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2013年第二学期计划 王玲
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研究计划
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基本思路 trap I nt分布 DC recovery IGZO Vth shift S A B AC M
1.借鉴charge trap memory的分析，可知 整个insulator中都有电荷nt分布 2.Region A中nt 通过tunnel可恢复，Region B中电荷难恢复 3.Region B 中的电荷分布对Vth recovery 很重要
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IGZO charge trap model 1 4 Gate 3 Al2O3/SiO2 2 S I M
1,2:trap assisted tunnel in/out 3:capture 4:emit from the trap:PF/thermal
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基本方程 3.Capture the electrons in insulator 4.PF emission：nt，E
3.Capture the electrons in insulator 4.PF emission：nt，E 1.2 Trap assisted tunnel S(x)=exp(-x/a) 仅发生在界面附近几纳米的范围内
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Region A：1,2,3,4 (nin<<ns,忽略3) Region B：3
Region A：1,2,3,4 (nin<<ns,忽略3) Region B：3.capture nin主要来自regionA中nt通过4释放的电子 1 2 S I M 4 3 ns nin nt A S I M B
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光应力+电应力 光应力引起的电荷残留可通过加电应力来消除，对改善可靠性可能有帮助
Sanghun Jeon, et al, Nature Material, VOL 11, APRIL 2012
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Future work 推导IGZO charge trap model 考虑光应力,电应力的结合对可靠性的影响
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