「微電薄膜之生長及分析實驗」單元 第一單元:真空技術與實務操作

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1 「微電薄膜之生長及分析實驗」單元 第一單元:真空技術與實務操作
奈米科技教學改進計畫 數位化網路自我學習練習題 「微電薄膜之生長及分析實驗」單元 第一單元:真空技術與實務操作 逢甲大學材料科學與工程學系編製

2 ( ) 何謂真空的定義？ (A) ㄧ容器內的壓力低於一大氣壓(B)ㄧ容器中沒有任何的氣體(C) ㄧ容器中氣體密度小於2.5×10-19 mol/cm3.

3 ( A ) 何謂真空的定義？ (A) ㄧ容器內的壓力低於一大氣壓(B)ㄧ容器中沒有任何的氣體(C) ㄧ容器中氣體密度小於2.5×10-19 mol/cm3.

4 ( ) 真空可以真空度來區分為(何者為非)：(A) 粗略真空(1×105 Pa ~1× 10-1 Pa) (B) 高度真空(1×10-6 Pa~ 1× 10-9 Pa) (C) 超高真空(1×10-4 Pa ~1×10-6 Pa)

5 ( B ) 真空可以真空度來區分為(何者為非)：(A) 粗略真空(1×105 Pa ~1× 10-1 Pa) (B) 高度真空(1×10-6 Pa~ 1× 10-9 Pa) (C) 超高真空(1×10-4 Pa ~1×10-6 Pa)

6 ( ) 下列敘述何者為非？ (A) 真空室是完全一個密閉的空間 (B) 真空計是用來偵測真空度 (C) 派藍尼真空計常被使用在偵測超高真空

7 ( B ) 下列敘述何者為非？ (A) 真空室是完全一個密閉的空間 (B) 真空計是用來偵測真空度 (C) 派藍尼真空計常被使用在偵測超高真空

8 ( ) 真空計的分類可用以下哪幾種方式區分？ (A) 量測範圍 (B) 量測方法 (C) 以上皆是 (D) 以上皆非

9 ( C ) 真空計的分類可用以下哪幾種方式區分？ (A) 量測範圍 (B) 量測方法 (C) 以上皆是 (D) 以上皆非

10 ( ) 如何選擇真空計：(A)依照當日天氣 (B) 依照系統所需真空度 (C) 依照個人喜好選擇

11 ( B ) 如何選擇真空計：(A)依照當日天氣 (B) 依照系統所需真空度 (C) 依照個人喜好選擇

12 ( ) 以下何者為非： (A) 粗略真空1×10-6 Pa~ 1× 10-9 Pa (B) 中度真空 1×10-4 Pa ~1×10-6 Pa (C) 高度真空1×10 Pa-1 ~ 1×10-4 Pa (D) 超高真空1×105 Pa ~1× 10-1 Pa

13 ( D ) 以下何者為非： (A) 粗略真空1×10-6 Pa~ 1× 10-9 Pa (B) 中度真空 1×10-4 Pa ~1×10-6 Pa (C) 高度真空1×10-1Pa ~ 1×10-4 Pa (D) 超高真空1×105 Pa ~1× 10-1 Pa

14 ( ) 目前最常用的真空單位：(A) Pascal (B) Torr (C) mbar (D) atm

15 ( A ) 目前最常用的真空單位：(A) Pascal (B) Torr (C) mbar (D) atm

16 ( ) 下列何者非等值換算單位 (A) 1 atm (B) 760 torr (C) 750 mbar

17 ( C ) 下列何者非等值換算單位 (A) 1 atm (B) 760 torr (C) 750mbar

18 ( ) 下列何者非真空計(A) 派藍尼真空計 (B) 熱陰極真空計 (C) T－A真空計

19 ( C ) 下列何者非真空計？(A) 派藍尼真空計 (B) 熱陰極真空計 (C) T－A真空計

20 ( ) 以下何者為是 ： (A) 真空系統是指幫浦的串連 (B) 真空系統是一完善系統不需要加裝真空計辨識真空度 (C) 真空計在真空系統中是辨識真空度的重要指標

