相电压放大器。

39 交流负载线 放大电路在工作时，输出端总要接上一定的负载RL， 放大电路的工作情况会因为RL的接入而受到影响。
动态工作时，隔直电容Cbl和Cb2在一定频率的信号作用下，其容抗可以忽略；同时考虑到电源VCC的内阻很小，可视为短路。

40 交流负载线 放大电路的交流负载电阻为RL’。即
对于交流分量来说，应当用 RL ’来表示电流、电压之间的关系，表示交流分量电压、电流关系的负载线的斜率应该是-1/RL’。

41 BJT的三个工作区域 BJT的基本特点是通过电流控制实现放大作用，但是 这种放大作用并不是在任何情况下都能实现的。
Q点过高，BJT就会从放大转化为饱和。 Q点过低时，BJT又会从放大转化为截止。 饱和、放大、截止称为BJT的三种工作状态，输出特性分成三个不同区域，即：饱和区、放大区和截止区。

42 BJT的三个工作区域 饱和区：饱和现象的产生是由于工作点上移，使vCE减小到一定的程度后，集电结收集载流子的能力被减弱，发射极发射有余，而集电极收集不足。这时即使IB增加，IC也不能增加，即不再服从IC= IB。BJT工作在饱和状态时的管压降称为饱和压降，对硅管可取0.3V，对锗管取0.1V。 放大区：输出特性的平坦部分，接近于恒流特性，符合IC= IB的规律，这是放大电路的工作区域。 截止区：当IB减小，则Q点就会沿直流负载线向下移动，当IB =0时， IC = ICEO =0，VCE=VCC，BJT如同工作在断开状态。

43 §5-4 小信号模型分析法 如果放大电路的输入信号电压很小，就可以设想把BJT小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以把BJT这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来处理。 关于BJT的小信号建模，通常有两种方法：一种是已知网络的特性方程，按此方程画出小信号模型；另一种则是从网络所代表的BJT的物理结构出发加以分析，再用电阻、电容、电感等电路元件来模拟其物理过程，从而得出模型。

44 BJT小信号建模 BJT小信号建模采用一个由双口有源器件组成的网络 建模，网络有输入端和输出端两个端口，通常可以 通过电压vi、 vo及电流il、i2来研究网络的特性。 选择这四个参数中的其中两个作为自变量，其余两 个作为应变量，就可得到不同的网络参数，如Z参数 (开路阻抗参数)，Y参数〔短路导纳参数)和H参数 (混合参数)等。 H参数在低频时用得较广泛。

45 BJT H参数 hfeib ic vce ib vbe hrevce hie hoe BJT在共射极接法时，可表示为一个双口网络。
BJT的特性曲线用图形描述了管子内部电压、电流的 关系；BJT的参数，则是用数学形式表示管子内部电 压、电流微变量的关系。两种方法都是表征管子性能、 反映管内物理过程的，因而两者之间必然具有密切的 内在联系。 BJT的H参数模型 hfeib ic vce ib vbe hrevce hie hoe vBE vCE iB c e b iC BJT双口网络

46 共射极接法下的H参数 输入回路和输出回路电压、电流的关系可分别表示 为
在小信号作用下，当电压、电流的变化没有超过特性曲线的线性范围时，无限小的信号增量就可以用有限的增量来代替，也就是可以用电压、电流的交流分量来代替。

47 共射极接法下的H参数 输出端交流短路时的输入电阻，单位为欧姆 输出端交流短路时的正向电流传输比或电流放大系数(无量纲)；
输入端交流开路时的反向电压传输比(无量纲)； 输入端交流开路时的输出电导，单位为西门子。 这四个参数的量纲各不相同，因此这种参数系统是不同量纲的混合，故称为混合参数。

48 模型的简化 hfeib ic vce ib vbe hrevce hie hoe  ib ic vce ib vbe uT vce rbe
一般采用习惯符号 hfeib ic vce ib vbe hrevce hie hoe   ib 是受控源 ，且为电流控制电流源(CCCS)。  电流方向与ib的方向是关联的。 即 rbe= hie  = hfe uT = hre rce= 1/hoe 则BJT的H参数模型为  ib ic vce ib vbe uT vce rbe rce  uT很小，一般为10-310-4 ，  rce很大，约为100k。故一般可忽略它们的影响，得到简化电路

