从物理角度浅谈 集成电路 中的几个最小尺寸 赖凯 电子科学与技术系 本科2001级
MOS场效应管
击穿模型 设SiO2介质薄膜厚度为d，则介质中的场强 若要使SiO2介质薄膜不被击穿，则要求 E<E击穿 由前两式得 d >
SiO2击穿场强 代入 d > 得 d > 4×10－8m ,量级为 10nm,即 0.01um 这里取 E击穿=100MV/m , VT ＝4V 代入 d > 得 d > 4×10－8m ,量级为 10nm,即 0.01um
设光刻加工的线条宽度为L，为了测量和定义它，必不可少的误差为△L。由量子理论的Heisenberg测不准关系式，有 △L△P ≥ ,式中是△P粒子动量的不确定值。 从而 L＞ 对于波长的光子，有 L光子＞ 取＝240nm,可得L光子的量级为10nm，即0.01um 对于能量为E,质量为m的实物粒子 L粒子> 得在1000V的加速电压下，L电子量级为10-6um ,一般离子 L离子量级为10-8um
隧穿效应 透射系数 T= 为使隧穿效应尽可能小，要求 >>1 即△x>> 为使隧穿效应尽可能小，要求 >>1 即△x>> 当Eb=1V时△x>>1.9×10-9m，量级为1nm，即0.001um
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