21 ( C ) 以下何者為是 ： (A) 真空系統是指幫浦的串連 (B) 真空系統是一完善系統不需要加裝真空計辨識真空度 (C) 真空計在真空系統中是辨識真空度的重要指標

22 ( ) 真空系統如何選用幫浦(下列何者為是)? (A)所能達到之最高壓力(high Pressure ) (B)有效之工作壓力範圍(Pressure Range) (C)抽氣速率大小(Pumping Speed)

23 ( A ) 真空系統如何選用幫浦(下列何者為是)? (A)所能達到之最高壓力(high Pressure ) (B)有效之工作壓力範圍(Pressure Range) (C)抽氣速率大小(Pumping Speed)

24 ( ) 下列何者不是真空系統選用幫浦所需考慮的準則？ (A)抽氣速率大小(Pumping Speed) (B)排氣口壓力(Exhaust Pressure) (C)無效之壓力範圍(Pressure Range)

25 ( C ) 下列何者不是真空系統選用幫浦所需考慮的準則？ (A)抽氣速率大小(Pumping Speed) (B)排氣口壓力(Exhaust Pressure) (C)無效之壓力範圍(Pressure Range).

26 ( ) 下列何者為真空系統所需俱備的必要項目 ？(A) 幫浦 (B) 真空計 (C) 腔體(D)以上皆是

27 ( D ) 下列何者為真空系統所需俱備的必要項目 ？(A) 幫浦 (B) 真空計 (C) 腔體(D)以上皆是

28 ( ) 下列何者為儲氣式幫浦？ (A) 活塞式幫浦 (B) 渦輪分子幫浦 (C) 冷凍幫浦

29 ( C ) 下列何者為儲氣式幫浦？ (A) 活塞式幫浦 (B) 渦輪分子幫浦 (C) 冷凍幫浦

30 ( ) 真空幫浦在真空系統中的主要作用為： (A) 抽氣 (B) 排氣 (C) 打氣 (D) 儲氣

31 ( A ) 真空幫浦在真空系統中的主要作用為： (A) 抽氣 (B) 排氣 (C) 打氣 (D) 儲氣

32 ( ) 下列何者為排氣式幫浦？(A) 吸附幫浦 (B) 結拖幫浦 (C) 擴散幫浦

33 ( B ) 下列何者為排氣式幫浦？(A) 吸附幫浦 (B) 結拖幫浦 (C) 擴散幫浦

34 ( ) 下列何者非ㄧ大氣壓可啟動的幫浦？ (A) 擴散幫浦 (B) 渦輪分子幫浦 (C) 以上皆是 (D) 以上皆非

35 ( C ) 下列何者非ㄧ大氣壓可啟動的幫浦？ (A) 擴散幫浦 (B) 渦輪分子幫浦 (C) 以上皆是 (D) 以上皆非

36 真空系統可能因什麼因素而受到汙染？(A) 氣體在腔體中燃燒 (B)幫浦的油氣回流造成污染 (C) 氣體管路帶來的不明氣體導致氣體生成物
( ) 真空系統可能因什麼因素而受到汙染？(A) 氣體在腔體中燃燒 (B)幫浦的油氣回流造成污染 (C) 氣體管路帶來的不明氣體導致氣體生成物 (B) The hydrogen (氫) atom at ground state (A) can, (B) cannot, absorb a photon with 9.0 eV.

37 ( B ) 真空系統可能因什麼因素而受到汙染？(A) 氣體在腔體中燃燒 (B)幫浦的油氣回流造成污染 (C) 氣體管路帶來的不明氣體導致氣體生成物

38 ( ) 想從一大氣壓將系統降至粗略真空範圍需要選用什麼樣的幫浦？ (A) 擴散幫浦 (B) 魯式幫浦 (C) 冷凍幫浦

39 ( B ) 想從一大氣壓將系統降至粗略真空範圍需要選用什麼樣的幫浦？ (A) 擴散幫浦 (B) 魯式幫浦 (C) 冷凍幫浦

40 ( ) 何為RCA 清洗(何者為非)？(A) 屬於半導體製程的一部份 (B)可去除晶圓上的油污、附著物及表面氧化物 (C)處理矽晶圓的主要清理流程

41 ( C ) 何為RCA 清洗(何者為非)？(A) 屬於半導體製程的一部份 (B)可去除晶圓上的油污、附著物及表面氧化物 (C)處理矽晶圓的主要清理流程

42 ( ) 下列何者非RCA清洗所需藥品？ (A)氰氟酸 (HF) (B) 氨水 (NH4OH) (C) 鹽酸 (HCl)

