2010年Q1我國12吋晶圓廠量產現況 (匯率:US$1=NT$31) 公司 名稱 廠商編號(共16座) 晶圓廠編號 工業局編號

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2010年Q1我國12吋晶圓廠量產現況 (匯率:US$1=NT$31) 公司 名稱 廠商編號(共16座) 晶圓廠編號 工業局編號 (共20座) 晶圓廠 工程期 地點 投片時間 最大產能 (片/月) 製程 (um) 投資金額 (新台幣億元) 主要產品 備註 聯電 1 Fab 12A - 南科 2001 40,000 0.065 930億 Foundry (30億美元) 2 Fab 12i 新加坡 2004 3 Fab 12B 2008 1550億 (50億美元) 2007年1月8日動土,2008年下半年裝機,2009年Q3啟用 台積電 4 Fab 12 (第1期) 竹科 2002 80,000 697.5億 (22.5億美元) 5 (第2,3期) 2005 775億 (25億美元) 6 (第4期) 2009 研發晶圓廠 0.045 20091117-電詢台積電,目前Fab 12第4期已完工量產 Fab 14 7 496億 (16億美元) 8 (第2期) 2006 2007年初已正式投產,於2007年2月底,產能約達3萬片/月。 9 (第3期) 2008初 2006年6月1日動土,2009Q3開始裝機。 力晶 Fab P1 10 45,000 0.07 620億 Memory (20億美元) Fab P2 11 700億 Fab P3 12 購自旺宏3廠,2006 Q3投片,Q4開始量產快閃記憶體,產能已達2萬片。 華亞 Fab 1 13 桃園 62,000 778億 由英飛淩與南亞合資成立, 於2005年開始轉換至90奈米生產 , 2006年2月產能達64,00片。 Fab 2 14 920億 2005年5月1日動土;2006年10月裝機試產。預期於2007Q4開始量產。Fab 1與 Fab 2合併產能已達月投片量12萬片。 茂德 15 20,000 434億 (14億美元) 規劃將現有8吋廠設備全面升級到12吋晶圓月產3萬片生產規模。 Fab 3 16 中科 65,000 1,426億 (46億美元) 2006年9月開始導入70奈米技術試產,2007年Q2開始量產。 2008.10..21電訪茂德, 目前產能為40,000片

2010年Q1我國12吋晶圓廠量產現況(續) (匯率:US$1=NT$31) 公司 名稱 廠商編號(共16座) 晶圓廠編號 工業局編號 (共20座) 晶圓廠 工程期 地點 投片時間 最大產能 (片/月) 製程 (um) 投資金額 (新台幣億元) 主要產品 備註 茂德 13 Fab 4 17 - 中科 2007 65,000 0.07 825億 Memory 2006年7月5日動土,8月引進量產設備,11月正式量產,第4季月投片量可達1.5萬片,預計到2008年6月Fab4 投片量將增至6萬片。 2008.10..21電訪茂德, 目前產能為40,000片 瑞晶 14 Fab R1 18 80,000 1,200億 2006年3月31日動土, 07年7月投片,Q3正式量產,預計2008年開始引進量產機台月投片量將達7萬片。 華邦 15 Fab 6 19 2006 30,000 490億 Logic、Memory 2004年7月動土,2005年9月試產,2006Q2正式量產,產能規劃為每月24, 000片 。該12吋廠共有Fab A及Fab B兩個廠,Fab A 產能填滿後啟動Fab B 廠。 南亞科 16 Fab 3A 20 泰山 62,000 839億 2006年3月15日動土,廠區位於林口特定區工12工業區,2008Q1第一階段產能30,000片。

