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用于MICROMEGAS的二维前端读出芯片研究进展

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Presentation on theme: "用于MICROMEGAS的二维前端读出芯片研究进展"— Presentation transcript:

1 用于MICROMEGAS的二维前端读出芯片研究进展
王娜 电子学二组 实验物理中心 Experiment Physics Center

2 主要内容 MICROMEGAS探测器 MICROMEGAS探测器读出电子学方案 国内外同类读出芯片比较 读出芯片LQTC1.0 工作计划
芯片结构 芯片设计 芯片仿真结果 芯片总结 工作计划

3 MICROMIGAS探测器 MICROMIGAS探测器计数率、位置分辨率要求高
二维读出:X,Y方向的维数分别为nx,ny,以nx=ny=100为例,读出电子学将达到10000路。 需要集成度高的低噪声前端读出ASIC电路 主要参量 单读出条电容 40pF 单读出条电荷量 5-120fC 噪声 <2000e- 线性 修正后<1% 读出通道数 多通道读出

4 MICROMIGAS探测器读出电子学方案
核心功能:电荷-时间转换(QTC)电路 特点:时间和电荷信息同时测量 TOT(Time over Threshold)方法:测量输出脉冲的时间信息,换算得到入射粒子的电荷量,进而得到入射粒子的能量 功能模块:带线性放电结构的前放,甄别器,阈值调节DAC,LVDS输出驱动,TDC电路 探测方法:脉冲的前沿代表信号的到达时刻,脉冲的宽度代表电荷量

5 国内外同类读出芯片 芯片名称 实验 探测器种类 通道数 成形时间(ns) 噪声 动态范围 (fC) 功耗 mW/ch 抗辐射(Mrad)
采用工艺 (um) APV25 CMS Si strip 128 50 246e-+36e-/pF 20 2.7 10 0.25 CARIOCA LHCb MWPC 8 25 450e-+37.4e-/pF 250 12 1 ToPix PANDA Si pixel 128*4 32*4 104e-(640 pixel cells) 15uW/pix 0.13 CASA GEM strip 16 25-100 60.8e-+28.2e-/pF(25ns) 1500 8.9 0.35 GEMROC BSRF 40-640 200 15 LQTC1.0 MICROMEGAS,strip 1026e-+27.5e-/pF SEU

6 APV25结构 128通道 低噪声电荷灵敏前放、成形

7 CARIOCA结构 Current-mode Amplifier 低噪声

8 ToPix结构

9 LQTC1.0芯片结构 特点 电荷灵敏前放做输入级,低噪声,适于小信号输入 线性放电级无需外加控制,自动放电
模拟和数字输出,同时获得电荷量和时间信息 数字输出信号直接由FPGA处理 片内集成DAC调节阈值 单通道结构:电荷灵敏前放,线性放电级,甄别器,DAC设置阈值

10 LQTC1.0芯片设计 低噪声,大动态范围 输出电流被放大KI倍 输出电流形状改变:以 为时间常数到稳态,总电荷量不变 输入级:电荷灵敏前放
tR时间内, 输出电流 电流增益 低噪声,大动态范围 输出电流被放大KI倍 输出电流形状改变:以 为时间常数到稳态,总电荷量不变 Ci = Cd + Cs + Ca

11 LQTC1.0芯片设计 关键结构:线性放电级 实现电荷-时间的转换 TOT:线性放电型 特点:结构和计算方法相对简单 Idis为恒流电流源
Qinj Vth

12 芯片内集成8-bit DAC 数字调节甄别器阈值 输出范围:0.3V - 1.65V INL:<±0.2LSB DNL:<±0.2LSB
LQTC1.0芯片设计 芯片内集成8-bit DAC 数字调节甄别器阈值 输出范围:0.3V V INL:<±0.2LSB DNL:<±0.2LSB

13 LQTC1.0芯片设计 抗辐照设计:Dice latch和三模冗余 DICE:双互锁单元技术,适用于抗单 粒子翻转的存储单元。
抗单粒子翻转(SEU):SEU发生任何一个结点只会使相邻的一个结点跟随其发生翻转,而不会影响另外 2个结点存储的数据。 三模冗余技术:时序电路加固技术 对待加固模块生成2个相同的模块 通过多数表决电路输出 有一个模块受辐射影响,电路依然可以正常工作

14 芯片仿真结果—输出波形 5fC-120fC Vth 27.714ns/fC 前沿t1:代表信号到达时刻 时间宽度 输入电荷量

15 芯片仿真结果--输出波形 大的动态范围 2-200fC,线性需要修正 2fC-200fC 阈值

16 芯片仿真结果--噪声性能 噪声性能:@Cdet=40pF≈2000e- 零电容噪声:1026.3e- 噪声斜率:27.494e-
3-123fC 阈值:1.4fC INL<5.6%

17 芯片仿真结果-线性性能 线性度:INL<3%,5-120fC动态范围

18 芯片仿真结果--时间特性 时间游动 时间晃动 阈值0.8fC 动态范围,5-120fC 输入范围5-120fC 阈值0.8fC

19 芯片总结 芯片性能 最大输入动态范围 2-200fC 噪声 ≈2000e-(@40pF) 线性 INL<3%(修正前,5-120fC)
时间游动 50-25ns(修正前) 时间晃动 5ns(5-120fC输入范围) 通道数 16 功耗 <12mW/ch

20 谢谢! 工作计划 用于MICROMEGAS的LQTC芯片时间表: 第一版,16通道,时间和电荷的同时测量,2013年1月,已流片
第二版,16通道,改进了线性和噪声的问题,2013年5月已流片 第三版,32通道,参数优化,定型,计划2013年年底流片 谢谢!


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