Confidential 3/4/5串用锂电保护IC R5432的介绍 2011年7月4日 株式会社リコー 電子デバイスカンパニー.

Slides:



Advertisements
Similar presentations
海洋教育:教科書、教師與教學 第七至十章導讀 宏仁國中 林珮瑜
Advertisements

如何準備社工師考試 講 師:張雅惠 社工師 演講日期:
物理3-5选修模块.
Proprietary and Confidential
一寸光阴一寸金 寸金难买寸光阴 时间.
2011年高考考前指导(物理) 报告人:詹道友 (合肥八中).
第三章 语音.
多元入學與國中生生涯規劃 石碇高中 簡燕雪 教育部多元入學宣導種子 教育部基測寫作宣導專員
新人教版初中物理九年级下 多档位电热器的电路分析与判断 夏湾中学 孙玥.
考勤制度(辅助岗位版) 作者:侯建伟 日期:2009年12月 考勤管理规定 讲师:贾 芳 2008年5月.
易能全数字移动电源SOC芯片 移动电源终极方案 苏州易能微电子科技有限公司 CEO 吴钰淳.
尋找春天的詩蹤 世界書香日全國推廣閱讀記者會
學習共同體實施心得分享 新泰國中 報告者 張國振校長.
PR6234 5W适配器设计方案 洪生:
EE141 脉冲电路3 刘鹏 浙江大学信息与电子工程学院 May 25, 2017.
數位邏輯與電子學 陳鍾誠 2005年5月16日.
實驗十三 接面場效電晶體特性(JFET) 實驗目的 學習量測並描繪接面場效電晶體(JFET)的汲極特性曲線。
EE141 脉冲电路3 刘鹏 浙江大学信息与电子工程学院 May 25, 2017.
KIP+L110E02C2-01 (例) 彩电研发中心电源所 张华水
Buffer优化 秦家军 2014/11/4.
第2期 第1讲 电源设计 电子科技大学.
雅欣控制技术 谭小姐 QQ FP6276设计指南.
现代电子技术实验 4.11 RC带通滤波器的设计与测试.
关于PCF8591 MCU起航 QQ:
乐驾-车载无线终端-CARRO 产品类型:车载无线路由器 建议零售价格:¥599 江苏鸿信
半导体 集成电路 学校:西安理工大学 院系:自动化学院电子工程系 专业:电子、微电 时间:秋季学期.
实验四 组合逻辑电路的设计与测试 一.实验目的 1.掌握组合逻辑电路的设计 方法 2.学会对组合逻辑电路的测 试方法.
EE141 脉冲电路3 刘鹏 浙江大学信息与电子工程学院 May 29, 2018.
Lozen Technology Inc 菱奇半导体有限公司 无频闪解决方案.
实验六 积分器、微分器.
第十三章 电功和电功率 一、电能和电功 第二课时
第二章(2) 电路定理 主要内容: 1. 迭加定理和线性定理 2. 替代定理 3. 戴维南定理和诺顿定理 4. 最大功率传输定理
第一章 半导体材料及二极管.
第二章 双极型晶体三极管(BJT).
动名词(续2).
“描绘小灯泡的伏安特性曲线”实验中电路图的设计
安捷伦Agilent 3458A 八位半高精度万用表
第6章 第6章 直流稳压电源 概述 6.1 单相桥式整流电路 6.2 滤波电路 6.3 串联型稳压电路 上页 下页 返回.
第7章 集成运算放大电路 7.1 概述 7.4 集成运算放大器.
第四章 MCS-51定时器/计数器 一、定时器结构 1.定时器结构框图
10.2 串联反馈式稳压电路 稳压电源质量指标 串联反馈式稳压电路工作原理 三端集成稳压器
集成运算放大器 CF101 CF702 CF709 CF741 CF748 CF324 CF358 OP07 CF3130 CF347
BP3309 系统应用介绍 /4/20 Confidential
第三章:恒定电流 第4节 串联电路与并联电路.
Three stability circuits analysis with TINA-TI
低温锂离子电池应用介绍.
分词(一).
第 8 章 直流稳压电源 8.1 概述 8.2 稳压管稳压电路 8.3 具有放大环节的串联型稳压电路 8.4 稳压电路的质量指标.
中国科学院“核探测技术与核电子学”重点实验室
集成与非门在脉冲电路中的应用 实验目的 1. 了解集成与非门在脉冲电路中 的某些应用及其原理。 2. 学习用示波器观测波形参数与
HSC高速输出例程 HORNER APG.
电路原理教程 (远程教学课件) 浙江大学电气工程学院.
四 电动机.
实验一 单级放大电路 一、 实验内容 1. 熟悉电子元件及实验箱 2. 掌握放大器静态工作点模拟电路调试方法及对放大器性能的影响
实验二 基尔霍夫定律 510实验室 韩春玲.
信号发生电路 -非正弦波发生电路.
第四章 MOSFET及其放大电路.
AC-DC 产品IC介绍 2015 电源管理IC事业部.
FH实验中电子能量分布的测定 乐永康,陈亮 2008年10月7日.
13.5 怎样认识和测量电压.
ITO-TFT 第二次尝试
电工电子技术实验 电工电子教学部.
上节复习(11.7) 1、定时/计数器的基本原理? 2、定时/计数器的结构组成? 3、定时/计数器的控制关系?
第12章 555定时器及其应用 一. 555定时器的结构及工作原理 1. 分压器:由三个等值电阻构成
西华大学《模拟电子技术》示范课 主讲:胡秋宇 杨清 序号:71 60 组号:13 一八年十二月制
课程小制作 ——三极管分压式共射极放大电路
工业机器人入门使用教程 ESTUN机器人 主讲人:李老师
在我们生活中,哪些地方用到了电?.
Lozen Technology Inc 菱奇半导体有限公司 无频闪解决方案.
9.6.2 互补对称放大电路 1. 无输出变压器(OTL)的互补对称放大电路 +UCC
Presentation transcript:

