单晶γ能谱仪 09300200011 沈思淇
实验目的 探究各实验参数对能谱图测量的影响 探究不同入射角度对能谱实验的影响 探究不同电压对能谱测量的影响
不同高压对能谱的影响
电压 半高宽 峰道址数 能量分辨率 675 30.19238 319.5245 0.094492 700 38.69462 419.5843 0.092221 725 47.14313 535.6352 0.088013 750 59.23103 690.0136 0.08584 775 68.92208 847.8709 0.081288
积分对能谱图的影响 固定微分为2,改变积分可得:
微分对能谱图的影响 固定积分为2,改变微分可得:
测量时间的影响 时间/s 半高宽 峰道址数 能量分辨率 60 57.22674 639.3146 0.089513 120 57.04544 639.814 0.089159 180 56.24086 639.933 0.087886 240 56.84644 639.8763 0.08884 300 55.3422 640.1589 0.086451
不同入射角度对能谱实验的影响 实验方法: 改变托盘与探测器中轴的角度,即使得γ射线以不同的角度进入探测器 实验条件: 高压为750V,放大倍数为6,使用Cs源 托盘与探测器高度为6.10cm,托盘中心到转轴距离为11.10cm
不同入射角度对能谱实验的影响
不同入射角度对能谱实验的影响 高度为6.10cm 高度为8.07cm 能量分辨率随着入射角的增大而变差
电压对能谱测量的影响 实验条件: 使用137Cs源,放大倍数为6,微积分为1 高压电源为750V,统一测量时间为300s, 依次添加厚度为2.54g/cm2的铝片 改变电压为775V、725V、700V、675V并测量
电压对能谱测量的影响 电压/V 吸收系数/cm2/g 675 0.0502 700 0.05247 725 0.05438 750 0.05622 775 0.05753
电压对能谱测量的影响 结论: 说明至少当电压处在675V~775V时,对于该电压段所激发的对应能量γ射线,铝片对于射线吸收能力与电压成正比
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