第七章 半导体存储器.

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1 第七章 半导体存储器

2 第七章 半导体存储器 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式 ！单元数庞大 ！输入/输出引脚数目有限 输入/出电路 I/O
第七章 半导体存储器 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式 ！单元数庞大 ！输入/输出引脚数目有限 输入/出电路 I/O 输入/出 控制

3 二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型

4 7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、结构

5 二、举例

6 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm 地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 1

7 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数”

8 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性

9 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同

10 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 写入时，要使用编程器

11 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM）

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14 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM）

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16 三、快闪存储器（Flash Memory）
为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管）

17 7.3 随机存储器RAM 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 一、结构与工作原理

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19 二、SRAM的存储单元 六管N沟道增强型MOS管

20 7.3.2* 动态随机存储器（DRAM） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理

21 7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可
例：用八片1024 x 1位→ 1024 x 8位的RAM

22 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 例：用四片256 x 8位→1024 x 8位 RAM

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27 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 地 址
地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 1 A0~An-1 W0 W(2n-1)

28 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 地 址
地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 1

29 地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 1

30 二、举例

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