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(Multi-layer Ceramic Capacitor, MLCC)是陶瓷電容 器的一種。
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前言 積層陶瓷電容器(MLCC)憑藉著體積小、易於晶片 化、工作溫度範圍廣、生產速度快、高穩定性等優 勢，在近年已逐漸取代其他類型電容器，成為電子 產品大量使用的零組件。此產業的成熟要歸功於學 界與業界之合作與研究，包括更高電容值或可耐更 高電壓的介電材料研發、電極材料之選用、MLCC製 程上的改良、降低整體製程成本等。但隨著電子產 品的微型化，介電材料的拉膜以及堆疊技術都須作 調整。在元件面積縮小的情況下，增加堆疊層數、 減少缺陷產生、維持材料均勻性及穩定性，都是日 後研發的目標。
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原理 當兩金屬片間之電位差為1V，儲存之電荷量為1 庫倫 時，電容器的容量就是1法拉（Farad），以公式表示 如下：C = Q / V
所以電容器的容量與金屬片的面積成正比，但是與兩 金屬片之間的距離成反比，並且與金屬片之間的絕緣 介電質(dielectric)常數有關。電容可以用下面的公式 表下： C = εA / L (A:金屬片的電及面積；L:金屬片電極間的距離；ε:電極 間絕緣物的介電常數)。
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C : 電容量，以 F (法拉) 為單位，而MLCC 之電容值 以 PF, nF,和 µF 為主。
ε：電極間絕緣物的介質常數，單位為法拉／公尺。 K : 介電常數 (依陶瓷種類而不同) A : 導電面積 (產品大小及印刷面積而不同) D : 介電層厚度 (薄帶厚度) n：層數 (堆疊層數)
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陶瓷電容分類 分成單層陶瓷電容與多層陶瓷電容，其電容值含量 與產品表面積大小、陶瓷薄膜堆疊層數成正比，由 於陶瓷薄膜堆疊技術的進步，電容值含量也越高， 漸可取代中低電容如電解電容和鉭質電容的市場應 用，且MLCC可以透過SMT直接黏著，生產速度比 電解電容和鉭質電容更快，加上3C電子商品走向輕 薄短小特性，MLCC易於晶片化、體積小的優勢，成 為電容器產業的主流產品，約占電容產值比重 43%，其次為鋁質電解電容，約32%。
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MLCC因為物理特性有耐高電壓和高熱、運作溫度範 圍廣，且能夠晶片化使體積小，且電容量大、頻率 特性佳、高頻使用時損失率低、適合大量生產、價 格低廉及穩定性高等優點，缺點為電容值較小，遠 不及鋁質電解電容，但因陶瓷薄膜堆疊技術越來越 進步，電容值含量也越高，電氣特性也不斷改進， 應用上已可以取代低電容值的鋁質電容，和價格偏 高且有汙染問題的鉭質電容。
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MLCC以材料特性又分為NME(Noble Metal Electrolde，貴金屬電極)及BME(Base Metal Electrode，卑金屬電極)兩種製程技術，其生成運用 的特性也稍有不同。NME比較穩定，經常作為耐高 壓的產品，價錢也比較貴；BME則屬於低成本的產 品，價差比較大，一般用在比較不挑剔的產品上。
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MLCC產品剖面圖
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MLCC製程流程圖
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MLCC依介電層成型方式分為乾式(胚片疊合式)以及濕 式，一般多為乾式製程。
製程起始為配取分散良好的粉末漿料，漿料中除了主要 的介電陶瓷粉末外，尚須添加分散劑、黏結劑、塑化 劑、潤滑劑、去泡/起泡劑、螯合劑等來滿足不同製程 需求，以達到粉末分散均勻、生胚成型後強度佳等要 求。這些添加劑皆為高分子材料，因此後續製程須以高 溫去除；此外，這些添加劑也會對刮刀成型時生胚 (Foil)的厚度及均勻度造成影響。漿料的載體分為水系 (以水為載體)和油系(以有機溶劑為載體)。 調配好的漿料進入刮刀成型(Tape-casting)開始連續拉 膜製程，成型的生胚經過乾燥後進行電極的網印 (Screen-printing)，接著烘乾、疊壓、裁切、去黏結 劑、共燒，這一系列流程中，去黏結劑和共燒是耗時最 久的兩個步驟，因為太快速的熱處理會造成胚體的缺 陷、孔洞或甚至裂縫產生。
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廠商 日系Murata Mfg (市佔25%)、TDK(佔14%)、Taiyo Yuden(佔8%)、Kyocera、Panasonic，及國內國巨 (市佔13%)、華新科(佔11%)、禾伸堂、天揚、蜜望 實、 達方，與大陸風華高科。 日系廠商皆以高容MLCC為主，國內國巨與華新科以 生產大宗規格之中低容產品為主，禾伸堂則以利基 型高壓、高容MLCC為主。
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參考資料 aspx?keyid=acbd1c e45-811f- 3a9d1d5ee9fb#ixzz3XByFJLVK mary.aspx?ID=535&MID=10104
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