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布里奇曼法LaBr3:Ce晶体生长 为什么是LaBr3:Ce 晶体生长的问题 晶体生长工艺 晶体性能
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为什么是LaBr3:Ce 光输出 能量分辨率(@662keV) 衰减时间 (ns) 密度 (g/cm3) 生长难易 LaBr3:Ce
（Ph/MeV） 衰减时间 (ns) 密度 (g/cm3) 生长难易 LaBr3:Ce 70000 2.6% 30 5.1 难 LaCl3:Ce 58000 3.2% 28 3.9 较难 LuI3:Ce 80000 ？ 5.6 很难 SrI2:Eu 120000 3.0% 1200 4.55
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晶体生长的问题 LaBr3极易潮解、氧化 LaBr3非常容易开裂 2LaBr3+O2 2LaOBr+2Br2
LaBr3+H2O LaOBr+HCl LaBr3非常容易开裂 （100）严重解理 热膨胀各向异性突出 P63/m a=7.96 c=4.51 定向生长 自发成核技术 a b c
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晶体生长工艺 原料预处理 抽真空封装 晶体生长 水、氧含量 < 1ppm 真空度 ~1pa 温度梯度20~30C/cm
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晶体生长成果 1英寸LaBr3:Ce单晶生长技术已经成熟
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晶体生长成果 毛胚晶体 3850mm3 加工晶体 1010 10mm3
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晶体闪烁性能 X射线激发 紫外激发 射线能谱
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