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光譜的產生及意義 報告人:忠信科技 陳忠詰
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報告大綱 壹:“光”的特性。 貳:光譜產生的原理。 參:光譜的分類。 肆:吸收光譜的介紹。 伍:光學光譜的介紹。 陸:抗反射光譜的介紹。
柒:抗反射光譜的變動。
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壹:“光”的特性 一:粒子說(能量特性):能量固定; 直線前進; 二:波動說(傳遞特性):透射與反射; 繞射; 干射;
頻率及振幅決定能量大小 ※停止前進,光線即消失,能量轉成熱量; ※振幅相抵消,光線即減弱(消失),能量轉成熱量;
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圖5.1 電磁波之分類與範圍
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貳:光譜產生的原理
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參:光譜的分類 一:吸收光譜。 二:光學光譜
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肆:吸收光譜的介紹 一:產生原因: (一)分子內原子的相對運動所需的能量固定(E); (二)E=h×ν=h×C∕λ(波長);
(三)相對運動的型態:旋轉、振動、扭曲; 不同運動方式,不同能量,不同波長 =>光譜
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二:強度決定因素: (1)成份 (2)濃度(或含量) 三:會產生吸收光譜的物質:分子結構 (1)有機物; (2)液體:水、溶劑、氨水等; (3)氣體:二氧化碳、氧氣、氮氣等; 四:不會產生吸收光譜的物質: (1)金屬; (2)金屬氧化物:二氧化鈦、二氧化矽; (3)玻璃
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伍:光學光譜的介紹 一:產生原理:光線相互“干射”形成。 二:產生物質:“透光” 、“薄膜”介質“組合” 三:光譜形狀及光線強度決定因素:
(一)介質折射率:本身特性及含量; (二)結晶型態相對折射率; (三)厚度; (四)相對折射率; (五)反射率。
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空氣 反射 一次干射 二次干射 SiO2 TiO2 玻璃
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干射原理 一: 基本原理:干射效應效應要能發揮: δ1→2×H2= δ2→3×H3±(λ∕2) 二: δ的取決因素: (一)本身的結晶性。
(二)本身的純度。 (三)相對的比值。
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以測試波長:580nm, SIO2(δ=1.40)厚度:180nm, TiO2 (δ=2.89)厚度:130nm計
δ1→2 =1.40;δ1→2×H2=252=290-38 δ2→3=2.07;δ2→3×H3×2=539=580-41 二次干射 一次干射
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一次干射 (nm) 厚度 速度 (SD) 二次干射 (TiO2) 250 180 780 540 130 325 328 80 245 235 — 70 110 385 220 157 520 510 123 300
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陸:抗反射光譜的介紹。 一:為何需要“抗反射” ? 二:需要甚麼樣的“抗反射光譜” 。 三:膜層設計。 四:色澤的比較。
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一:為何需要“抗反射” ? LCD的背光光源強度低:避免外部光 線的投影: 一:電視螢幕。 二:儀表。 三:光學系統。
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二:需要甚麼樣的“抗反射光譜”
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白熱燈泡光波長分佈圖
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日光燈管光波長分佈圖
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半螺旋型省電燈泡光波長分佈圖
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抗反射光譜膜層設計 一:高折射介質優先設定:有無限多組。 二:高折射介質厚度設定:λ∕4~ λ∕5:變異小
三:儘可能薄:降低反射(前提:製程安定)。 四:不同折射率的二氧化鈦,不同厚度: 附註説明:折射率低,無法有效抑制長波長(紅光)。 折射率高,反射率亦高,偏藍光。 生產方式 溶劑鍍膜 蒸鍍 水性鍍膜 折射率 2.2 2.4 2.7 設計膜厚 130 119 106
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四:色澤的比較 比較項目 紫紅色 深藍色 蒸鍍 ○ * 溶劑型溶膠 水性溶膠 習慣性 △ 質感 對眼睛的負荷 透光性
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柒:抗反射光譜的變動 變動分類: 一:鍍膜過程光譜變動(同一片)。 二:長期生產過程的變動(不同片)。 三:溶膠合成過程的變動。
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鍍膜過程光譜變動原因 一:厚度變動; 二:孔隙度變動;影響δ(相對折射率) 三:結晶型態變動。
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類別 比重 Ti(OR)4 0.97 1.03 Ti(OR)3(OH) 1.08 - Ti(OR)2(OH)2 1.27 1.18
溶劑型溶膠各種成份的比重及折射率: 類別 比重 折射率 Ti(OR)4 0.97 1.03 Ti(OR)3(OH) 1.08 - Ti(OR)2(OH)2 1.27 1.18 Ti(OR)(OH)3 1.56 Ti (OH)4 2.45 1.42 TiO2(A) 3.90 2.56 TiO2(R) 4.23 2.62 TiO2(B) 4.13 2.59
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比重變動的因素 一:結晶結構的變動(D); D*(V1+V2)=D1*V1+ D2 *V2 二:溶劑(或水)的含量(Ds);
D*(Vd+Vs)=D*Vd+ Ds *VS 三:孔隙度的變動(P)。 D*(Vd+Vs)∕P=D*Vd+ Ds *VS
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比重和厚度的相關性 D2×V2=D2×S×H1=D1×V1=D1×S×H2; ( D:密度,V:體積;H:厚度) 面積不變前提下:
D2×H1×P1=D1×H2×P2(P:孔隙度); D2:D1=(H1×P1):(H2×P2) 若孔隙度不變,只有膜厚變動: 則D2:D1=H1:H2 D*(V1+V2)=D1*V1+D2*V2 假設鍍膜後,溶劑(或水)含量5%,則: D=3.90*0.95+1*0.05=3.755, 若鍍完膜厚為120nm,則烘烤後,膜厚: H=120*3.755∕3.90=115(nm)
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孔隙度和折射率關係 δ(R)= δ(0)*(1-P)+1*P (P:孔隙度:膜層固定後結構變動造成)
例如:同為TiO2,不同孔隙度,其折射率如下: 孔隙度(%) 折射率 2.560 10 2.404 20 2.248(H) 30 2.092(U)
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孔隙度的影響 一:光譜。 二:光譜安定性。 三:機械性能:刮傷、掉膜、亮點、黑點。
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鍍膜過程光譜變動整理 一:A廠: 低溫烘烤:膜厚變動; 高溫燒結:結晶型態變動;孔隙度變動; 強化:孔隙度變動。 二:B廠:
高溫燒結:膜厚、孔隙度、結晶型態均變動; 強化:結晶型態變動。 三:水性: 高溫燒結:不變; 強化:不變。
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長期生產過程的變動(不同片) 一:基本因素: δ1→2×H2= δ2→3×H3±(λ∕2)
δ1→2×H2=【 δ(TiO2)*(1-P)+P 】 ×H3±(λ∕2) 二:詳細說明: (一)結晶結構相對比率變動。 (二)粒徑變動。 (三)濃度(固含量)變動。
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溶膠合成過程的變動 一:原料製作過程,部份水解。 二:原料運送過程,部份水解。 三:原料儲存過程,部份水解。
四:原料儲存時間太久,部份水解。 五:溶膠製作過程,部份參數偏差: 添加速度∕攪拌速度∕抽氣速度‧‧‧ 六:環境因素:溫度、濕度、換氣量: ※絕對濕度。 ※單位時間帶入水氣量
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