Confidential 3/4/5串用锂电保护IC R5432的介绍 2011年7月4日 株式会社リコー 電子デバイスカンパニー

Confidential ■产品概要 ・使用高耐压30V工艺 ・耗电 12uA (Typ) ・检测功能  ・检测功能    过充电检测、过放电检测、放电过电流检测1,2、短路检测、    充电过电流检测 放电过电流1,2 、充电过电流、短路检测都可以通过外接可调电阻调节。  ・延迟时间    过充电检测延时、短路检测延时、充电过电流检测延时内置。    過放電検出遅延、放電過電流検出遅延1,2は外付けCで設定  ・0V充电可能  ・追加了级联功能  ・追加了均衡功能  ・追加了短线检测功能  ・封装:SSOP24

Confidential ■外接电路图 ・5串时

Confidential ■外接电路图 ・10串时 ・上侧IC的Cout与下侧IC的CTLC连接、 下侧IC的VDD处追加下拉电阻。 ・上侧IC的Dout与下侧IC的CTLD连接

Confidential ■外接电路图 ・齐纳二极管的必要性  ・齐纳二极管的必要性 由于短路等原因大电流流过之后,一旦短路电流停止,加载在IC的电压会上升到峰值→为了不使IC处于过电压状态,使用齐纳二极管来提高可靠性。

Confidential ■外接电路图 ・齐纳二极管的效果 没有齐纳二极管 追加齐纳二极管后   ・齐纳二极管的效果 没有齐纳二极管             追加齐纳二极管后 由于追加了齐纳二极管,Dout在关闭瞬间能抑制电池的峰值电压。

Confidential ■检测电压的设定范围和精度 过冲检测电压/ 均衡电压 过冲恢复电压/ 均衡恢复电压 过放检测电压 过放恢复电压 3.6V~4.5V /3.45V~4.45V 5mV步进 ±25mV 检测电压-0.1V~0.4V /检测电压-0.0V~0.4V 50mV步进 ±50mV 2.0V~3.0V 5mV步进 ±2.5% VDET2n+0.2V~0.7V 100mV步进 ±2.5% 放电过电流1 放电过电流2 短路 充电过电流 0.05V~0.3V 0.010V步进±20mV 0.6V ±100mV 1.0V VSS-0.05V±30mV VSS-0.1V ±30mV VSS-0.2V ±30mV VSS-0.4V ±40mV

