第10章 存储器接口 罗文坚 中国科大 计算机学院 http://staff.ustc.edu.cn/~wjluo/mcps/

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1 第10章 存储器接口 罗文坚 中国科大 计算机学院

2 本章内容 存储器器件 地址译码 8088和80188（8位）存储器接口 8086~80386SX（16位）存储器接口
80386DX~80486（32位）存储器接口 Pentium~Core2（64位）存储器接口 DRAM

3 存储器器件的引脚 The number of address pins is related to the number of memory locations. Common sizes are 1M to 64GB locations. Therefore, between 20 and 36 address pins are present.

4 存储器器件的引脚（续1） The number of data pins is related to the size of the memory location. For example, an 8-bit wide (byte-wide) memory device has 8 data pins. Catalog listing of 1K X 8 indicate a byte addressable 8K memory.

5 存储器器件的引脚（续2） Each memory device has at least one chip select (CS) or chip enable (CE) pin that enables the memory device. This enables read and/or write operations. If more than one are present, then all must be 0 in order to perform a read or write.

6 存储器器件的引脚（续3） ROM OE# or G#. RAM OE# and WE# R/W#

7 存储器中的数据组织 存储字：计算机系统中，作为一个整体一次存放和取出内存储器的数据称为“存储字”。
字节编址：一个存储地址对应一个8位存储单元。 Intel x86：低地址，低字节 Motorola 680X0：低地址，高字节 32位存储字 H在内存中的存放情况

8 本章内容 存储器器件 地址译码 8088和80188（8位）存储器接口 8086~80386SX（16位）存储器接口
80386DX~80486（32位）存储器接口 Pentium~Core2（64位）存储器接口 DRAM

9 存储芯片结构与译码方式 器 双译码可以简化译码电路和驱动电路。

10 片内地址 vs. 片外地址

11 地址译码技术 简单的与非门译码器 3-8线译码器（74LS138） 双2-4线译码器（74LS139） PLD可编程译码器

12 本章内容 存储器器件 地址译码 8088和80188（8位）存储器接口 8086~80386SX（16位）存储器接口
80386DX~80486（32位）存储器接口 Pentium~Core2（64位）存储器接口 DRAM

13 8088存储系统（512KB）

14 本章内容 存储器器件 地址译码 8088和80188（8位）存储器接口 8086~80386SX（16位）存储器接口
80386DX~80486（32位）存储器接口 Pentium~Core2（64位）存储器接口 DRAM

15 8086存储系统 数据总线16位，要求一次既可以访问一个字节，又可以访问一个字。 奇偶分体：BHE#和BLE#（A0）

16 本章内容 存储器器件 地址译码 8088和80188（8位）存储器接口 8086~80386SX（16位）存储器接口
80386DX~80486（32位）存储器接口 Pentium~Core2（64位）存储器接口 DRAM

17 80386DX~80486的存储器组织 字节允许线BE0#~BE3# ，用来选通数据总线的不同部件。

18 本章内容 存储器器件 地址译码 8088和80188（8位）存储器接口 8086~80386SX（16位）存储器接口
80386DX~80486（32位）存储器接口 Pentium~Core2（64位）存储器接口 DRAM

19 Pentium~Core2的存储器组织 8个存储体

20 本章内容 存储器器件 地址译码 8088和80188（8位）存储器接口 8086~80386SX（16位）存储器接口
80386DX~80486（32位）存储器接口 Pentium~Core2（64位）存储器接口 DRAM

21 DRAM芯片 DRAMs must be refreshed (rewritten) every 2 to 4 ms
Since they store their value on an integrated capacitor that loses charge over time. This refresh is performed by a special circuit in the DRAM which refreshes the entire memory. Refresh also occurs on a normal read, write or during a special refresh cycle. The large storage capacity of DRAMs make it impractical to add the required number of address pins. Instead, the address pins are multiplexed. 行地址、列地址分两次送入。

22 DRAM芯片Intel 2164A 地址总线：A0~A7 行地址,列地址选择：RAS#，CAS# 读写控制：WE#
数据输入/输出： DIN，DOUT VCC，VSS NC 容量：64K×1位 存取时间：150ns/200ns 每2ms需刷新一遍，每次刷新512个单元。

23 DRAM芯片Intel 2164

24 256K×1DRAM的内部结构 RAS#与CAS#

25 本章小结 存储器器件 10.1节，存储器引脚 地址译码 与非门译码器、3-8译码器、2-4译码器 8088和80188（8位）存储器接口
8086~80386SX（16位）存储器接口 80386DX~80486（32位）存储器接口 Pentium~Core2（64位）存储器接口 了解8086~Core2的存储器组织方式 DRAM 了解RAS#与CAS#引脚的作用

26 作业 习题15，习题21。