工作报告 苗楠楠.

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1 工作报告 苗楠楠

2 CGEM 模拟 APDL脚本 input output Garfield++ APDL脚本 ANSYS ANSYS
四个lis 文件： ELIST.lis 记录每个元素的材料信息和其所包含的节点序号； NLIST.lis 记录节点序号和它们的空间位置； MPLIST.lis 记录材料属性表； field.lis 则记录每个节点的电势值。它们将被用作Garfield++的输入文件。 ANSYS 四个lis 文件： ELIST.lis 记录每个元素的材料信息和其所包含的节点序号； NLIST.lis 记录节点序号和它们的空间位置； MPLIST.lis 记录材料属性表；field.lis 则记录每个节点的电势值。它们将被用作Garfield++的输入文件。 APDL（ANSYS参数化设计语言）脚本 ： 构建CGEM几何，设置工作电压

3 *电压设置 Thickness (mm) Voltage (V) Field (kV/cm) Cathode Drift 5 625
1.25 (1.25) G1_TOP (Cu) 0.003 Gap 0.050 380 76 G1_BOTTOM (Cu) Transfer1 2 400 2 (3) G2_TOP(Cu) 370 74 G2_BOTTOM(Cu) Transfer2 G3_TOP(Cu) 360 72 G3_BOTTOM(Cu) Induction 800 4 (5) Anode ground *电压设置 GEM3 漂移电极 读出电极 GEM2 GEM1 Drift 5mm Transfer1 Transfer2 Induction 2mm -1160V -3335V -2710V -2330V -1930V -1560V -800V 0V

4 *ANSYS输出

5 *电子入孔效率统计 漂移区（z向）均分50个bin，取bin中心处每个bin模拟1000次电子（固定x, y 坐标），统计进入GEM1的电子数被上层铜膜吸收所占的比例。 径迹 Drift Transfer1 Transfer2 Induction 5mm 2mm x z

6 *洛伦兹角 模拟电子在漂移区的漂移过程得到洛伦兹角为19.5度 𝜹𝝓(cm) Drift 5mm Transfer1 2mm x
𝜹r(cm) x 径迹 Drift Transfer1 Transfer2 Induction 5mm 2mm 模拟电子在漂移区的漂移过程得到洛伦兹角为19.5度

7 *倍增电子簇团偏移量的分布及大小 模拟1000个原初电离电子通过第一层GEM膜后电子簇团分布的大小和位置偏移及增益 事例数 增益
(a) (b) (c) (d) 增益 事例数 倍增电子簇团偏移量的分布，(a)为𝜙向，(c)为z向； 倍增电子簇团大小的分布，(b)为𝜙向，(d)为z向 单个原初电子产生的总电子数

8 *倍增电子簇团偏移量的分布及大小 模拟500个原初电离电子通过第二层GEM膜后电子簇团分布的大小和位置偏移及电子增益 单个原初电子产生的
(a) (b) (c) (d) 单个原初电子产生的 总电子数 倍增电子簇团偏移量的分布，(a)为𝜙向，(c)为z向； 倍增电子簇团大小的分布，(b)为𝜙向，(d)为z向

9 *问题 GEM1电场 GEM2电场 GEM3电场 GEM1电场分布与GEM2和GEM3有差别？？

10 模拟电子通过GEM1的倍增放大过程，倍增电子主要被下层铜膜吸收