電晶體的基本構造 (a) NPN型 (b) PNP型 ▲ 圖 4-2 電晶體的結構與電路符號.

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1 電晶體的基本構造 (a) NPN型 (b) PNP型 ▲ 圖 4-2 電晶體的結構與電路符號

2 電晶體的操作原理 ▼ 表4-1 電晶體的操作模式

3 主動區 ▲ 圖4-3 電晶體的主動區工作示意圖 多數載子 擴散電子流 （電子）流 復合電 子流 復合電洞流 N P N 射極 基極 集極
少數載子（電洞）流 復合電洞流 少數載子（電子）流 ▲ 圖4-3 電晶體的主動區工作示意圖

4 飽和區 電晶體實際操作於飽和區時，可視為短路的狀態，即C-E兩端如同一閉合的開關（ON）。 ▲ 圖4-4 電晶體的飽和區工作示意圖
微增將導致 劇減 N P N ▲ 圖4-4 電晶體的飽和區工作示意圖

5 截止區 電晶體操作於截止區時，各極間的電流為零，此時可視為斷路的狀態，即 C-E 兩端如同一打開的開關（OFF）。
空乏區阻止多數 載子越過接面 N P N ▲ 圖4-5 電晶體的截止區工作示意圖

6 反主動區 此區域即是將電晶體在主動區工作時的射極（E）與集極（C）對調使用，如此會造成電晶體的放大倍數及逆向崩潰電壓下降。
只有少量電子能越過 集極雜質濃度低，發射電子的數量少 N P N 部分電子與基極中的電洞復合 ▲ 圖4-6 電晶體的反主動區工作示意圖

7 電晶體的電流分量 (a) NPN型電晶體 (b) PNP型電晶體 ▲ 圖4-7 電晶體的電流方向與電路圖

8 電晶體的a、b 參數 （略小於1） 參數： 參數： （遠大於1）

9 輸入特性曲線 (a) 電路圖 (b) 輸入特性曲線 ▲ 圖4-9 NPN型電晶體共基極組態電路

10 輸出特性曲線 當電晶體作為放大器使用時，必須工作在主動區內；而電晶體在數位電路中當成開關使用時，則工作在飽和區和截止區。
(a) 電路圖 (b) 輸出特性曲線 ▲ 圖4-10 NPN型電晶體共射極組態電路

11 共基極（CB ）組態 在 NPN 型電晶體電路中，VEB < 0、VCB > 0，即電壓VC > VB > VE。
(a) NPN型電晶體 (b) PNP型電晶體 ▲ 圖4-11 共基極組態的連接及偏壓

12 ▲ 圖4-12 NPN型電晶體之共基極組態的特性曲線
CB組態的特性曲線 (a) 射極輸入特性曲線 (b) 集極輸出特性曲線 ▲ 圖4-12 NPN型電晶體之共基極組態的特性曲線

13 共基極組態的放大電路 ▲ 圖4-14 共基極組態的放大電路

14 共射極（CE）組態 在 NPN 型電晶體電路中， 、 ；要注意的是：電晶體工作在主動區時，必須 （B-C逆偏）；即對於NPN型電晶體而言，即電壓 。 (a) NPN型電晶體 (b) PNP型電晶體 ▲ 圖4-15 共射極組態的連接及偏壓

15 ▲ 圖4-16 NPN型電晶體之共射極組態特性曲線
CE組態的特性曲線 (a) 基極輸入特性曲線 (b) 集極輸出特性曲線 ▲ 圖4-16 NPN型電晶體之共射極組態特性曲線

16 共射極組態的放大電路 ▲ 圖4-18 共射極組態的放大電路

17 共集極（CC）組態 在 NPN 型電晶體電路中， 、 ；要注意的是：電晶體工作在主動區時，必須 （B-E順偏）；即對於NPN型電晶體而言，即電壓 。 (a) NPN型電晶體 (b) PNP型電晶體 ▲ 圖4-19 共集極組態的連接及偏壓

18 共集極組態的放大電路 ▲ 圖4-20 共集極組態的放大電路

19 ▼ 表4-2 電晶體三種組態放大器的主要特性比較
▼ 表4-2 電晶體三種組態放大器的主要特性比較

20 電晶體之開關作用 電晶體工作於截止區及飽和區時，其功用有如一電子開關，可控制電流的傳導或截流。 ▲ 圖4-21 NPN型電晶體作為開關電路
(a) 電晶體截止（開路） (b) 電晶體飽和（短路） ▲ 圖4-21 NPN型電晶體作為開關電路