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Published byΒεελζεβούλ Γιάνναρης Modified 6年之前
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第4章 放大电路的频率特性 [问题提出] 前面所讲述的均以单一频率的正弦信号来研究,事实上信号的频率变化比较宽(例如声音信号、图象信号),对一个放大器,当Ui 一定时,f变化 Uo变化,即Au=Uo/Ui 变化,换句话说: Au与f有关。 为什么Au与f有关呢?什么是频率响应? 频率响应:指放大器对不同频率的正弦信号 的稳态响应。其表示方法: Av(f) Φ(f) 其中 Av(f) 为幅频响应、Φ(f)为相频响应。
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幅度频率特性 相位频率特性 放大电路的频率特性包括两部分: 幅频特性是描绘输入信号幅度 固定,输出信号的幅度随频率变化 而变化的规律。即
∣ ∣= ∣ ∣= 相频特性是描绘输出信号与输入 信号之间相位差随频率变化而变化 的规律。即
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幅频特性偏离中频值的现象称为幅度频率失真; 相频特性偏离中频值的现象称为相位频率失真。
这些统称放大电路的频率响应。 幅频特性偏离中频值的现象称为幅度频率失真; 相频特性偏离中频值的现象称为相位频率失真。 放大电路的幅频特性和相频特性,也称为频率响应。因放大电路对不同频率成分信号的增益不同,从而使输出波形产生失真,称为幅度频率失真,简称幅频失真。放大电路对不同频率成分信号的相移不同,从而使输出波形产生失真,称为相位频率失真,简称相频失真。幅频失真和相频失真是线性失真。
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产生频率失真的原因是: 2.三极管的()是频率的函数。 电路中存在着电抗器件是影响频响的主要因
素,研究频响实际上是研究电抗元件的存在,对 放大器放大倍数的影响。 当f低时,主要是耦合电容、旁路电容起作用。 当f高时,主要是PN结电容起作用。 产生频率失真的原因是: 1.放大电路中存在电抗性元件,例如 耦合电容、旁路电容、分布电容、变压 器、PN结电容、分布电感等; 2.三极管的()是频率的函数。 在研究频率特性时,三极管的低频小信号模型不再适用,而要采用高频小信号模型。
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4.1 RC电路的频率响应 4.2 双极型三极管的高频小 信号模型 4.3 共发射极接法放大电路 的频率特性 4.4 多级放大器的频率响应
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4.1 RC电路的频率响应 RC低通电路 RC高通电路
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4.1.1 RC低通电路 RC低通电路如图05. 01所示。 图05.01RC低通电路 其电压放大倍数(传递函数)为
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由以上公式可做出如图05.02所示的RC低通电路的近似频率特性曲线:
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幅频特性的X轴和Y轴都是采用对数坐标, 称为上限截止频率。当 时,幅频特性将以十 倍频20dB的斜率下降,或写成-20dB/dec。在 处的误差最大,有-3dB。 当 时,相频特性将滞后45°,并具有 -45/dec的斜率。在 和 处与实际的相频 特性有最大的误差,其值分别为+5.7°和-5.7°。 这种折线化画出的频率特性曲线称为波特图,是 分析放大电路频率响应的重要手段。
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4.1.2 RC高通电路 RC高通电路如图05.03所示。 其电压放大倍数 为: 式中 下限截止频率、模和相角分别为
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由此可做出如图05.04所示的RC高通电路的近似频率特性曲线。
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4.2 双极型三极管的高频小信号模型 4.2.1.混合π型高频小信号模型 4.2.2 电流放大系数β的频响
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4.2.1混合π型高频小信号模型 (1)物理模型 混合π型高频小信号模型是通过三极管的物理
模型而建立的,三极管的物理结构如图05.05所示。 rbb' ---基区的体电阻,b'是假想的基区内的一个点。 图 双极型三极管 物理模型 --- 发射结电阻 r e rb'e--- re归算到基极回路的电阻 ---发射结电容,也用C这一符号 ---集电结电阻 ---集电结电容,也用C这一符号
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(2)用 代替 根据这一物理模型可以画出混合π型高频小信号模型,如图05.06所示。
(2)用 代替 根据这一物理模型可以画出混合π型高频小信号模型,如图05.06所示。 图05.06高频混合π型小信号模型电路 这一模型中用 代替 ,这是因为β本身就与频率有关,而gm与频率无关。推导如下:
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β0反映了三极管内部,对流经rb'e的电流 的放大作用。 是真正具有电流放大作用的部分,β0 即低频时的β。而
gm称为跨导,还可写成 由此可见gm是与频率无关的0和rb’e的比,因此gm与频率无关。若IE=1mA,gm=1mA/26mV≈38mS。
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(3)单向化 在π型小信号模型中,因存在Cb’c 和rb’c,对求解不便,可通过单向化处理加以变换。首先因rb’c很大,可以忽略,只剩下Cb’c 。可以用输入侧的C’和输出侧的C’’两个电容去分别代替Cb’c ,但要求变换前后应保证相关电流不变,如图05.07所示。 图05.07高频混合π型小信号电路
