한국삼성의s3c44b0x Korean SAMSUNG s3c44b0x 韩国三星的s3c44b0x ——131220158 岳瀚
소개（introduction）： S3C44B0X 是Samsung（三星）公司的16/32位RISC处理器，内含一个由ARM公司 设计的16/32位ARM7TDMI RISC内核，也是ARM7系列中使用最广泛的一种内核 T：表示支持16为压缩指令集Thumb； D：表示支持片上Debug； M：内嵌硬件乘法器（Multiplier）； I： 嵌入式ICE，支持片上断点和调试点），
자원(resources) ARM7TDMI 内核 8KB 的 cache 外部存储器控制器 LCD 控制器 带专用DMA的LCD 控制器 两个通用的DMA通道，两个带外部请求的外围DMA通道 5个通道PWM定时器和一个内部定时器 看门狗定时器 71位的通用I/O接口 8个外部中断源 8通道的10位ADC 带日立功能的实时时钟 35 7/28 党员人数 3人 本学年推优入党团员数 2人 学分绩：大二学年有三人列大班学分绩前十名 多人获得国家奖学金，企业高额奖学金和人民奖学金 积极参与志愿活动 系图书馆 7/26
기능(function) 电源管理支持 系统管理功能 Cache和内部存储器功能 中断控制器 时钟和电源管理功能 定时器功能 DMA 控制器 通用输入输出功能 35 7/28 党员人数 3人 本学年推优入党团员数 2人 学分绩：大二学年有三人列大班学分绩前十名 多人获得国家奖学金，企业高额奖学金和人民奖学金 积极参与志愿活动 系图书馆 7/26
플래쉬 메모리의 우세(Advantages in flash) S3C44B0X其外部可扩充SDRAM、ROM、Flash等存储器。介绍一种针对S3C44BOX微处理器外挂的FLASH存储器的文件系统的设计与实现过程。在对文件的读写过程中，采用SDRAM作为缓冲区，提高读写速度，避免对Flash的频繁操作，从而延长Flash的使用寿命。 플래쉬 메모리의 우세(Advantages in flash)
특성（characteristic） 供电：内核2.5V ,I/O 3.0V-3.6V 频率：最高 66 MHZ 封装：160LQFP /160 FPGA
인터페이스 （Interface）
인터페이스 （Interface）
신호（signal）：버스（总线） 班级篮球赛 目的：号召同学积极参与运动；增强班级凝聚力 范围：全年级 团结其他班级 11 신호（signal）：버스（总线） 班级篮球赛 目的：号召同学积极参与运动；增强班级凝聚力 范围：全年级 团结其他班级 水平高：裁判水平（执法过院系杯比赛，有国家认定的裁判资格证书），有计时、记分员 影响力大：观看比赛的同学，各年级同学有人观看（如14级女篮队员），黄书剑老师来观看
신호（signal）： DRAM SRAM SDRAM 团结其他班级
신호（signal）： LCD Timer/PMW 03 중단（中断）
신호（signal）： 复位和时钟 02 GPIO 03 DMA
응용(application) 根据S3C44B0X的功能和资源就可以知道它的应用场合非常广泛，可以用在工业控制与测量方面，做成嵌入式工控与测量系统。也可以用于网络应用、无线通讯、数码相机与智能成像、智能信息安全卡应用、数字机顶盒与播放器等方面。 GPS 电话 PDA（个人数字处理） Fish Finder 掌上游戏机 指纹识别系统 MP3播放机 终端汽车导航系统 TWM（Two Way messaging ） 실례: 奖项 2015年秋季运动会 苏少波4*400米 2015程序设计竞赛 1个一等奖，2个二等奖，2个三等奖 2015全国大学生数学建模竞赛 有两人组队获一等奖
고마워요！