Confidential ■延时时间 过冲检测 延时时间 过放检测 延时时间 放电过电流1 检测延时时间 放电过电流2 短路 充电过电流 过冲检测 延时时间 过放检测 延时时间 放电过电流1 检测延时时间 放电过电流2 短路 充电过电流 1.0s 外接电容设定 300us 8ms

■外接电容调节过放检测延时、放电过电流检测延时 Confidential ■外接电容调节过放检测延时、放电过电流检测延时 延时版本 过放电检测 延时时间(ms) 放电过电流检测 延时时间1(ms) 延时时间2(ms) A (研发中) CT1(nF)×1.85V/0.50uA CT1=330nF时、1.2s CT2(nF)×1.55V/0.50uA CT2=330nF时、1.0s tVDET31/100 CT2=330nF时、10ms B (量产中) CT1=33nF时、128ms CT2(nF)×1.5V/0.50uA CT2=3.3nF时、10.7ms tVDET31/6 CT2=3.3nF时、1.8ms ・内部电路 ・外接电路

Confidential ■通过可调电阻调节过电流检测 ・放电过电流1(A) = 放电过电流检测电压1(V) / Rsens(Ω) ・内部电路 ・外围电路

Confidential ■通过可调电阻调节过电流检测(例) ・放电过电流1(A) = 0.2(V) / 50m(Ω) = 4A ・内部电路 ・外围电路 1.0V 0.2V 0.6V -0.2V 50mW

Confidential ■放电过电流工作 ・通常状态 ・放电过电流检测时 ①连接大负载 ②ON ②ON->OFF PACK-  ・通常状态   ・放电过电流检测时 ①连接大负载 ②ON ②ON->OFF PACK- PACK- ①OFF ③OFF→ON

Confidential ■放电过电流动作 ・放电过电流恢复时 ・移除负载的话,因为③的MOS管处于ON的状态,PACK-的电位会被拉到与VSS一致。 ・PACK-的变化会由VMP检出,然后放电过电流恢复。 ・同时会恢复到通常状态。 PACK+ ①移除负载 ・VMP脚位的内部电路 ②OFF VSS PACK- ③ON 虽然④会被Pack+拉高电位,但是由于移除了负载会被拉到与VSS一致的电位。

Confidential ■放电过电流恢复动作 ・关于放电过电流恢复电压 放电过电流・短路检测时原则上 Cout = H (VDD)输出 当检测出放电过电流,移除负载之后的VVMP会变成VDD-VSS电压在RCO1, RCO2和RDRAIN上的分压值。因此 VVMP = VDD×RDRAIN / (RCO1 + RCO2 + RDRAIN) VVMP < VDET3×0.5 (=min VREL3) 时,放电过电流恢复 选择RDRAIN, RCO1, RCO2的阻抗值时,请注意要使VVMP小于min VREL3。 Cout = H输出(VDD) VSS PACK- ON

级联后会有加载Pack+电压(大于VDD电压)现象。 Confidential ■放电过电流恢复用MOSFET ・外接的理由 当接连的时候,过放电检出后Pack+与Pack-之间有负载的话,放电过电流恢复用MOSFET的Drain(漏极)会上升到与Pack+一样的电压。 →MOSFET内置的话,IC的耐压程度只能对应两个IC的级联。   ・连接位置 如果与Pack-直接连接的话,一个MOSFET的情况下即使はCout=OFF时,也会有充电电流流过Body-diode。 VSS PACK- 级联后会有加载Pack+电压(大于VDD电压)现象。

Confidential ■均衡功能 ・CELL1的均衡动作 CELL1电压 CB1输出电压 Bypass(旁路)電流 均衡电压以上 High(VC1) Level CELL1电压 / RCB1 均衡电压未满 Low(VC2) Level 0A 阻抗 旁路电流

Confidential ■均衡功能(评价电路) ・均衡电压=4.15V ・均衡恢复电压=3.95V 充电开始时电压

Confidential ■均衡功能(评价结果) ・4串电芯充电时的均衡动作范例 CELL2到达均衡电压 CELL1到达均衡电压 电压 开始充电 CELL1 CELL2 CELL3 CELL4 时间

