（Random Access Memory)

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1 （Random Access Memory)
第一节 存储器扩展概述 一、存储器分类 存储器M RAM （Random Access Memory) ROM (Read Only Memory) SRAM(Static RAM) DRAM(Dynamic RAM) NVRAM(Non Volative RAM) 掩模ROM PROM（Programable ROM) EPROM(Erasable PROM) E2PROM(Electrically EPROM)

2 二、MCS-51的最小系统 ROM 时钟 电路 AB 8031 复位 电路 DB CB 图8-2 P2 ALE P0 8051 8751
A8-A15 ROM P2 ALE P0 8051 8751 /PSEN /WR /RD 时钟 电路 AB 地址 锁存器 A0-A7 8031 复位 电路 DB D0-D7 CB 图8-2

3 1、首先根据已知ROM芯片参数和所求参数求得 所需芯片数=所需容量/每片容量（假设字长相同）
2、求得芯片的地址线、数据线根数 3、 连接AB、DB和CB中的/PSEN、/RD DB AB /PSEN、 /RD 单片机： 存储器： P0 P2+P0 读ROM RAM读 Di （I/Oi) Ai （<=16根）+/CE（/CS） /OE (/RD) /OE (/RD)

4 例 用2764（8K*8bit即8KB)扩展16K字节的EPROM
？… 对于片选信号有以下三种连接方法 P2.7 P2.6 P2.5 P2.4 P2.3 P2.2 P2.1 P2.0 8051 P0.0 P0.1 P0.7 ALE /PSEN A12 A11 A /CE A7 2764 A0 O0 /OE O7 … … … … …… … … A12 A11 A /CE A7 2764 A0 O0 /OE O7 74 LS373 G … … … … … … … … …

5 （一）线选法 A0—A10 A11 A12 A13 A14 /CE #1 /CE #2 /CE #3 /CE #4 DB0-7 A15A14A13A12A11 A10A8A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0 #1： #2： #3： #4： 7000H * 77FFH 6800H * 6FFFH 5800H—5FFFH 3800H—3FFFH

6 （二）全译码法 Q0 5-32 … 译 Q3 码 器 … Q31 /CE #4 #3 #2 #1 A11-A15 A0-A10 A0-A15 DB0-7 A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0 1#： 0000H 07FFH 2#： 0800H----0FFFH 3#： 1000H----17FFH 4#： 1800H----1FFFH

7 （三）部分译码法 #4 #3 #2 #1 1#： A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0 * * *
Q0 2-4 … 译 Q3 码 器 /CE #4 /CE #3 /CE #2 /CE #1 A11-A12 DB0-7 1#： A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0 * * * 0 0 …… …… E000H 0000H 2000H 地址重叠

8 二、扩充ROM芯片举例 检验一下三总线的连接是否正确 例1 用一片2716（2K*8b）扩充8031 外部EPROM2KB，试画出连接图。
图8－8 单片程序存储器扩展连接图 检验一下三总线的连接是否正确

9 例2 试用2764（8K*8b）扩充16K*8b的EPROM。图8-9所示。
图8－9 两片程序存储器扩展连接图

10 例3 译码法扩展三片 8KB EPROM 图8－17 译码法扩展三片 8KB EPROM

11 补例 扩展16K字节EPROM 74LS 373 G P2.7 P2.6 /CE P2.5 A13 P2.4 A12 P2.3 A11
8051 P0.0 P0.1 P0.2 P0.3 /PSEN P0.4 P0.5 P0.6 ALE P0.7 /CE A13 A12 A11 A10 A9 A8 O7 O6 O O4 O3 O2 O1 O0 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 /OE 74LS 373 G

12 第三节 数据存储器RAM的扩展技术 一、RAM存储器扩充步骤 与ROM扩充类似，只是多画一根线： 将MCS-51的/WR与RAM的/WE（/WR）相连。

13 例4 单片RAM的扩展 图8－13 单片RAM扩展连接图

14 例5 多片 RAM的 扩展 图8－14 多片 RAM 扩展连接图

15 补例 线选法扩展4KB RAM（6116：2K*8bit)
P2.4 P2.3 P2.2 P2.1 P2.0 8051 P0.0-P0.7 ALE /RD /WR A10 /CS A9 A8 6116 A0-A7 D0-D7 /OE /WE A10 /CS A9 A8 6116 A0-A7 D0-D7 /OE /WE 8282

16 补例 部分译码法扩展4KBRAM #1： 0000H—07FFH #2： 2000H—27FFH 2:4 /Y0 /G译 /Y1 A 码 …
B 器 /Y3 补例 部分译码法扩展4KBRAM P2.7 P2.6 P2.5 P2.2 … P2.0 ALE P0.0-P0.7 8031 /WR /RD G 74LS373 A0-A10 /CE 2#6116 /WE /OE D7-D0 1#6116 #1： 0000H—07FFH #2： 2000H—27FFH

17 第四节 存储器综合扩展技术 例6 扩展 K RAM和2K ROM 图8－19 扩展4K RAM和2K ROM的8031系统

18 补例 扩展2K字节E2PROM 地址重叠区16个。 P1.0 /WE /WR /RD /OE /PSEN 2817 8051 /CE
RDY/BUSY /WE /OE 2817 /CE A10 A9 A8 A7-A0 I/O0-I/O7 P1.0 /WR /RD /PSEN 8051 P2.7 P2.2 P2.1 P2.0 ALE P0.7-P0.0 G 74LS373 地址重叠区16个。

19 1#：0000H—1FFFH，2#：2000H—3FFFH，3#：4000H—5FFFH
补例 同时扩展ROM和RAM 2:4 /Y0 /G译 /Y1 A 码 /Y2 B 器 /Y3 P2.7 P2.6 P2.5 P2.2 … P2.0 ALE P0.0-P0.7 8031 /WR /PSEN/RD G 74LS373 A0-A12 /CE 3#6264 /WE /OE D7-D0 A0-A12 /CE 2#6264 /WE /OE D7-D0 A0-A12 /CE 1#2764 /OE D7-D0 1#：0000H—1FFFH，2#：2000H—3FFFH，3#：4000H—5FFFH