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阳极氧化近期实验计划
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改变阳极氧化电流密度对ZnO薄膜特性的影响
编号 氧化电压 氧化电流mA/cm2 溶液 薄膜特性表征 X11 30V 0.05 0.025M 五硼酸铵 电学测试 方块电阻/霍尔测试仪 X12 0.075 光学测试 透过率测试 X13 0.1 其他 台阶厚度 X14 0.2 SEM/XRD/XPS
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改变阳极氧化电压对ZnO薄膜特性的影响 编号 氧化电流mA/cm2 氧化电压 溶液 薄膜特性表征 X21 0.05？ 3 0.025M
五硼酸铵 电学测试 方块电阻/霍尔测试仪 X22 5 光学测试 透过率测试 X23 15 其他 台阶厚度 X24 30 SEM/XRD/XPS 溶液 PH ND/1020cm-3 0.15M Na2B4O7+0.3MH3BO4 8.4 1.3 [1] 0.1M 硼酸盐 8.9 2.3 [2] [1] 1989 Electrochimica Acta “Investigations of the semiconductor properties of anodically formed passive layers on Zn and of ZnO single crystals in different aqueous electrolytes by EIS” [2]1991 Electrochimica Acta “Characterization of passive films on zinc electrodes by impedance measurements and XPS “
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改变阳极氧化电压对ZnO薄膜特性的影响 ——同时考虑进行O2退火处理
编号 氧化电流 氧化电压 退火处理 溶液 薄膜特性表征 X21 0.05？ mA/cm2 3 无 0.025M 五硼酸铵 电学测试 方块电阻/霍尔测试仪 200 O2 300 O2 X22 5 光学测试 透过率测试 X23 15 其他 台阶仪测试 X24 30 SEM/XRD/XPS X25 （未进行阳极氧化处理的Zn） ——
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通过阳极氧化的方法制备ZnO-TFT器件
意义： 采用阳极氧化选择性处理沟道区金属，使其成为高阻的金属氧化物，未处理的金属则作为源漏，无需再加另外的源漏工艺步骤，利用该方法制备TFT从未有人报道过。 利用该方法可以延伸到双层金属的阳极氧化，使得上层金属氧化物作为钝化层，而下层金属氧化物作为有源层，从而同时实现器件沟道区，源漏区，钝化层的制备。
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改变阳极氧化电压对TFT特性的影响 ——同时考虑进行O2退火处理
编号 氧化电流 氧化电压 溶液 退火处理 特性表征 Y21 0.05？ mA/cm2 3 0.025M 五硼酸铵 无 TFT电学性能测试 200 O2 300 O2 Y22 5 Y23 15 Y24 30
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改变阳极氧化电流密度对TFT特性的影响 编号 氧化电压 氧化电流 溶液 退火处理 特性表征 Y11 30V 0.05 0.025M 五硼酸铵
？ TFT电学性能表征 Y12 0.075 Y13 0.1 Y14 0.2
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