49 H参数的确定   一般用测试仪测出；  rbe 与Q点有关，可用图示仪测出。 一般也用公式估算 rbe
rbe= rb + (1+  ) re 其中对于低频小功率管 rb≈200 而 (T=300K) 则

50 §5-5 放大电路的工作点稳定问题 在放大电路中，Q点不仅关系到波形失真，而且对电 压增益有很大影响，所以对放大电路，为获得较好的 性能，必须首先设置一个合适的Q点。 在固定偏流电路中，当VCC和集电极电阻Rc确定后， 放大电路的Q点就由基极电流IB来决定，这个电流就 叫做偏流，而获得偏流的电路叫做偏置电路。 由于这种电路偏流是“固定”的(IB=VCC/Rb)，当更换管子或是环境温度变化引起管子参数变化时，电路的工作点往往会移动，甚至移到不合适的位置而使放大电路无法正常工作。

51 温度对工作点的影响 ICBO、、VBE随温度升高的结果，都集中表现在Q点 电流Ic的增大。
硅管的ICBO小，受温度的影响可以忽略，因此， 和 VBE的温度影响，对硅管是主要的，温度每升高1℃， 要增加0.5％-1.0％， VBE 降低2.2mV/℃左右。 锗管的ICBO大， ICBO的温度影响对锗管是主要的，温 度每升高10℃， ICBO大一倍。

52 射极偏置电路 BJT参数ICBO、、VBE随温度变化对Q点的影响，最 终都表现在使Q点电流Ic增加。在温度变化时，如果 能设法使Ic近似维持恒定，问题就可得到解决。 (1)针对ICBO的影响，可设法使Ib随温度的升高而自动减小。 (2)针对VBE的影响，可设法使发射结的外加电压随着温度的增加而自动减小。 为要使Q点稳定，I1愈大于Ib以及VB愈大于VBE愈好，对于硅管，一般可选取

53 例5.5.1 试近似估算电路的Q点，并计算 它的电压增益、输入电阻和输出 电阻。 解；(1)确定Q点

54 解答 (2)求电压增益 画出小信号等效电路图。 由此电路可得

55 解答 (3)求输入电阻 电路输入端在外加测 试电压的作用下，求相 应的测试电流。

56 解答 (4)输出电阻 如把BJT的输出电阻rce考 虑进去，按照输出电阻的 定义可画出求输出电阻时 的等效电路。先求出Ro’， 然后再与Rc并联，即可求 得放大电路的输出电阻Ro。

57 §5-6 共集电极电路和共基极电路 共集电极电路中，BJT的负载电阻是接在发射极上， 输入电压 加在基极和集电极之间，输出电压 从 发射极和集电极两端取出，所以集电极是输入、输出 电路的共同端点。因为是从发射极把信号输出去，所 以共集电极电路又称为射极输出器。

58 射极输出器分析 (1)求Q点 在基极回路中，按照KVL可得

59 射极输出器分析 (2)电压增益 根据KVL， 输入回路的方程为

60 射极输出器分析 (3)输入电阻 当

61 射极输出器分析 (4)输出电阻 输出电阻按定义表示为

62 共基极电路 共基极放大电路中，Rc为集电极电阻 ，Re为发射极 电阻，Rbl和Rb2为基极偏置电阻，用来保证BJT有合 适的Q点。
由交流通路可见，输入电压 是加在发射极和基极 之间，而输出电压 从集电极和基极两端取出，故 基极是输入、输出电路的共同端点。

63 例5.6.1 试分析电路的静态工作情况， 并求出它的电压增益、输入电 阻和输出电阻。 解：(1)求Q点

64 解答 (2)电压增益 利用小信号等效电路计算 电压增益

65 解答 (3)输入电阻和输出电阻 在共基极接法时，BJT的 输入电阻为
BJT的共基极输出特性十分平坦，其斜率要比共射极接法小。因此BJT本身的输出电阻rcb比共射极接法时的rcb为大。共基极放大电路的输出电阻为

66 三种基本组态的比较

67 三种基本组态的比较

68 §5-7放大电路的频率响应 1．RC低通电路的频率响应 在放大电路的高频区，影响频率 响应的主要因素是管子的极间电容 和接线电容等，它们在电路中与其 他支路是并联的，因此这些电容对 高频响应的影响可用RC低通电路 来模拟。

