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專題研究者:電工102 周鴻儒 指導老師:陳建旭 老師 指導教授:李建平 教授
Silicon detectors for charged particles manufactured by conventional planar technology 專題研究者:電工102 周鴻儒 指導老師:陳建旭 老師 指導教授:李建平 教授
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標準矽製程
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實驗方法 將241Am放在偵檢器下，並將偵檢器串聯耦合電容後連接到前置放大器，在前置放大器加上40伏特的電壓，再連接到放大器、ADC、MCA(multiple channel analyser,用來觀測樣本)、PC(取得data)
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量測結果 5.486MeV 5.486MeV 圖一 圖二 圖一~圖三為三種不同放射程度的Am241所偵檢出來的α粒子結果 5.486MeV
從圖形中可由Count數量多寡來判定各種α粒子放射程度的不同，故放射程度的關係為： 圖一>圖三>圖二 圖三
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總結 已完成工作: 光罩設計、標準矽製程元件 未來工作: 量測P-N介面的I-V特性曲線、效率、解析度、和市售偵 檢器的比較以及有無gurad ring下偵檢器的差異性 目前所做出來的成品
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