43 ( C ) 下列何者非RCA清洗所需藥品？ (A)氰氟酸 (HF) (B) 氨水 (NH4OH) (C) 鹽酸 (HCl)

44 ( ) RCA清洗的步驟中哪個動作是不需要的？ (A) 加熱 (B) 以去離子水清洗 (C) 活化/敏化

45 ( C ) RCA清洗的步驟中哪個動作是不需要的？ (A) 加熱 (B) 以去離子水清洗 (C) 活化/敏化

46 ( ) 選用下列何種幫浦組合可以達到中度真空？(A) 魯式幫浦+擴散幫浦 (B) 擴散幫浦+冷凍幫浦 (C) 冷凍幫浦+渦輪分子幫浦

47 ( A ) 選用下列何種幫浦組合可以達到中度真空？(A) 魯式幫浦+擴散幫浦 (B) 擴散幫浦+冷凍幫浦 (C) 冷凍幫浦+渦輪分子幫浦

48 ( ) 以下哪一種方式不能達到高度真空？(A) 乾式幫浦+渦輪分子幫浦 (B) 乾式幫浦+冷凍幫浦 (C) 以上皆可

49 ( C ) 以下哪一種方式不能達到高度真空？(A) 乾式幫浦+渦輪分子幫浦 (B) 乾式幫浦+冷凍幫浦 (C) 以上皆可

50 ( ) 高真空使用的幫浦跟低真空使用的幫浦有什麼差異？ (A) 轉速不同 (B) 低真空幫浦可以從ㄧ大氣壓啟動，高真空幫浦無法從ㄧ大氣壓下啟動 (C) 高真空幫浦可以從ㄧ大氣壓抽到高真空，低真空幫浦只能從一大氣壓抽到低真空

51 ( B ) 高真空使用的幫浦跟低真空使用的幫浦有什麼差異？ (A) 轉速不同 (B) 低真空幫浦可以從ㄧ大氣壓啟動，高真空幫浦無法從ㄧ大氣壓下啟動 (C) 高真空幫浦可以從ㄧ大氣壓抽到高真空，低真空幫浦只能從一大氣壓抽到低真空

52 ( ) 高真空系統的保護裝置有何功用？ (A) 在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入，會自動斷電，系統關機 (B) 在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入，會關上閥門隔絕 (C) 在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入系統，旋葉會反轉排出氣體

53 ( B ) 高真空系統的保護裝置有何功用？ (A) 在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入，會自動斷電，系統關機 (B) 在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入，會關上閥門隔絕 (C) 在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入系統，旋葉會反轉排出氣體

