用于MICROMEGAS的二维读出前端芯片研究进展

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1 用于MICROMEGAS的二维读出前端芯片研究进展
微结构气体探测器MPGD研讨会 2012 用于MICROMEGAS的二维读出前端芯片研究进展 王娜 电子学二组 实验物理中心 Experiment Physics Center

2 主要内容 MICROMEGAS探测器简介 探测器对电子学需求以及芯片性能 读出方案 国内外同类芯片比较 LQTC1.0芯片介绍 芯片结构
芯片设计 芯片仿真结果 工作计划

3 MICROMIGAS简介 MICROMIGAS探测器计数率、位置分辨率要求高
二维读出：X，Y方向的维数分别为nx，ny，以nx=ny=100为例，读出电子学将达到10000路。 需要集成度高的低噪声前端读出ASIC电路

4 探测器对电子学需求以及芯片性能 芯片性能 输入信号范围 2-200fC 噪声 <2000e-（@40pF） 线性
INL<5.5%（修正前，5-120fC） 通道数 16 功耗 <12mW/ch 探测器参数 探测器电容 40pF 探测器电荷 300fC 读出条电荷 5-120fC 噪声 <2000e- 线性 修正后<1% 通道 多通道读出

5 读出方案 电荷灵敏前放加电荷时间转换（QTC）电路 时间和电荷信息同时测量
TOT（Time over Threshold）方法：测量输出脉冲的时间，换算得到入射粒子的电荷量，进而得到入射粒子的能量 功能模块：带线性放电结构的电荷灵敏前放，比较器，LVDS输出驱动，TDC电路 探测方法：脉冲的前沿代表了信号的到达时刻，脉冲的宽度代表了电荷量

6 国内外同类芯片 芯片名称 实验 探测器种类 通道数 成形时间(ns) 噪声 动态范围 (fC) 功耗 mW/ch 抗辐射（Mrad）
采用工艺 （um） APV25 CMS Si strip 128 50 246e-+36e-/pF 20 2.7 10 0.25 CARIOCA LHCb MWPC 8 25 450e-+37.4e-/pF 250 12 1 ToPix PANDA Si pixel 128*4 32*4 104e-(640 pixel cells) 15uW/pix 0.13 CASA GEM strip 16 25-100 60.8e-+28.2e-/pF（25ns） 1500 8.9 0.35 GEMROC BSRF 40-640 200 15 LQTC1.0 MICROMEGAS,strip 1026e-+27.5e-/pF SEU

7 APV25结构 128通道 低噪声电荷灵敏前放

8 CARIOCA结构 Current-mode Amplifier 低噪声

9 ToPix结构

10 LQTC1.0芯片结构 特点 电荷灵敏前放做输入级，低噪声,适于小信号输入 线性放电级无需外加控制，自动放电
模拟输出信号，同时获得电荷和时间信息 输出数字信号直接由FPGA处理 片内集成DAC调节阈值 单通道结构：电荷灵敏前放，线性放电级，甄别器，DAC设置阈值

11 LQTC1.0芯片设计 低噪声 输出电流恢复到输入电流 以 为时间常数到稳态 输入级：电荷灵敏前放 tR时间内， 输出电流 电流增益
以 为时间常数到稳态 Ci = Cd + Cs + Ca

12 LQTC1.0芯片设计 线性放电级 时间-电荷转换 线性放电型TOT 结构和计算方法相对简单 Idis为恒流电流源 Qinj Vth

13 片内8bitDAC 数字调节阈值 输出范围：0.3V - 1.65V INL：＜±0.2LSB DNL：＜±0.2LSB
LQTC1.0芯片设计 片内8bitDAC 数字调节阈值 输出范围：0.3V V INL：＜±0.2LSB DNL：＜±0.2LSB

14 LQTC1.0芯片设计 抗辐照设计：Dice latch和三模冗余 DICE：双互锁单元技术，适用于抗单 粒子翻转的存储单元。
抗单粒子翻转（SEU）：SEU发生任何一个结点只会使相邻的一个结点跟随其发生翻转，而不会影响另外 2个结点存储的数据。 三模冗余技术：时序电路加固技术 对待加固模块生成２个相同的模块 通过多数表决电路输出 有一个模块受辐射影响，电路依然可以正常工作

15 芯片仿真结果—输出波形 5fC-120fC Vth 27.714ns/fC 前沿t1：代表信号到达时刻 时间宽度 输入电荷量

16 芯片仿真结果--输出波形 动态范围可以到达2-200fC 2fC-200fC 阈值

17 芯片仿真结果--噪声性能 噪声性能：@Cdet=40pF<2000e- 零电容噪声：1026.3e- 噪声斜率：27.494e-
3-123fC 阈值：1.4fC INL<5.6%

18 芯片仿真结果-线性性能 输入范围： 5-120fC 阈值：0.8fC 线性拟合 INL<5.5%

19 芯片仿真结果--时间特性 时间游动 时间晃动 阈值0.8fC 动态范围，5-120fC 输入范围5-120fC 阈值0.8fC

20 谢谢！ 时间计划 16通道，第一版，时间和电荷的同时测量，2013年1月流片 32通道，第二版，修正第一版存在的问题，计划2013年7月流片
32通道，第三版，参数优化，定型，计划2013年年底流片 谢谢！