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MOS场效应管工作原理 及特性曲线(1) 西电丝绸之路云课堂 孙肖子
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绝缘栅场效应管(IGFET) 绝缘栅场效应管的结构、类型及符号
绝缘栅场效应管由金属-氧化物-半导体构成(Metal-Oxide-Semiconductor)，故又简称为MOSFET。导电沟道平行于表面。且栅极与沟道是绝缘的,栅极电流为零 iG=0。
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MOS管类型及符号
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N沟道增强型MOS管 一. 栅源电压UGS对导电沟道的控制作用(UDS = 0) 衬底与源极相连, 沟道与衬底有PN 结隔离,无纵向电 流！ UGS >0，产生向下电场。排斥空穴,吸引电子, 在表面形成反型层, UGS增大,反型层扩大,直至将两个N区连通,形成了导电沟道,该电压称为开启电压UGSth。 UGS >UGSth 沟道随UGS增大均匀展宽。 可见，UGS大于开启电压后，对沟道的控制作用与JFET相同， 即可使沟道均匀地变宽变窄。
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二. 漏源电压UDS对导电沟道的控制作用(UGS>UGSth)
UDS≥0，漏端UGD降低，电场减弱。沟道不均匀变窄而倾斜。 UDS增大到 UDS=UGS－UGSth 沟道被预夹断。随后UDS增大 沟道基本不变。 可见，UDS对导电沟道的控制作用，也与JFET相同，即可使沟道不均匀地变窄，直到予夹断为止。
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MOS场效应管工作原理及特性曲线(1) 谢谢收看和听讲, 欢迎下次再相见! <<西电丝路云课堂>>
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