54 ( ) 到達超高真空所需的主要後段幫浦 (A) 渦輪分子幫浦 (B) 擴散幫浦 (C) 旋片幫浦

55 ( A ) 到達超高真空所需的主要後段幫浦 (A) 渦輪分子幫浦 (B) 擴散幫浦 (C) 旋片幫浦

56 ( ) 觀察高度真空所需的真空計為下列何者？ (A) 彭甯冷陰極真空計 (B) 熱電偶真空計 (C) 派藍尼真空計

57 ( A ) 觀察高度真空所需的真空計為下列何者？ (A) 彭甯冷陰極真空計 (B) 熱電偶真空計 (C) 派藍尼真空計

58 ( ) 到達高度真空系統所需的真空計組合為何？(A) 熱電偶真空計+派藍尼真空計 (B) 熱電偶真空計+彭甯冷陰極真空計 (C) 派藍尼真空計

59 ( B ) 到達高度真空系統所需的真空計組合為何？(A) 熱電偶真空計+派藍尼真空計 (B) 熱電偶真空計+彭甯冷陰極真空計 (C) 派藍尼真空計

60 ( ) 下列哪一種真空幫浦兼具有真空計的效用(A) 鈦昇華幫浦 (B) 擴散幫浦 (C) 以上皆可

61 ( A ) 下列哪一種真空幫浦兼具有真空計的效用(A) 鈦昇華幫浦 (B) 擴散幫浦 (C) 以上皆可

62 ( ) 下列哪一種真空幫浦具有油氣污染的疑慮而須加設油氣捕捉陷阱 (A) 擴散幫浦 (B) 渦輪分子幫浦 (C) 冷凍幫浦 (D) 乾式幫浦

63 ( A ) 下列哪一種真空幫浦具有油氣污染的疑慮而須加設油氣捕捉陷阱 (A) 擴散幫浦 (B) 渦輪分子幫浦 (C) 冷凍幫浦 (D) 乾式幫浦

64 ( ) 下列何者非RCA清洗的目的 (A)去除表面有機物汙染 (B) 去除金屬鍍膜層 (C) 去除生長閘極氧化層前之原生氧化矽

65 ( C ) 下列何者非RCA清洗的目的 (A)去除表面有機物汙染 (B) 去除金屬鍍膜層 (C) 去除生長閘極氧化層前之原生氧化矽

66 第二單元感應耦合電漿離子束濺鍍沉積銅金屬化薄膜製備與分析
逢甲大學材料科學與工程學系編製

67 ( ) 本系統有採用MFC(流量控制器)，請說明本系統所採用的單位為何 ?(A) SCCM, (B) SCKM, (C)SCLM.

68 ( A ) 本系統有採用MFC(流量控制器)，請說明本系統所採用的單位為何 ?(A) SCCM, (B) SCKM, (C)SCLM.

69 ( ) 本系統採用哪 種低度真空計(A) 冷陰極真空計, (B) 派藍尼真空計, (C) 液位真空計

70 (B) 本系統採用哪 種低度真空計(A) 冷陰極真空計, (B) 派藍尼真空計, (C) 液位真空計

71 ( ) 本系統採用的低度真空計工作範圍約略在幾Pa (A) 1~100, (B)0.1~104, (C) 10-2~10-5

72 (B) 本系統採用的低度真空計工作範圍約略在幾Pa (A) 1~100, (B)0.1~104, (C) 10-2~10-5

73 4. ( ) 本系統採用的高度真空計工作範圍約略在幾Pa (A) 1~10-7, (B)0.1~104, (C) 10-2~10-5

74 4. ( A ) 本系統採用的高度真空計工作範圍約略在幾Pa (A) 1~10-7, (B)0.1~104, (C) 10-2~10-5

75 5. ( ) 本系統採用的低度真空幫浦工作範圍約略在幾Pa (A) 1~100, (B)1~105, (C) 10-2~10-4

76 5. ( B ) 本系統採用的低度真空幫浦工作範圍約略在幾Pa (A) 1~100, (B)1~105, (C) 10-2~10-4

77 6. ( ) 本系統採用哪種低度真空幫浦 (A)渦捲幫浦, (B)渦輪幫浦, (C) 活塞式幫浦

78 6. ( A ) 本系統採用哪種低度真空幫浦 (A)渦捲幫浦, (B)渦輪幫浦, (C) 活塞式幫浦

79 7. ( ) 本系統採用哪種高度真空幫浦 (A)渦捲幫浦, (B)渦輪分子幫浦, (C) 活塞式幫浦

80 7. ( B ) 本系統採用哪種高度真空幫浦 (A)渦捲幫浦, (B)渦輪分子幫浦, (C) 活塞式幫浦

81 8. ( ) 本系統採用的高度真空幫浦工作範圍約略在幾Pa (A) 10-1~100, (B) 102~105, (C) 10-1~10-7

82 8. ( C ) 本系統採用的高度真空幫浦工作範圍約略在幾Pa (A) 10-1~100, (B) 102~105, (C) 10-1~10-7

83 9. ( ) 本系統是採用哪種方式產生電漿(A) ICP (B) PVD (C) CVD

84 9. (A) 本系統是採用哪種方式產生電漿(A) ICP (B) PVD (C) CVD

85 ( ) 冷凍幫浦的抽氣方式有哪三種 (A) 低溫冷凝 (B)低溫捕獲 (C)低溫吸附 (D) 以上皆是.

