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ITO-TFT 第二次尝试
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流程 DC 60 W， Ar/O2=40:1 sccm，1.3 Pa，3.5 minutes，托盘转动，厚度约10 nm。HCl 刻蚀2min，后烘干，测试 ITO 曝光显影，溅射源漏ITO DC 60 W， Ar/O2=40:1 sccm，0.5 Pa，5 min 约150nm 方阻约40 Lift-off，形成源漏， 放置1天后再测试
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测试结果 Gate 测得无SD ITO时，器件在小VD下有IDVG特性 高VD下IDVG几乎看不到 Active
完成有源区后，烘干5min，测试 W/L=100/20 um VD=10.1V 迁移率40~55 VD=5.1V VD=0.1V 多次扫描
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测试结果 Gate 测得所有有SD ITO的器件IDVG都是直线 对应的电流要比不加栅压，直接源漏加电压的值稍微小 SD ITO
VD=10.1V ACTIVE VD=5.1V W/L=100/100 um 完成源漏和放置一天后测量都是直线 VD=0.1V
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测试结果 Gate 有一些L很小的器件无SD ITO 放置一天后，IDVG比较正常 Active VD=10.1V W/L=100/4 um
迁移率< 10 VD=0.1V
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测试结果-IDVD VG=6 V W/L=100/4 um VG=4 V VG=2 V
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测试结果-IDVD W/L=100/4 um VG=10 V VG=8 V VG=6 V
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测试结果-快慢扫描 W/L=100/4 um VD=0.1V Long Short Medium
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计划 用光刻胶做钝化，先看一下什么样的效果 Hard bake时间30min，充分去除水汽
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