Confidential ■均衡功能 ・旁路电流的设定 ①全部电芯电压都大于均衡电压时,全部的MOSFET都会打开。根据电流值的大小会有无法充电的现象。所以请以下面的标准设定旁路电流。  旁路电流 < 充电电流 ②旁路电流很小的话,均衡时间会很长。 ③旁路电流太大的话,容易对电池的内阻产生影响。

Confidential ■级联功能   ・以下图的方式连接可以对应6串以上应用。

Confidential ■级联功能 有两个阈值 ・CTLC(CTLD)的阈值 ①常规动作・・・级联时上侧IC的Cout(Dout)=H信号 VDD2 ①常规动作・・・级联时上侧IC的Cout(Dout)=H信号 VDD+2.0V ②Cout(Dout) = Low信号 有两个阈值 VDD VDD-0.5V ③常规动作・・・使用一个IC不需要CTLC/CTLD控制时请与VSS短路。 VSS

Confidential ■级联功能(常规状态时的传输理论) ・常规状态的原理 ・下侧IC的CTLD输入电压 DOUT=High=VDD2 VDD+2.0V VDD-0.5V VSS VDD2 DOUT=High=VDD2 给下侧IC的CTLD脚输入VDD2时 由于上侧IC的存在不会因为外接MOSFET而强制关闭。 ①常规动作 ②外接MOSFET强制关闭 CTLD=VDD2 ③常规动作 外接MOSFET

Confidential ■级联功能(过放电状态的传输理论) ・上侧IC过放电状态时的原理 ・下侧IC的CTLD输入电压 VDD VDD+2.0V VDD-0.5V VSS VDD2 给下侧IC的CTLD输入VDD电压时由于上侧IC的存在、外接MOSFE会强制关闭。 DOUT=Low=VDD ①通常動作 ②外接MOSFET强制关闭 CTLD=VDD ③通常動作 外接MOSFET

Confidential ■级联功能(使用1个IC时) ・不需要级联时 下侧IC的CTLD输入电压 因为给CTLD输入VSS电压 VDD VDD+2.0V VDD-0.5V VSS VDD2 因为给CTLD输入VSS电压 所以外接MOSFET不会强制关闭。 ①常规动作 ②外接MOSFET强制关闭 CTLD=VSS ③常规动作 外接MOSFET

Confidential ■级联功能 VDD2 VDD1 ・级联时的动作(常规状态) 由于Pack- 电压 小于下侧ICVDD电压,即使级联时上侧IC的加载电压也只有CTLC/CTLD端。 VDD2 VDD1+约12V VDD1

Confidential ■级联功能(动作时) VDD2 VDD1 ・级联时的动作(过放电时) 放电用MOSFET关闭时,由于外接负载Pack-电压会被拉到Pack+的电位。 VDD2 ①因为Cout与VDD之间有diode的存在   电压会变为VDD1 + Vf   →不会引起IC的损坏 ②由于加载了 (Pack+ - VDD1) x RCO1 / (RCO1+RCO2) 的电压→要注意MOSFET的Gate耐圧 VDD1 ④ ③加载到放电过电流恢复用MOSFET的Drain的电压与Pack+电压基本相同   →要注意MOSFET的Drain ① OFF ④因为VMP与VDD之间有diode的存在   电压会变为VDD1 + Vf   →不会引起IC的损坏 ③ ② OFF

Confidential ■级联功能(动作时) VDD2 VDD1 ・级联时的动作(放电过电流) 放电用MOSFET关闭时,由于外接负载Pack-电压会被拉到Pack+的电位。虽然放电过电流恢复用MOSFET是打开的但是在连接负载的情况下③以外基本与过放电时的状况一样。 VDD1 ④ ① ③放电过流恢复用MOSFET的Drain是因为通过RDRAIN 来拉低充放电用MSOFET Drain的电位,所以基本与VSS电位一致。 OFF ② ON ③

Confidential ■3串,4串的延时缩短对应 ・SEL1、SEL2通过以下的原理来缩短3,4串的延时。 延时缩短1 Mode SEL1 SEL2 5串 常规 High 4串 常规 Low 5串 延时缩短1 4串 延时缩短1 Middle 3串 延时缩短1 5串 延时缩短2 4串 延时缩短2 3串 延时缩短2 延时缩短1 ・・・加速内部振荡器 延时时间能缩短为1/80 延时缩短2 ・・・tVdet1能缩短4ms的程度    其他延时时间相同 *Middle是4V以上VDD的1/2的电压