86 (D) 冷凍幫浦的抽氣方式有哪三種 (A) 低溫冷凝 (B)低溫捕獲 (C)低溫吸附 (D) 以上皆是.

87 11. ( ) 濺鍍時是採用哪種氣體來產生電漿 (A)Ar (B)N2 (C) H2.

88 11. ( A ) 濺鍍時是採用哪種氣體來產生電漿 (A)Ar (B)N2 (C) H2.

89 ( ) Vent氣是採用哪種氣體 (A)Ar (B)N2 (C) H2.

90 ( B ) Vent氣是採用哪種氣體 (A)Ar (B)N2 (C) H2.

91 ( ) 系統所顯示的壓力值是採用何種單位 . (A) Pa, (B) Torr, (C) mBar.

92 ( A ) 系統所顯示的壓力值是採用何種單位 . (A) Pa, (B) Torr, (C) mBar.

93 ( ) 本次所採用的基板為何種材料. (A) Si, (B) glass, (C) Stainless stell.

94 ( A ) 本次所採用的基板為何種材料. (A) Si, (B) glass, (C) Stainless stell.

95 ( ) RF power supply 所採用的頻率為何Hz (A) 13.6, (B) 12.6, (C) 10.6

96 ( A ) RF power supply 所採用的頻率為何Hz (A) 13.6, (B) 12.6, (C) 10.6

97 ( ) 本系統的RF power supply最大的功率極限為何 . (A) 1000, (B) 1400

98 ( B ) 本系統的RF power supply最大的功率極限為何 . (A) 1000, (B) 1400

99 ( ) 本系統的離子束產生搭配裝置是否有直流電源供應器 (A) Ture, (B) False

100 ( A ) 本系統的離子束產生搭配裝置是否有直流電源供應器 (A) Ture, (B) False

101 ( ) 在XRD的繞射光譜中是根據哪種光譜來獲得繞射訊息(A) 特徵光譜, (B) 連續光譜.

102 ( A ) 在XRD的繞射光譜中是根據哪種光譜來獲得繞射訊息(A) 特徵光譜, (B) 連續光譜.

103 ( ) XRD是根據何定律成立的 (A) 歐姆定律, (B) 牛頓第二定律, (C) 布拉格定律

104 ( C ) XRD是根據何定律成立的 (A) 歐姆定律, (B) 牛頓第二定律, (C) 布拉格定律

105 ( ) 在X光管內部是否為真空狀態 (A) True, (B) False

106 ( A ) 在X光管內部是否為真空狀態 (A) True, (B) False

107 第三單元超高真空磁控濺鍍奈米氣體感測薄膜製備與分析
逢甲大學材料科學與工程學系編製

108 ( ) 氧化鎢（WO3）薄膜具有何種結構（A）鈣鈦礦結構（ Perovskite）（B）六方晶結構（hexagonul）（C）單斜（monoclinik）

109 ( A ) 氧化鎢（WO3）薄膜具有何種結構（A）鈣鈦礦結構（ Perovskite）（B）六方晶結構（hexagonul）（C）單斜（monoclinik）

110 ( ) 反應性濺鍍（Reactive Sputter Deposition）是通入反應性氣體進行反應，可使用那些氣體（A） O2（B ）N2 （C）皆可

111 ( C ) 反應性濺鍍（Reactive Sputter Deposition）是通入反應性氣體進行反應，可使用那些氣體（A） O2（B ）N2 （C）皆可

