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双层金属阳极氧化实验 岳仑仑
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金属生长条件 阳极氧化过程 XRD测试 SEM测试 EDS 下一阶段试验
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金属生长条件 Zn:RF 40W 0.5Pa 生长速率:32nm/min Al: DC 50W 0.2Pa 生长速率:26nm/min 样品
100 70 50 45 样品 C3 A4 C4 A3 Zn厚度 50nm 30nm 10nm 0nm Al厚度 100
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阳极氧化过程 不同厚度的Al的阳极氧化过程 样品 C3 C10 C9 A1 Zn厚度 50nm Al厚度 100 70 50 45
电压突变电压/V 33.2 30 9.0 突变时间/min 29 17.5 11
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不同厚度的Zn的阳极氧化过程 样品 C3 A4 C4 A3 Zn厚度 50nm 30nm 10nm 0nm Al厚度 100
电压突变电压/V 33.2 40 77.8 70 突变时间/min 29 32 36.5 54.0
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XRD测试
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SEM测试 C C10
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C11 C12
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EDS 元素 重量 原子 百分比 Al /K 91.27 96.20 Zn /K 8.73 3.80
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从EDS 的结果上分析:含有的Zn含量非常的少,这可能因为Zn在阳极氧化中被溶解。
从截面上来看,效果并不理想,但厚度上来分析,这个会有两种情况1、生成的氧化铝并不致密,造成厚度较厚 2、有部分的ZnO掺入其中造成较厚,但后者与EDS分析结果不服。
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从阳极氧化的数据上来分析:我们可以确定,Zn的存在一定对Al的阳极氧化产生了较大的影响,但具体的机制并不清晰。
在氧化铝介质钝化层界面很有可能产生AZO层,但是底层还是有可能产生ZnO层,这样形成的ZnO和非统一的AZO层,这对于器件特性会有影响。
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下一阶段试验 制作良好的截面,观测截面分层情况。 将会制作简单的TFT器件,观测是否有一定的性能。 研究Zn的存在对于Al阳极氧化的影响机制
通过一定温度的退火使得ZnO(如果含有ZnO层)结晶,暂定温度为250℃,此时氧化铝并不会结晶,但是ZnO很有可能结晶,通过此方法可能方便观测SEM界面。
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Al 氧化层 二氧化硅 Al Grass
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