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4 、晶体管最大耗散功率PCM 1）耗散功率和最高结温 （1）耗散功率 分别表示直流供电功率，输出功率和耗散功率 为转换效率，有下式成立 在甲类状态运用时， （2）最大耗散功率PCM=？ PCM受Tjm的限制
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晶体管的 甲类运用 晶体管的 乙类运用
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Tjm=？ Tjm，晶体管能正常、长期可靠工作的pn结温度与器件的可靠性有关。 为了提高可靠性，Tjm还可适当降低。当Tjm一定时，Pcm受散热条件的限制。 2、晶体管的热阻和最大耗散功率
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当传热路径上有几种不同传热物体串联时，总热阻多个热阻的和。
RT1为硅片热阻；RT2为焊片热阻； RT3为管壳热阻；RT4为散热片热阻； RT5为散热片到周围环境的 热阻。RT5与传热的面积有关，传热面积越大，该热阻值就越小。 热平衡时
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二次击穿是晶体管早期失效或突然损坏的主要原因，它已经成为影响晶体管安全可靠使用的重要因素 。
5、二次击穿和安全工作区 二次击穿是晶体管早期失效或突然损坏的主要原因，它已经成为影响晶体管安全可靠使用的重要因素 。 1）二次击穿的现象 IC 从高电压低电流区急剧过渡到低电压大电流区，如果没有保护措施，晶体管将被烧毁。 二次击穿 A(VSB、ISB) 一次击穿 VCE 二次击穿临界功率：
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二次击穿临界线： 不同IB下的点临界点的连接线就是二次击穿临界线。
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2)二次击穿机理 (1)热不稳定理论 (2)防止热不稳定二次击穿应采取的措施 ①提高材料和工艺质量， 减少缺陷，减弱电流集 边效应。 ②在单元晶体管的发 射极条上加镇流电阻
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（3）雪崩注入二次击穿（反向二次击穿） 以N+PN-N+结构为例进行讨论 P N+ N- N+ ⑤ ④ ③ ⑥ ⑦ ② ①
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雪崩注入二 次击穿机理
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（4）防止雪崩注入二次击穿的措施 3）安全工作区 集电极最大工作电流线ICmax 电流集中二次击穿临界线PSBF 最大耗散功率PCmax
雪崩注入二次击穿临界线PSBR 发射极-集电极击穿电压BVCEO BVCEO VCE
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