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CPU的制造 罗曼琳
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CPU制造必不可少的硅 世界上目前的半导体材料有硅和锗。 世界上第一个点接触晶体管是用锗制造的,后 来才使用硅替代锗。
相比锗,硅是从沙子中提炼出来的,造价低廉; 硅的带隙更大,具有更好的热稳定性; 锗在75度以上就不能工作了,而硅可以在多种 温度下良好工作。 同时,无论是提纯,做晶圆,做绝缘层还是做 其他的,硅的工艺方便,丰富,以及价格低廉。 使得硅成为了CPU制造不可缺少的一部分。
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CPU的生产过程 硅提纯 切割晶圆 影印 蚀刻 重复、分层 封装 测试
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硅提纯 在此过程中,原材料硅会被熔 化,放入一个巨大的石英熔炉 里。同时在熔炉里放入一颗晶 种。熔化的硅晶体会围着这颗 晶种生长,直到形成一个几近 完美的单晶硅。
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切割晶圆 单晶硅会被横向切割成圆形的单个硅片,也就是晶圆。 晶圆会被划分成多个细小的区域,每个区域都将成为 一个CPU的内核
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影印 经过热处理得到的硅氧化物层上面涂一 种光阻物质,紫外线通过印制着CPU的 复杂电路结构图样的模板照射硅基片, 被紫外线照射的地方光阻物质溶解。为 了避免让不需要被曝光的区域受到干扰, 必须制作遮罩来遮蔽这些区域。
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蚀刻 蚀刻是CPU制作中的重要操作。 波长很短的紫外光配合很大的镜头。短波长的光将透 过这些遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上,使之曝光。
接下来停止光照并移除遮罩,使用特定的化学溶液清 洗被曝光的光敏抗蚀膜,以及在下面紧贴着抗蚀膜的 一层硅。 曝光的硅将被原子轰击,使得暴露的硅基片局部掺杂, 从而改变导电状态制造出N或者P井。 结合基片,就制造出了CPU的门电路。
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重复、分层 加工新的一层电路,再次生长硅氧化物,然后再沉积 一层多晶硅,涂抹光阻物质。
反复影印,蚀刻的过程,得到含多晶硅和硅氧化物的 沟槽结构。 当多遍反复后,最终的CPU核心的3D结构就会形成了。 每几层中间都会填上金属作为导体。 不同的CPU有着不同的层数,层数由设计时CPU的布局, 以及通过的电流大小而决定。
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封装 此时的CPU还只是一块块晶圆,不能直接被用户使用。 这一块块晶圆会被封入一个陶瓷或者塑料的封壳中, 以便安装在一块电路板上。
不同的CPU的封装结构并不一样,但是越高级的CPU封 装也越复杂。 封装能提高芯片的电气性能和稳定性,以此作为主频 提升的基础。
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测试 CPU在出厂进行销售前会进行多次测试,测试晶圆的各 方面性能,是否工作良好等。 晶圆上的每个CPU核心都会被分开测试。
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不断进步的制造工艺 随着CPU不断的更新换代,CPU制造商 也在多方面提高了CPU的制造生产工艺: 晶圆尺寸 蚀刻尺寸 金属互联层
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晶圆尺寸 CPU的生产商在努力提高能够制造出来的硅晶圆的直 径。 晶圆的直径越大,就可以制造越多的处理器核心。
一个300mm直径的晶圆是200mm直径晶圆面积的 2.25倍,然而却可以制造的CPU处理器核心个数却是 后者的2.385倍。 但是在晶圆生产中,远离晶圆中心的部分更容易出现 坏点。
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蚀刻尺寸 蚀刻尺寸是制造设备在一个硅晶圆上所能蚀刻的一个 最小尺寸。 蚀刻尺寸越小,一块晶圆所能生产的芯片也就越多。
Intel 8086的蚀刻尺寸是3um, 而Intel Pentium 4 的蚀 刻尺寸仅为0.09um。 由于蚀刻过程是由光完成的,所以用于蚀刻的光波长 是技术提升的关键。
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金属互连层 不同的CPU内部有着不同层数的电路。 不同的厂商设计的CPU有着不同的层数。
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未来的CPU制造工艺 一种名叫硅烯的新型纳米材料引起了行业的关注,被 认为可能成为未来IT科技的新基石。
但由于硅烯原子级晶体管很不稳定,只能存在几分钟, 因此其一直是理论上的材料,并未实际应用。 直到2015年,来自美国的科研人员宣布制造出了世界 上首个硅烯晶体管,仅有一个原子厚度。 或许,未来能见到这种一个原子厚度的硅烯晶体管制 造出来的CPU。
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