2010年Q1我國12吋晶圓廠建置現況 (匯率:US$1=NT$31) 公司 名稱 廠商編號 (共0座) 晶圓廠編號 工業局編號 (共2座) 工程期 地點 投片時間 最大產能 (片/月) 製程 (um) 投資金額 (新台幣億元) 主要產品 備註 華亞科 - (未定) (暫緩) 桃園 2009 60,000 68奈米 Memory 20081021-原南亞和美光合作之亞美科技已取消,改由南亞之8吋廠升級成華亞之12吋廠 (美光投入4億美元) , 20090626-電聯華亞科高總經理瞭解得知,目前改租用南亞科原8”廠房。將作為美光南亞科的RD中心,由華亞科負責。目前視經費籌募狀況,最快將於明年進行轉換。 瑞晶 Fab R2 中科 80,000 0.07 1100億 2007年8月動土, 08年6月移入設備、10月試產 ,預估2009年量產。(20090313詢問目前暫緩) (20090630-廠房接近完工,量產時程則視景氣待訂。) 20090929-詢問陳章鑑副總,廠房主體完成,視2010年景氣狀況投產 台積電 Fab 12 1 (第5期) 竹科 2010 研發晶圓廠 0.045 1500億 Foundry 建置研發中心位於竹科三期園區三五路。 2008 6/27電話與台積電confirm,2座廠合計投資美金50億,約新台幣1500億元,且其中一座應為研發中心,而非12吋晶圓廠。(20090313電詢發言人,今年第4期會啟用) 20100210-FAB12第五期著手進行,預計於今年第3季迅速完工裝機並且開始量產, 除了負責28奈米產品的量產之外,同時也將擔負22奈米及更先進製程技術的研發重任 Fab 14 2 (第4期) 南科 20100210-台積電Fab14第4期廠房,將過完農曆年後開始動土興建,並預計迅速於今年年底完工裝機,屆時台積電Fab14廠將成為全球最大的群聚大型晶圓廠(Giga-Fab),總月產預計達50萬片。 力晶 Fab P4 40,000 0.05 2000~2500億 位於竹科三期園區三五路。 Fab P5 未定 50 奈米

2010年Q1我國12吋晶圓廠規劃狀況 (匯率:US$1=NT$31) 公司名稱 廠商編號 (共7座) 晶圓廠 編號 工業局編號 工程期 地點 投片 時間 最大產能 (片/月) 製程 (um) 投資金額 (新台幣億元) 主要產品 備註 瑞晶 1 Fab R3 (原12E廠) - (中科) 未定 60,000 55/40奈米 2200億 Memory 未定。土地持續租用中 20090929-詢問陳章鑑副總,目前用地仍繼續承租,並部份使用中 2 Fab R4 (原12F廠) 55/40 奈米 台積電 3 Fab 15 南科 80,000 0.045 1000億 Foundry 未定。 4 (未定) 中科 65奈米 2400億 台中園區 18.44公頃。 20090914-詢問中管局王科長,已經再度申租 南亞科 Fab 3B (暫緩) 台北 預計2007年6月內部通過投資計畫書。2008/11/25縣府核准建照,預定2009年Q2開始動工。 20090120-宣布今年暫緩建廠。 華亞 5 Fab3 桃園 6 Fab4 世界先進 7 竹科 位於竹科三期園區三五路。

我國晶圓廠座數統計表 工業局晶圓廠座數統計表:依晶圓廠工程期編號來計算座數 廠商晶圓廠座數統計表:依晶圓廠編號來計算座數 「20座已量產(含聯電新加坡廠1座);2座建置中;7座規劃中」 公司別  台積電 聯電 世界先進 力晶 瑞晶 華亞 南亞 茂德 華邦 小計 合計 已量產 Foundry 6 2 1*(UMCi) 9 20 Memory 3 1 11 建置中 (4暫緩) 2(暫緩) 1(暫緩) 規劃中 7 (1暫緩) 4 廠商晶圓廠座數統計表:依晶圓廠編號來計算座數 「16座已量產(含聯電新加坡廠1座);0座建置中;7座規劃中」 公司別  台積電 聯電 世界先進 力晶 瑞晶 華亞 南亞 茂德 華邦 小計 合計 已量產 Foundry 2 1*(UMCi) 5 16 Memory 3 1 11 建置中 (4暫緩) 2(暫緩) 1(暫緩) 規劃中 7 (1暫緩) 4 備註:1*(UMCi)指聯電新加坡廠