112 ( ) 感測器依據檢測原理與材料類型大致可區分為（Ａ）觸媒燃燒式（Ｂ）場效電晶體（Ｃ）金屬氧化物半導體（MOS）（D）皆具有

113 ( D ) 感測器依據檢測原理與材料類型大致可區分為（Ａ）觸媒燃燒式（Ｂ）場效電晶體（Ｃ）金屬氧化物半導體（MOS）（D）皆具有

114 ( ) 觸媒燃燒式的氣體感測其使用之檢測氣體為（Ａ）C2H5OH（Ｂ）CH4（Ｃ）H2（Ｄ）皆可

115 ( D ) 觸媒燃燒式的氣體感測其使用之檢測氣體為（Ａ）C2H5OH（Ｂ）CH4（Ｃ）H2（Ｄ）皆可

116 ( ) 場效電晶體型的氣體感測其使用之檢測氣體為（Ａ）H2（Ｂ）NH3（Ｃ）O2（Ｄ）皆可

117 ( ) 場效電晶體型的氣體感測其使用之檢測氣體為（Ａ）H2（Ｂ）NH3（Ｃ）O2（Ｄ）皆可

118 ( ) 金屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測其使用之檢測氣體為（Ａ）CO（Ｂ）NO2（Ｃ）SO2（Ｄ）皆可

119 ( D ) 金屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測其使用之檢測氣體為（Ａ）CO（Ｂ）NO2（Ｃ）SO2（Ｄ）皆可

120 ( ) 觸媒燃燒式的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（Ａ）不受溫度與溼度的影響（Ｂ）反應速度慢（Ｃ）操作溫度高

121 ( C ) 觸媒燃燒式的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（Ａ）不受溫度與溼度的影響（Ｂ）反應速度慢（Ｃ）操作溫度高

122 ( ) 場效電晶體型的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（Ａ）穩定性高（Ｂ）反應速度慢（Ｃ）操作溫度高

123 ( B ) 場效電晶體型的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（Ａ）穩定性高（Ｂ）反應速度慢（Ｃ）操作溫度高

124 ( ) 金屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（Ａ）穩定性高（Ｂ）靈敏度較低（Ｃ）操作溫度高

125 ( C ) 金屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（Ａ）穩定性高（Ｂ）靈敏度較低（Ｃ）操作溫度高

126 第四單元太陽能電池複晶吸收層薄膜製備與分析
逢甲大學材料科學與工程學系編製

127 ( ) 高純度的半導體材料形成P型半導體是加入何種雜質(A) 氮 (B) 磷 (C) 硼

128 ( C ) 高純度的半導體材料形成P型半導體是加入何種雜質(A) 氮 (B) 磷 (C) 硼

129 ( ) 高純度的半導體材料形成N型半導體是加入何種雜質(A) 氮 (B) 鋁 (C) 硼

130 ( A ) 高純度的半導體材料形成N型半導體是加入何種雜質(A) 氮 (B) 鋁 (C) 硼

131 ( ) 太陽能電池的發電效果和其面積成正比(A) True, (B) False, (C) Not certain.

132 ( A ) 太陽能電池的發電效果和其面積成正比(A) True, (B) False, (C) Not certain.

133 ( ) 太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往P型區移動的為(A) 空孔 (B) 電子 (C) 中子

134 ( A ) 太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往P型區移動的為(A) 空孔 (B) 電子 (C) 中子

135 ( ) 太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往N型區移動的為(A) 空孔 (B) 電子 (C) 中子

136 ( B ) 太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往N型區移動的為(A) 空孔 (B) 電子 (C) 中子

137 ( ) 太陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從Ｎ區負電極流出(A) 正電 (B) 負電 (C) 不帶電

138 ( B ) 太陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從Ｎ區負電極流出(A) 正電 (B) 負電 (C) 不帶電

139 ( ) 太陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從P區負電極流出(A) 正電 (B) 負電 (C) 不帶電

140 ( A ) 太陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從P區負電極流出(A) 正電 (B) 負電 (C) 不帶電

141 CIGS為一種極具潛力的太陽能電池吸收層材料。具有那些優點（A）低成本（B）高光吸收係數 （C）皆具有
( ) CIGS為一種極具潛力的太陽能電池吸收層材料。具有那些優點（A）低成本（B）高光吸收係數 （C）皆具有

142 ( C ) CIGS為一種極具潛力的太陽能電池吸收層材料。具有那些優點（A）低成本（B）高光吸收係數 （C）皆具有

143 ( ) CIGS為何種結構（A）黃銅礦結構（chalcopyrite）（B）六方晶結構（hexagonul）（C）單斜結構（monoclinik）

144 ( C ) 金屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（Ａ）穩定性高（Ｂ）靈敏度較低（Ｃ）操作溫度高

