工作报告 苗楠楠 2018.01.11.

Presentation on theme: "工作报告 苗楠楠 2018.01.11."— Presentation transcript:

1 工作报告 苗楠楠

2 GEM 膜孔内及其附近的电场分布（XY方向）
5mm 2mm Cathode Anode Gem foil 1 Gem foil 2 Gem foil 3 1.5kV/cm 3kV/cm 5kV/cm GEM1 GEM2 0V 750V 1020V 1620V 1890V 2490V 2760V 3760V 270V 270V 270V ANSYS网格划分方式： GEM3 MSHKEY,0 SMRT,1 VSEL,S,VOLU,,1,3,2 ASLV,S VMESH,ALL VSEL,S,VOLU,,6,19,13 GEM2的Kapton编号 GEM3的Kapton编号 GEM1的Kapton编号 GAS编号 疑问：为什么GEM1的电场与GEM2和GEM3的不一样？

3 改变网格划分方式之后，三层的电场看起来比较一致。
MSHKEY,0 SMRT,1 VSEL,S,VOLU,,1,3,2 ASLV,S VMESH,ALL VSEL,S,VOLU,,6,19,13 GEM2的Kapton编号 GEM3的Kapton编号 GEM1的Kapton编号 GAS编号 GEM1 GEM2 网格划分改变 MSHKEY,0 SMRT,1 VSEL,S,VOLU,,1,3,2 ASLV,S VMESH,ALL VSEL,S,VOLU,,6 VSEL,S,VOLU,,19 GEM3 改变网格划分方式之后，三层的电场看起来比较一致。

4 t = NT / NOrig number of original electrons (20k) Polya Distribution :
150mm NOrig NG t = NT / NOrig number of original electrons (20k) number of multiplied electrons which can leave the gem foil Polya Distribution : Gem Effective Gain(G0) Transparency τ(%) 1 27.07 86.43 2 20.77 62.45 3 27.80 61.91 第二页网格划分方式 5mm 2mm Cathode Anode Gem foil 1 Gem foil 2 Gem foil 3 1.5kV/cm 3kV/cm 5kV/cm 0V 3760V 2740V 3130V 2140V 1870V 1270V 1000V 750V 1020V 1620V 1890V 2490V 2760V Lia的电压设置 更改后的电压设置 Gem Effective Gain(G0) Transparency τ(%) 1 27.15 86.35 2 20.61 60.41 3 26.54 61.74 更改后的Lia的ANSYS文件

5 第二页网格划分方式 第三页网格划分方式 Gem Effective Gain(G0) Transparency τ(%) 1 27.07
86.43 2 20.77 62.45 3 27.80 61.91 第二页网格划分方式 Gem Effective Gain(G0) Transparency τ(%) 1 19.59 79.94 2 20.75 62.06 3 27.78 62.09 第三页网格划分方式