Confidential ■3串、4串的对应 ・3串(无CB, 有断线检测) ・4串(有CB, 无断线检测)

Confidential ■过充电,过放电的原理 →电芯极端的不均衡发生时 Cout, Dout同时关闭 ・过充电,过放电的原理 CELL1 充电用外接MOSFET 放电用外接MOSFET 常规动作状态 ON 过充电检出状态 OFF 过放电检出状态 注)CELL3、CELL4、CELL5是通常状态时的原理 →电芯极端的不均衡发生时   Cout, Dout同时关闭

Confidential ■过充电,过放电恢复时的动作 ・过充电,过放电的恢复条件 ・滞回电路解除 一般的单节,双节保护芯片 过充电的恢复 过放电的恢复 电压降低而恢复 电压上升而恢复 ・滞回电路解除 一般的单节,双节保护芯片 → 通过过充电时移除充电器或外接负载,   过放电时连接充电器滞回电路会被解除 R5432与一般的单节,双节保护芯片不一样 没有过充电,过放电的滞回电路解除功能 →当级联的时、需要检测有无充电器同时  需要很多外接元器件

Confidential ■没有滞回电路解除功能的注意点 ・过充电时 R5432在过充电检出后充电用MOSFET关闭 这个时候会产生大负载 OFF ON 大负载引起的电流 在充电用MOSFET的Body-diode上有大电流 →可能会引起MOSFET发热导致的损坏 请使用容许功耗大的或者 Body-diode能力高的MSOFET

Confidential ■没有滞回电路解除功能的注意点 ・过放电时 R5432在过放电检出后放电用MOSFET会关闭 这个时候会产生大电流充电 ON OFF 大的充电电流 放电用MOSFET的Body-diode上有大电流 →可能会引起MOSFET发热导致的损坏 请使用容许功耗大的或者 Body-diode能力高的MSOFET

Confidential ■ 断线检测功能 ・红色×部分可以检出断线状态。 ・断线时、COUT = HiZ输出 (充电不可状态)       (充电不可状态) * 当CTLT脚与VSS短路时 VC2~VC5的断线检测功能无效

Confidential ■ 断线检测功能 ・VC2~VC5的检测电路(摘录) 是用来破坏IC内部的阻抗的电路 控制电路 产生断线检测周期和测试断线检测 断线检测部(VD13COMP)

Confidential ■ 断线检测功能 ・例如VC3的检检测 用CTLT的充放电来做检测间隔 在一个周期内通过内部SW的打开来实施断线的测试 断线检出时 Cout=OFF VC3脚的动作

Confidential ■ 断线检测功能 ・例如VC3的检检测 因为打开时VC3会被切断 IC内部的VC3线会被拉升到VC2 产生时间 给出Cout=OFF的指令 VC3被拉升到VC2的话 Vdet1用的Comp.会反转 =>判断出已经断线

Confidential ■ 断线检测功能(注意点) ①与其他保护动作的关系 断线检测 过充电 如果在过冲电检测延时的过程中开始断线测试,计数器会被暂时重置,断线测试完成后检测动作再开始 =>过充电检测延时时间会长与设定值 双方都能检测出来 过放电 如果在过放电检测延时的过程中开始断线测试,计数器会被暂时重置,断线测试完成后检测动作再开始 =>过放电检测延时时间会长与设定值 过放电检出后不再进行断线检测 断线检出后同时也过放电检出时过放电优先 充电过电流 均衡 断线检测前均衡动作将停止

Confidential ■ 断线检测功能(注意点) ・断线检测 vs 过充电检测 因为断线测试开始,过冲电检测延时的计数器会被重置 过充电检测需要超过tVdet1的时间 检出时间=(1)+(2)+(3) > tVdet1 (1)断线测试前计数时间 (2) = 約1.2秒、(3)=tVdet1(1秒)

Confidential ■ 断线检测功能(注意点) ・断线检测 vs 过放电检测 因为断线测试开始,过放电检测延时的计数器会被重置 过充电检测需要超过tVdet2的时间 检出时间=(1)+(2)+(3) > tVdet2 (1)断线测试前计数时间 (2) = 約1.2秒、(3)=tVdet2