145 ( ) Ga的掺雜可調節能隙值，會導致能隙值（Eg）增加，對元件的光電轉換效率有很大的好處(A) True, (B) False, (C) Not certain

146 ( A ) Ga的掺雜可調節能隙值，會導致能隙值（Eg）增加，對元件的光電轉換效率有很大的好處(A) True, (B) False, (C) Not certain

147 日常所使用的太陽能電池，一般是以何種材料當作基板(A)玻璃(B) 鐵板 (C)塑膠
( ) 日常所使用的太陽能電池，一般是以何種材料當作基板(A)玻璃(B) 鐵板 (C)塑膠

148 ( A ) 日常所使用的太陽能電池，一般是以何種材料當作基板(A)玻璃(B) 鐵板 (C)塑膠

149 ( ) pn 接面在形成時，空間中的載體分布先天上就已經不均勻，在p 型半導體中的電洞會向何處擴散(A) n 型半導體(B) 空乏區(C)不擴散

150 ( A ) pn 接面在形成時，空間中的載體分布先天上就已經不均勻，在p 型半導體中的電洞會向何處擴散(A) n 型半導體(B) 空乏區(C)不擴散

151 ( ) pn 接面在形成時，空間中的載體分布先天上就已經不均勻，在n 型半導體中的電子會向何處擴散(A) p型半導體(B) 空乏區(C)不擴散

152 ( A ) pn 接面在形成時，空間中的載體分布先天上就已經不均勻，在n 型半導體中的電子會向何處擴散(A) p型半導體(B) 空乏區(C)不擴散

153 ( ) 由於帶電載體的移動，原本每個位置都保持電中性的特性便被破壞，n 型半導體中會帶(A)正電(B) 負電(C)不帶電

154 ( A ) 由於帶電載體的移動，原本每個位置都保持電中性的特性便被破壞，n 型半導體中會帶(A)正電(B) 負電(C)不帶電

155 ( ) 由於帶電載體的移動，原本每個位置都保持電中性的特性便被破壞，p 型半導體中會帶(A)正電(B) 負電(C)不帶電

156 ( B ) 由於帶電載體的移動，原本每個位置都保持電中性的特性便被破壞，p 型半導體中會帶(A)正電(B) 負電(C)不帶電

157 ( ) CuInSe2，其能隙值約為(A) 1.1(B) 3.5(C)5.6 eV

158 ( A ) CuInSe2，其能隙值約為(A) 1.1(B) 3.5(C)5.6 eV

159 ( ) 在CIGS吸收層的製備上有以下幾種方法，何者正確(A)多元素共蒸鍍(B)金屬前驅層硒化(C)皆正確

160 ( C ) 在CIGS吸收層的製備上有以下幾種方法，何者正確(A)多元素共蒸鍍(B)金屬前驅層硒化(C)皆正確

161 ( ) CuInSe2結構，在加入Ga後其能隙值依其百分比可在 (A)1.17 ~1.20 (B) 2.17~2.20(C)3.17~3.20 eV之間調變

162 ( A ) CuInSe2結構，在加入Ga後其能隙值依其百分比可在 (A)1.17 ~1.20 (B) 2.17~2.20(C)3.17~3.20 eV之間調變

163 ( ) 各區的電子與電洞濃度分佈，在中間的離子區，電子與電洞的濃度都較中性區之多數載體濃度為低。由於離子區缺乏可移動的載體，一般將此區稱做(A)空乏區 (B) 本質區(C)異質區

164 ( A ) 各區的電子與電洞濃度分佈，在中間的離子區，電子與電洞的濃度都較中性區之多數載體濃度為低。由於離子區缺乏可移動的載體，一般將此區稱做(A)空乏區 (B) 本質區(C)異質區

165 ( ) 各區的電子與電洞濃度分佈，在p 型中性區中電洞濃度與電子濃度何者最大(A)電洞 (B) 電子(C)相同

166 ( A ) 各區的電子與電洞濃度分佈，在p 型中性區中電洞濃度與電子濃度何者最大(A)電洞 (B) 電子(C)相同