组会报告 毕小斌 06/17/2013.

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1 组会报告 毕小斌 06/17/2013

2 氧化物TFT光电探测器研究及其应用 第一章 光电探测器简介 第二章 MgZnO-TFT的制备及其光电性能
第三章 In2MgO4-TFT的制备及其光电性能 第四章 TFT光传感器阵列及其应用 第五章 总结

3 光电探测器简介 一、光电探测器分类 二、光电探测器的性能参数 三、光电探测器的应用

4 光电探测器分类 光电探测器是指利用外光电效应或内光电效应制成的辐射探测器

5 性能参数 一、暗电流即噪声电流 二、响应度R：单位面积上每瓦特的输入光功率产生的输出电流密度。 三、紫外可见光抑制比UV/UIS
四、响应时间 五、噪声等效功率NEP和探测灵敏度D*

6 基于氧化物TFT的光电探测器 宽禁带：日盲探测器 三端器件：栅压可以使暗电流很小，提高信噪比 放大型器件、高迁移率：可以精简外围放大电路
易集成：有源矩阵传感器阵列，

7 MgZnO-TFT的制备及其光电特性 一、MgZnO材料的基本性质 二、MgZnO薄膜性质 三、MgZnO-TFT制备及其电学特性 四、MgZnO-TFT光电特性

8 MgZnO材料特性 ZnO 是一种具有六角纤锌矿结构的直接带隙半导体材料，室温禁带宽度为 3.37 eV；MgO禁带宽度7.8eV，立方晶系

9 磁控溅射制备MgZnO薄膜特性 MgZnO陶瓷靶, RF功率80W MgO:ZnO=0.15:0.85; 0.25:0.75

10 光学透过率

11 主要工艺流程 栅电极：剥离Ti电极 150nm 介质层：Al2O3­ RF功率400W，200nm
沟道：RF功率80W，Ar=50sccm，O2=0,2,4sccm，厚度50nm 源漏电极：剥离Ti 150nm 退火：300℃氮气中退火60min

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13 MZO-TFT Light Light Power=5μW/cm2 Time=60s TFT W/L=100/5 Vd=10V

14 In2MgO4-TFT的制备及其光电特性 一、In2MgO4材料的基本性质 二、In2MgO4薄膜性质 三、In2MgO4-TFT制备及其电学特性 四、In2MgO4-TFT光电特性

15 In2MgO4材料的基本性质 In2MgO4是立方对称尖晶石结构的晶体材料，具有透明导电性质，并且具有比ITO材料更宽的透过波长范围,电阻率最低可达10-3左右。

16 磁控溅射In2MgO4薄膜 In2MgO4陶瓷靶， MgO：In2O3=0.13:0.87

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18 光学透过率

19 主要工艺流程 栅电极：剥离Ti电极 150nm 介质层：Al2O3­ RF功率400W，200nm
沟道：RF功率100W，Ar=50sccm，O2=2,4,6sccm，厚度40nm，Ts=300℃ 源漏电极：剥离Ti 150nm 退火：300℃氮气中退火60min

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21 IMO-TFT Light Light Power=5μW/cm2 Time=60s TFT W/L=100/5 Vd=10V

22 TFT光传感器阵列及其应用

23 下一步工作 TFT光电特性测试：光功率，波长 Mg含量的影响：7% 13% 19%