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不同氧化电压的影响 不同氧化电流密度的影响 器件制备工艺流程 器件制备中出现的问题 下一阶段实验规划
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不同氧化电压的影响 不同的电压，研究在不同的氧化阶段氧化膜产生的变化。 样品 Zn厚度 氧化电压 电流密度 氧化后 厚度 A13 50 2
0.1 53 A14 3 A15 5 52 A16 15 76-35
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不同氧化电压的影响 2V 3V 5V 15V
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SEM 图像分析： 在电压的刚开始的上升区，氧化作用使得表面粗糙度增加。原因是：？？表面逐渐氧化
电压平缓区：时间增加和电压缓慢增加，使得氧化充分的进行，并且结晶状况逐渐改善。 原因：在一定的电场作用下，氧化不断完善，在此过程中，氧化的完善使得更多的ZnO结晶形成多晶，电压缓慢上升变化不大的原因是前期氧化中，还有大量的Zn没有被氧化，使得加上电场的强度并不是很大，缓慢上升是因为形成的ZnO一定的电压落在了形成的多晶ZnO上。Zn的氧化过程中是一个逐渐完善的氧化过程，不是一个随着电压增大氧化厚度增加的过程。但电压的增大能明显的完善ZnO的结晶。
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0.05mA V/min 0.07mA V/min 0.1mA V/min 0.12mA V/min 选取的平缓区电压范围：2.7V~4.7V 分析：
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不同氧化电流密度的影响 样品 氧化电流密度 上部电阻率 下部电阻率 A17 0.05 0.75 300 A18 0.07 0.28 35
0.1 0.057 199 A20 0.12 6.8E-3 34 A1 0.3 1.1E-3 3.7E-3 A6 0.5 5.2E-3 8.2E-3 A8 0.7 1.8E-3 3.4E-2
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从实验测试的结果上来分析： 随着电流密度的增加，结晶程度首先有个上升的过程，而且晶粒的大小增加 随着电流密度的增加，氧化薄膜结构的均匀性变差，上下部差异增加。 随着电流密度增加到0.3mA/cm2，此后晶粒大小几乎不发生变化 原因：在氧空位的填补过程中，由于电压平缓区持续的时间足够长，使得氧化膜的结构在氧化过程中得到了调整。这一点从不同的电压的实验就过上可以观察得到。
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器件制备工艺流程 Zn ZnO SiO2 Mo Glass
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出现的问题 2英寸的片子周围一圈区域，在生长SiO2过程总，没有生长SiO2，在图形化氧化上层Zn形成有源层的过程中，出现边缘导电，电压不上升，只有在边缘区域完全氧化之后，电压才会上升。
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Zn ZnO Al2O3 Al Glass
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器件制备中出现的问题 氧化的均匀性问题 腐蚀的问题 由于实际在腐蚀过程中，ZnO 和Zn腐蚀过快，而且ZnO更为敏感。
解决方法：采用更稀的HCl，1:1000的HCl 单膜测试：Zn的腐蚀速率：34nm/min ZnO的腐蚀速率：43nm/min 氧化的均匀性问题 氧化中，发现中部的氧化区域容易未氧化完全。过小和过大的氧化电流密度都产生部分区域氧化不充分的现象。但合适的电流密度则会改善这种问题。
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0.07mA/cm2
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负胶图形化氧化之后的图形 PR1—2000对于Zn和ZnO的严重腐蚀作用 在旋涂正胶的时候，正胶直接腐蚀Zn和ZnO，而且腐蚀较为严重。
解决方法：采用另外一种正胶 负胶图形化氧化之后的图形
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旋涂正胶之后的图形
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腐蚀去胶之后的图形
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氧化图形的线宽问题 通过测试发现，宽度为2um,8um.10um,12um,20um,30um,40um,50um,80um,100um的线宽统一的增加了15um 出现的原因：1、过氧化的问题 2、正胶的腐蚀作用 解决方法：光刻之后氧化之前将胶后烘一下
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下一阶段实验规划 制备的器件进行性能测试
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