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4.2.2 电流放大系数β的频响 将下降。因为 是指在 VCE一定的条件下, 在等效电路中可将 CE间交流短路,于 是可作出图05.09的
从物理概念可以解释随着频率的增高,β 将下降。因为 是指在 VCE一定的条件下, 在等效电路中可将 CE间交流短路,于 是可作出图05.09的 等效电路。 图 的等效电路
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由此可求出共射接法交流短路电流放大系数。
β 可由下式推出
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图05.10 三极管β的幅频特性和相频特性曲线 由此可做出β的幅频特性和相频特性曲线, 如05.10图所示。
图 三极管β的幅频特性和相频特性曲线 当20lgβ下降3dB时,频率f 称为共发射极接法的截止频率 当β=1时对应的频率称为 特征频率fT,且有fT≈β0f
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fT≈β0 f可由下式推出 当 f = fT 时, 有 因fT>> f ,所以, fT ≈β0 f
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4.3 共发射极接法放大电路的频率特性 4.3.1 全频段小信号模型 4.3.2 高频段小信号微变等效电路
频响的基本分析方法(频率特性的描写方法): 1、分段描写(高、中、低)根据影响各区段Au 的主要因素进行分析。 2、频响特性用对数描写,幅度以分贝为单位,相 位以度为单位。 4.3.1 全频段小信号模型 4.3.2 高频段小信号微变等效电路 4.3.3 低频段小信号微变等效电路
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4.3.1 全频段小信号模型 对于图05.11所示的共发射极接法的基本放大电路,分析其频率响应,需画出放大电路从低频到高频的全频段小信号模型,如图05.12所示。然后分低、中、高三个频段加以研究。 图05.11 CE接法基本放大电路 图05.12 全频段微变等效电路
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4.3.2 高频段小信号微变等效电路 高频电压放大倍数:
将全频段小信号模型中的C1、C2和Ce短路,即可获得高频段小信号模型微变等效电路,如图05.13所示。 图05.13 高频段微变等效电路 高频电压放大倍数: 其中 Aum为中频电压 放大倍数. 设放大电路的中频电压放大倍数为AvsM,其频率特性曲线与RC低通电路相似。只不过其幅频特性在Y轴方向上上移了20lg AvsM(dB)。相频特性则在Y轴方向上向下移180,以反映单级放大电路倒相的关系。 显然这是一个RC低通环节,其时间常数 H={[(Rs //R'b)+rbb' ]//rb'e}C' 于是上限截止频率fH=1/2H 。 (动画5-3)
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4.3.3 低频段小信号微变等效电路 低频段的微变等效电路如图05.14所示,C1、C2和Ce被保留,C'被忽略。显然,该电路有 三个RC电路环节。当信号频率提高时,它们的作用相同,都有利于放大倍数的提高,相当于高通环节,有下限截止频率。 L1=[(R'b //rbe)+RS]C1 L2=(Rc +RL)C2 L3={Re // [(R'S+rbe)/1+]}Ce 式中R'S = RS// R'b 图05.14 低频段微变等效电路
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如果 L在数值上较小的一个与其它两个相差较大,有4~5倍之多,可将最大的fL作为下限截止频率,然后做波特图。
低频电压放大倍数: 其中: Aum为中频放大倍数 为下限截止频率, =1/2πτL
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完整的频率响应及波特图: 频率响应表达式:
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由以上分析,可知作波特图的步骤: (1)先求出中频电压放大倍数,方法通前; (2)确定分别在高频和低频时影响Au的电容器的 个数; (3)分别求出各电容器回路的时间常数; (4)比较各时间常数,低频时取时间常数小的转 化为fL,高频时取时间常数大的转化为fH, 转化式 f=1/2πτ,如相差很近,一般小于4倍, 则有:
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下面讨论频率响应的改善和增益带宽积: 频率响应的改善主要是通频带变宽,即是高 频时性能的改善,其高频等效电路如图所示: 1、通频带
fbw =fH - fL (要使fbw加宽有两种方法) (1) fL下降(即是使耦合电容C所在回路的时间常数取值大)亦是R或C增大,改善有限。 (2) fH增大(。。。。)就会使Au下降。 于是形成了带宽和增益的矛盾,合理的解决的办法 是综合考虑。
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2、增益带宽积 因为: 设(1+gmRL’)Cµ>>Cπ,则有:Cπ’=(1+gmRL’)Cµ=gmRL’Cµ 所以: 当晶体管选定后rbb’,Cµ 就确定,因此放大倍数与带宽积就确定了。要改善放大电路的高频性能,应选小rbb’,Cob的管子,且Rb要尽量小。
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4.4 多级放大器的频率响应 一、多级放大器频响的一般形式 幅频响应: 相频响应: [以上表明] 多级放大器的幅频特性等于对数幅频特性的代
4.4 多级放大器的频率响应 一、多级放大器频响的一般形式 由于多级放大器总的电压放大倍数满足: 其中Aui为第i级的放大倍数。 幅频响应: 相频响应: [以上表明] 多级放大器的幅频特性等于对数幅频特性的代 数和,相频特性也是各级的代数和。 若在同一个横坐标下,只要将纵坐标叠加即可 得到总的频响特性曲线。
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