第三章 场效应管放大器 结型场效应管(JFET) 绝缘栅型场效应管(MOSFET) JFET的结构和工作原理 JFET的特性曲线

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第三章 场效应管放大器 结型场效应管(JFET) 绝缘栅型场效应管(MOSFET) JFET的结构和工作原理 JFET的特性曲线

3.1 场效应管 FET分类: BJT是一种电流控制元件(iB~ iC),工作时,多数载流子和少数载流子都参与运行,所以被称为双极型器件。 场效应管(Field Effect Transistor简称FET)是一种电压控制器件(uGS~ iD) ,工作时,只有一种载流子参与导电,因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单,功耗小,温度特性好,输入电阻极高等优点,得到了广泛应用。 FET分类: 绝缘栅场效应管 结型场效应管 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道

1. 结型场效应管JFET 漏极 栅极 源极

(1)栅源电压对沟道的控制作用 1. 结型场效应管的工作原理 在栅源间加负电压uGS ,令uDS =0 ①当uGS=0时,为平衡PN结,导电沟道最宽。 漏极 ②当│uGS│↑时,PN结反偏,耗尽层变宽,导电沟道变窄,沟道电阻增大。 栅极 ③当│uGS│↑到一定值时 ,沟道会完全合拢。 定义: 夹断电压UP——使导电沟道完全合拢(消失)所需要的栅源电压uGS。 源极

在漏源间加电压uDS ,令uGS =0 由于uGS =0,所以导电沟道最宽。 (2)漏源电压对沟道的控制作用 漏极 在漏源间加电压uDS ,令uGS =0 由于uGS =0,所以导电沟道最宽。 ①当uDS=0时, iD=0。 栅极 ②uDS↑→iD ↑ →靠近漏极处的耗尽层加宽,沟道变窄,呈楔形分布。 ③当uDS ↑,uDG=uDS-uGS=|UP |时,在靠漏极处夹断——预夹断。 源极 ④uDS再↑,预夹断点下移。 预夹断前, uDS↑→iD ↑。 预夹断后, uDS↑→iD 几乎不变。

3、 结型场效应三极管的特性曲线 1. 输入特性曲线 组态:共源极

(2)输出特性曲线: iD=f( uDS )│uGS=常数 uGS=0V uGS=-1V 设:UP= -3V

四个区: 可变电阻区 击穿区 恒流区的特点: △ iD /△ uGS = gm ≈常数 即: △ iD = gm △ uGS (放大原理) 恒流区(饱和区) 可变电阻区 击穿区 恒流区的特点: △ iD /△ uGS = gm ≈常数 即: △ iD = gm △ uGS (放大原理) 截止区

(3)转移特性曲线: iD=f( uGS )│uDS=常数 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例:作uDS=10V的一条转移特性曲线: IDSS

5 .双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 单极型场效应管 载流子 多子扩散少子漂移 多子运动 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源 电压控制电流源 输入电阻 几十到几千欧 几兆欧以上 噪声 较大 较小 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 制造工艺 不宜大规模集成 适宜大规模和超大规模集成

5. 2 场效应管放大电路 一. 直流偏置电路 计算Q点:UGS 、 ID 、UDS 已知UP ,由 UGS = - IDR ID 5. 2 场效应管放大电路 一. 直流偏置电路 保证管子工作在饱和区,输出信号不失真 1.自偏压电路 计算Q点:UGS 、 ID 、UDS 已知UP ,由 UGS = - IDR ID 可解出Q点的UGS 、 ID UGS =- IDR UDS =VDD- ID (Rd + R ) 再求:

2.分压式偏置电路 计算Q点: 已知UP ,由 可解出Q点的UGS 、 ID UDS =VDD- ID (Rd + R ) 再求: 分压式自偏压电路

二. 场效应管的交流小信号模型 - u g r i - u g i 二. 场效应管的交流小信号模型 与双极型晶体管一样,场效应管也是一种非线性器件,在交流小信号情况下,也可以由它的线性等效电路—交流小信号模型来代替。 + — - gs m u S ds g r d i + — - gs m u S ds g d i 其中:gmugs是压控电流源,它体现了输入电压对输出电流的控制作用。gm称为低频跨导。 rds为输出电阻,类似于双极型晶体管的rce。

三. 场效应管放大电路 1.共源放大电路 + — u i g d gs m R g3 g1 g2 L - S o O id

(1)画出共源放大电路的交流小信号等效电路。 分析: (1)画出共源放大电路的交流小信号等效电路。 (2)求电压放大倍数 则 id (3)求输入电阻 + — u i g d gs m R g3 g1 g2 L - S o O (4)求输出电阻

2.共漏放大电路 分析: 由 得 (3)输入电阻 (1)画交流小信号等效电路。 (2)电压放大倍数 R u + s - g d S m g3 — - S u R i o g d s gs m g3 g1 g2 L (3)输入电阻

u g i - = u =- (4)输出电阻 由图有 所以 R u + s - gs m R gs g d m g3 gs i S g1 — + - S u i g d s gs m R g3 g1 g2 o

本章小结 1.FET分为JFET和MOSFET两种,工作时只有一种载流子参与导电,因此称为单极性型晶体管。FET是一种压控电流型器件,改变其栅源电压就可以改变其漏极电流。 2.FET放大器的偏置电路与BJT放大器不同,主要有自偏压式和分压式两种。 3. FET放大电路也有三种组态:共源、共漏和共栅。 电路的动态分析需首先利用FET的交流模型建立电路的交流等效电路,然后再进行计算,求出电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等量。