大面积薄型THGEM的研制,性能研究及其应用 陈石、刘宏邦 中国科学院研究生院
Outline 大面积THGEM的研制。 较薄THGEM的性能研究。 较薄THGEM用于同步辐射X射线探测 一维弧形无像差X射线衍射仪 同步X射线监测仪(ASIC 64路)
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THGEM Typical parameters: Thickness t = 0.4 - 3 mm 2004 由 A. Breskin 等人发明 采用标准PCB生产工艺制作 Cu G-10 Typical parameters: Thickness t = 0.4 - 3 mm Hole diameter d = 0.3 - 1 mm Pitch a = 0.7- 7 mm Chechik et al. NIM A535 (2004) 303 易于制造维护、清洁要求较GEM低、级联使用方便、相对价廉等优点 THGEM在亚mm空间分辨的粒子径迹测量上有极大的优势 在未来加速器对撞机升级中,THGEM可应用于LHC的μ子探测器升级,ILC的取样型量能器; 用于双相暗物质探测器液氙LXe闪烁光探测; 用于单光子成像,例如:环形成像切伦科夫探测器(RICH); 用于中等分辨率、快速(ns)的X射线和中子成像等。
1.1 大面积THGEM的研制 标准 PCB 工艺 整版微蚀技术 解决了THGEM大面积制作工艺问题 Drilling Globe etching (micro etching) No holes in this area Drilling 5~10µm rim 解决了THGEM大面积制作工艺问题 经过多次尝试发现,由于光刻掩膜定位精度要求较高,导致工艺稳定性不佳,不宜大面积制作
采用整版微蚀技术制作的大面积THGEM (图左) 深圳PCB工厂制作的THGEM (右图) 采用 标准PCB工艺 30×30cm 5×5cm 10×10cm 20×20cm 采用整版微蚀技术制作的大面积THGEM (图左) 与航天二院合作开发的30×30cm2THGEM 205,000 holes ~4 days drilling 上图,与高能所量能器组合作,由章爱武等制作的20×20cm2THGEM Small rim 5~10 µm
THGEM 结构参数优化 (厚度和孔径) THGEM的结构参数包括板厚、孔径、边缘rim和孔间距 为了保证实验条件的一致(相同的制作工艺,相同的工作气体环境) 四种独立的THGEM制作在同一块PCB板上(图下) 孔径分别为300µm,400µm,500µm和600µm,其它结构参数相同 制作了两种板厚(0.5mm和1.0mm)的THGEM d=400 µm 300 µm 500 µm 600 µm 3cm×4cm 有效探测面积
THGEM 结构参数优化 (厚度和孔径) 较薄THGEM可以在较低的电压下工作 孔径较小的THGEM可以在较低的电压下工作 低的工作电压减少了因钻孔缺陷,铜边缘毛刺,FR4基板电极化等原因引起的等放电 因此,优化的THGEM应选择较薄的板厚和较小的孔径 t=0.5mm t=1.0mm Gain curves with 5.9 keV X-rays.
THGEM 结构参数优化 (边缘rim) 0.4mm 1.0mm 0.2mm 0.5mm 21个小时的增益稳定性测量 14个小时的增益稳定性测量 开始工作时,小rim(5~10µm)的THGEM很快达到稳定,100µm rim的THGEM则需要几个小时 因此, 小rim的THGEM具有较好的工作稳定性
已经搭建30×30cm2 THGEM的性能检测平台(图右)
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薄型THGEM的性能研究 右图,厚度t = 0.2 mm, 孔径d = 0.2 mm,孔间距a = 0.5 mm,边缘rim=5~10µm的薄型THGEM 下图, 有效面积5x5cm2 的薄型THGEM探测器腔室 0.2mm 0.5mm 薄型THGEM的优点 在获得同样增益的条件下,工作电压比较低 厚度较薄,可用于中子或同步辐射束流监测 容易弯曲,可用于一维无像差X射线衍射成像 增益和能量分辨、稳定性、均匀性是衡量探测器性能的重要指标
气体增益研究 混合气中iC4H10的含量越少,达到相同增益所需的电压越低 在 Ne 混合气中, 增益达到 3x104以上 Ne/CH4(5%) Ar 100% Ar/iC4H10(5%) 混合气中iC4H10的含量越少,达到相同增益所需的电压越低 在 Ne 混合气中, 增益达到 3x104以上 在纯氩中,THGEM的增益仍然能够达到103 结论: 薄型THGEM有比较高的增益,单层就可以与三层标准GEM相当 可以满足大部分探测器应用 不同气体中薄型THGEM的增益曲线 CERN的单层 THGEM在 Ne 混合气中增益 5x104
55Fe能谱能量分辨研究 Ar/5%Xe 1 bar Energy resolution 15.9% @ Gain = 3700 Ar/iC4H10(97/3) Result from A. Breskin 2011/11/15
增益均匀性研究 影响THGEM增益均匀性的因素有 : PCB打孔的均匀性,与更换钻头的频率有关。 腐蚀均匀性,与腐蚀工艺过程控制有关。
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平面型气体探测器像差(Parallax error)示意图, THGEM同步辐射X射线探测 粉末晶体的X射线衍射线空间方位与晶体结构相关 17 X-ray energy:8.05keV,13.9 keV photons/s:>1x1011 @ 8.05keV BSRF 漫散射实验站 平面型气体探测器像差(Parallax error)示意图, s. d. Pinto NSS/MIC, 2009 IEEE 17
一维弧形无像差X射线衍射仪 设计指标: 半径: 20cm 读出条: 320路 条宽: 0.4mm 条间距: 0.5mm 接收角度 48° 0.2 mm 厚度的薄型THGEM 易于弯曲 设计指标: 半径: 20cm 读出条: 320路 条宽: 0.4mm 条间距: 0.5mm 接收角度 48° 角分辨 0.2° 18
X光管 (Mo target 17 keV) 采样频率可达 1-3kHz 读出电流范围 0.1nA- 100nA 弧形腔室 advantage: parallax error free 准直器 1mm width X光管 (Mo target 17 keV) DDC232 32路直流读出板 1-3 kHz data rate 32 Channel Current-Input 20-bit ADC 采样频率可达 1-3kHz 读出电流范围 0.1nA- 100nA
空间分辨率: σ~0.5pitch ~0.25mm X光机 (Cu target 8 keV) 10^8 光子/s 弧形腔室 准直器 0.5mm width 弧形腔室 advantage: parallax error free 空间分辨率: σ~0.5pitch ~0.25mm X光机 (Cu target 8 keV) 10^8 光子/s
X射线二维成像初步研究(16路) 试验用射线源为漫散射组直流 X-ray 管装置(17 keV 钼靶)、 连续曝光时间最长 5 秒 16路直流读出 21
使用有12mm小孔的铅挡板,从左向右每次移动5mm 十字成像 图(7)左:铝板位置示意图 右:多路读出成像,颜色越浅表示该路上电流读数越大 22
同步X射线监测仪(ASIC 64路) 有效探测面积3×3cm 测试使用CERN And RIO Current mode Amplifier (CARIOCA)芯片。每片八路,共64路,包括前放,整型,甄别,差分并行输出。其取数率可达1MHz。 探测器和电子学组装完毕,待测。 ~(62mm X 68 mm)
经费使用情况 下步拟开展的工作 目前经费已没有结余 主要用于THGEM及腔室加工,电子学读出板加工,实验材料购买。 完成30×30cm2 THGEM的性能检测平台 完成同步X射线探测器的应用
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