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组会报告 14.1.6
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本周工作 栅电极/栅介质 双层金属 氧化电压 Td3 Al/150nm Al2O3 栅极不图形化 10nm Zn+70nmAl-Nd
50/70V Td9 20nm Zn+70nmAl-Nd Td10 （单层膜） 无 25/50/70V
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本周工作 减薄Zn的厚度，解决了阳极氧化时掉胶的问题。 < 10 nm
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问题：器件无法关断。 做退火处理，还是无法关断。
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可能原因：1）沟道的Zn没有完全阳极氧化，残留一层Zn膜，使得沟道很导电，从而使器件无法关断。
解决方案：在栅极上加足够大的正电压，电场是否能够驱动O2-以及金属离子的进一步移动，使得残留的Zn被进一步阳极氧化。 进一步的计划： 1、根据实验结果斟酌是否改用Ta2O5作为介质，重复一下前面的工作。并进一步增加氧化电压和时间，排除实验的偶然性，验证阳极氧化金属制备TFT方案的可行性。 2、单层Al进行阳极氧化后，如果按照推测，应该也会残留一层Al膜，因此可以根据这个实验验证推测原因是否合理。
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选择Ta2O5? field strength dependent migration processes modify the properties of anodic oxides . However, these effects are much more significant for aluminum than for tantalum. This big difference is surprising since the electrochemical properties migration of both ion types during growth, film formation factor ）are quite similar. For aluminum atoms one could speculate about a lower activation energy for a hopping process from the metal into the oxide compared to tantalum “The Field Dependence of Aging Processes : Ion Migration in Anodic Oxide Films after Potentiostatic Formation”，Journal of The Electrochemical Society, 2007
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