Confidential ■ 断线检测功能(注意点) ②无法检测状态 发生断线检测时,根据上下连接电芯电压 有可能无法检出断线状态 ①even_sw =>H ②VC3 pull up to VC2 ③Comp_in < Vref 2.5V =>电压过低时CVC2, CVC3容量  需要相当的充放电时间  检测时间内无法检出 ②pull up to VC2 ①L=>H ③input of comparator is not over detecting voltage =>cannot detect wire breaking 2.5V

Confidential ■ 断线检测功能(注意点) ③外接元器件 使用CCTLT = 3.3uF 太大的话过充电,过放电无法检测的时间会变长  太小的话断线端的拉高或拉低所用的时间会变短,无法检测状态的  区域会变大。 使用CVCX = 0.1uF =>太大的话断线端的拉高或拉低所用的时间会变长,无法检测状态的 使用CCT1 = 0.47uF =>太小的话,在均衡动作时发生断线的话   断线测试前停止均衡动作时,引脚的电压降低、   断线测试开始前以处于过放电状态。 使用断线检测功能时、请尽量控制这些可变因素

Confidential ■ 断线检测功能(VDD、VSS的断线) ・VDD & VC1断线的检测 ・VSS的断线检测 由于内部电路的消耗电流会把两端的电压 拉低到比VC2稍低的电位 ->这样的话通过0VDET2电路可以检测出来 ・VSS的断线检测 VSS发生断线时 由于内部电路的消耗电流会把VSS电压 拉高到比VC5稍高的电位 ->这样的话通过0VDET4电路可以检测出来 断线点 检测电路 COUT脚 VDD(VC1) 0VDET2 Low VSS 0VDET4

Confidential ■ 断线检测功能(VDD、VSS的断线) ・级联时的外接电路 1.上侧IC的VSS和下侧IC的VDD分开连接 =>虽然利用IC的消耗电流能够检测VDD,VSS 的断线,如果把两端连接在一起的话, 由于双方本身的IC消耗电流来改变 电位。这样将无法检测断线。 2.上侧IC的Cout下拉电阻与下侧IC的VDD连接 =>因为下侧IC的CTLC的阈值是以IC内部的VDD 为基准设计的,所以只有上侧IC的Cout通过 输出HiZ使电位拉低到下侧IC的VDD一致, 这样才能Cout才能关闭。

Confidential ■ Q&A Q. R5432是否有待机模式? A. 因为要对应级联功能,所以没有待机模式。 规格书没有包含Cout的开漏输出电流,Cout的下拉电阻很小的时候 这个电流会变的很大。 Q. 均衡输出时会振荡。 均衡电压设定时,如果没有滞回电压的话,靠近检测电压时输出会有 振荡现象。充电后振荡现象会消除。 Q. 过冲电过放电无法检测。 A. 请确认CTLT的电容是否开路或者容量很小。   不需要对VC2~5进行断线检测时,请与VSS短接。

Confidential ■ Q&A Q. 最多能级联到多少? A. 原则上是可以无限制级联。 但是由于总电压会变的非常高,会非常容易受到电压变化的影响。 请在注意电路的基础上,更需要详细的评价(特别是短路时要注意)。 Q. 过充电检测电压变低 A. 达到充电完成(过充电检测)的电压值附近时,充电电流是否有变大现象?  因为充电时电池内部阻抗的影响会使让电池电压变大,充电停止后测试的 电池电压会比充电时低。同时,充电停止后电池电压即使小于过冲电检测 电压同时大于恢复电压时,Cout还是处于关闭状态,无法充电。 Q. 各个输出脚的输出阻抗是多少? A. Cout, Dout为3kΩ、 CBx:L=>H时7kΩ, H=>L时3kΩ

Confidential ■ Q&A Q. 电器特性表上虽然标示了IC的从VSS端流出的消耗电流 但是没有标示各个电芯的消耗电流,各个电芯的耗电有多大? A. 通常大约2.0uA左右。   但是根据IC的状态(过充电,过放电等)会有若干变化。 Q. 2处以上的断线是否能检出? 2处以上断线时,根据断线点的不同IC有可能无法正常工作 Q. A.