69 幅频响应 高频区的电压增益的幅值AVH和相角H分别为 (1)当f<<fH时 (2)当f>>fH时

70 幅频响应 fH对应于两条直线的交 点，称为转折频率。
当f=fH时，AVH=0.707， 即在fH时，电压增益下 降到中频值的0.707倍， 所以fH又是放大电路的 上限频率。 fH(H)是AVH(s)的极点 频率。

71 相频响应 相频响应，它可用三条直 线来近似描述： 在0.1 fH和10 fH之间，可用一条斜率为-45/十倍频程的直线来表示。

72 频率响应 2．RC高通电路的频率响应 在放大电路的低频区内，耦合电 容和射极旁路电容对低频响应的 影响，可用RC高通电路来模拟。
转折频率，即放大电路的下限濒率

73 幅频响应 低频区的电压增益的幅值AVL和相角L分别为：

74 单级放大电路的高频响应 在高频运用的情况下，其物理过程与H参数低频小信 号模型不同 ，主要表现在BJT的极间电容不可忽略， BJT的高额小信号模型如下：

75 元件参数说明 基区电阻rbb：表示基区体电阻，约在50-300之间。
发射结参数rb’e和Cb’e： rb’e是发射结的小信号电阻， 对于小功率管rb’e的实际数值约为几十欧。 Cb’e为发 射结电容，对于小功率管，约在几十-几百pF范围。 集电结参数rb’c和Cb’c ：由于集电结工作时处于反向 偏置，故rb’c的值很大，一般在100 k—10M之间， Cb’c在2-10pF范围内。 受控电流源 由于结电容的影响， 和 不能保 持正比关系，因而用 表示受控电流源，它是 受直接加于基极b’和发射极之间的电压 所控制 的，gm称为互导，定义为

76 模型中参数的获得 由于高频小信号模型中的元件参数，在很宽的频率范 围内与频率无关，所以模型中的电阻参数和互导gm都 可以通过低频小信号模型参数得到。 发射结电阻

77 BJT的频率参数 共发射极截止频率f 有一个转折频率f的频响曲线，其值主要决定于管 子的结构。

78 BJT的频率参数 特征频率fT 当的频响曲线以-20dB/十倍频程的斜率下降， 直至增益为0dB时的某一频率fT称为特征频率。

79 密勒电容 对于集电极节点，按照KCL得 忽略最后一项

80 密勒电容 CM称为密勒电容，由于Cb’c的存在，相当于在输入端 接入一个比Cb’c大AV倍的电容。

81 高频响应与上限频率 将密勒效应图简化，令

82 增益-带宽积 低频电压增益与通频带相乘所得的乘积称为增益-带 宽积。
当电路参数及BJT都选定后，增益-带宽积是个常数， 因此放大电路的低频电压增益与通频带存在矛盾。 要提高低频电压增益，可增加Rc，但Rc增加后，密勒 效应显著，密勒电容的作用将使 随频率增加而急 剧减小，引起通频带变窄。

83 单级放大电路的低频响应 放大电路的低频响应主要 取决于外接的电容器，如 隔直(耦合)电容和射极旁 路电容。

84 低频等效电路的简化 假设Rb远大于放大电路本 身的输入阻抗，它的影响 可以忽略。
假设Ce的值足够大，在信 号频率范围内，它的容抗 XCe远小于Re的值，Re可 以除去。 把Ce折算到基极电路，折 算后的容抗为

85 低频等效电路的简化 基极回路中的总电容C1可 按下式计算 低频响应及下限频率 输入回路和输出回路都RC高通电路相似 中频区电压增益

86 转折频率 RC耦合单级放大电路低频响应具有两个转折频率fL1 和fL2。如果二者之间的比值在四倍以上，则可取较大 的值作为放大电路的下限频率。 由于Ce在射极电路里，其电流Ie是基极电流Ib的(1+) 倍，它的大小对电压增益的影响较大，因此Ce是决定 低频响应的主要因素。

87 作业 习题 5.2.1，5.3.4，5.3.9，5.4.1， ， ， 5.4.4， 5.4.8， 预习第四章

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