数字电子技术 Digital Electronics Technology

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第二章 逻辑门电路 内容概述 第一节 标准TTL与非门 第二节 其它类型TTL门电路 第三节 ECL逻辑门电路 第四节 I2 L逻辑门电路
第二章 逻辑门电路 2.1 基本逻辑门电路 一、二极管与门和或门电路 1.与门电路.
模拟电子电路习题课1 ——主讲教师: 玄玉波.
第3章 分立元件基本电路 3.1 共发射极放大电路 3.2 共集电极放大电路 3.3 共源极放大电路 3.4 分立元件组成的基本门电路.
2.1 歷史簡述 金氧半導體 (CMOS) 電晶體的操作,被當成是一種理想的開關。
触发器实现波形 整形及脉冲延时的研究 实验目的 实验原理 实验内容 注意事项.
第二章 门电路 本章重点及要求: 1、理解半导体二极管和三极管的开关特性;2、掌握分立元件组成的“与、或、非”门电路;3、理解TTL集成门电路和CMOS集成门电路;4、掌握集成门电路的逻辑功能和正确使用方法。5、理解TTL与非门的电压传输特性、输入输出特性等参数。 § 2—1 概述 一、逻辑门电路 门电路----能完成基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。
第20章 门电路和组合逻辑电路 20.1 脉冲信号 20.2 基本门电路及其组合 20.3 TTL门电路 20.4 CMOS门电路
第3章 集成逻辑门 1. 二极管 - A K 阴极 阳极 + - 正向 P区 N区 反向 导通区 截止区 PN结 A K 击穿区 + 0.5
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第三章 门电路.
第三章 门电路.
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實驗十三 接面場效電晶體特性(JFET) 實驗目的 學習量測並描繪接面場效電晶體(JFET)的汲極特性曲線。
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概 述 一、门电路的概念 实现基本逻辑运算和常用复合逻辑运算的电子电路 与 非 门 或 非 门 异或门 与或非门 与 非 与 与 门 或 门
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第四章 CMOS电路与逻辑设计 MOS晶体管 MOS的物理结构 CMOS版图与设计规则 基本CMOS逻辑门 基本门版图设计
第四章 门电路 数字集成电路的分类 数字集成电路按其集成度可分为: 按内部有源器件的不同:
6.4 同步时序逻辑电路的设计方法 简单同步时序逻辑电路的设计
第16章 逻辑门电路 16.1 最简单的门电路 16.2 集成TTL门电路 16.3 CMOS逻辑门电路.
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2.5 MOS 门电路 MOS门电路:以MOS管作为开关元件构成的门电路。
半导体 集成电路 学校:西安理工大学 院系:自动化学院电子工程系 专业:电子、微电 时间:秋季学期 2019/2/16.
第一章 半导体材料及二极管.
第二章 双极型晶体三极管(BJT).
逻辑门电路.
第三章 逻辑门电路 实现基本逻辑运算和常用复合逻辑运算的电子电路 与 非 门 或 非 门 异或门 与或非门 与 非 与 与 门 或 门
第 3 章 集成逻辑门电路 概 述 分立元件门电路 TTL 集成逻辑门电路 CMOS 集成逻辑门电路 TTL电路与CMOS电路的接口
第20章 门电路和组合逻辑电路 20.1 脉冲信号 20.2 基本门电路及其组合 20.3 TTL门电路 20.4 MOS门电路
第四章 门电路 数字集成电路的分类 数字集成电路按其集成度可分为: 按内部有源器件的不同:
第6章 第6章 直流稳压电源 概述 6.1 单相桥式整流电路 6.2 滤波电路 6.3 串联型稳压电路 上页 下页 返回.
晶体管及其小信号放大 (1).
第7章 集成运算放大电路 7.1 概述 7.4 集成运算放大器.
10.2 串联反馈式稳压电路 稳压电源质量指标 串联反馈式稳压电路工作原理 三端集成稳压器
集成运算放大器 CF101 CF702 CF709 CF741 CF748 CF324 CF358 OP07 CF3130 CF347
第二章 逻辑门电路 2.1 二极管的开关特性及二极管门电路 2.2 三极管的开关特性及反相器门电路 2.3 TTL逻辑门电路
2.4 TTL门电路 返回 TTL与非门 集成门电路电气特性及主要参数 抗饱和TTL与非门
晶体管及其小信号放大 (1).
第二章 双极型晶体三极管(BJT).
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第二章 门电路 本章重点 半导体二极管和三极管(包括双极型和MOS型)开关状态下的等效电路和外特性 TTL电路的外特性及其应用(难点)
3.4 TTL门电路 TTL反相器 1. 电路结构和工作原理 输出级
集成与非门在脉冲电路中的应用 实验目的 1. 了解集成与非门在脉冲电路中 的某些应用及其原理。 2. 学习用示波器观测波形参数与
常用数字逻辑门电路的研究.
第六讲 数字集成电路 4.1 数字集成电路的分类与特点 退出 TTL数字集成电路
电子控制技术 三极管的工作原理 灵溪第二高级中学.
第三章 集成逻辑门电路.
3.1 数字集成电路的分类 第三章 集成门电路 3.2 TTL 与非门工作原理 3.3 CMOS 门电路 各种系列门电路的性能比较
信号发生电路 -非正弦波发生电路.
实验九 TTL与非门参数测量 一、实验目的 了解TTL与非门参数的意义和使用注意事项 学习TTL非门参数的测量方法.
第四章 MOSFET及其放大电路.
电工电子技术实验 电工电子教学部.
3.3 TTL 集成逻门 介绍: TTL集成逻辑门电路主要由双极型三极管组成。由于输出极和输入极都是晶体三极管,所以称:晶体管—晶体管逻辑门电路。(Transistor-Transistor Logic ) TTL集成电路特点: 稳定可靠、开关速度高、参数稳定、 电路生产工艺成熟。
第二章 集成门电路 2.1 概述 2.2 TTL 门电路 2.3 CMOS 门电路 2.4 各种集成逻辑们的性 能比较 第2章 上页 下页
第二章 门 电 路 本章的重点: 本章的难点: 1.半导体二极管和三极管(包括双极性和MOS型)开关状态下的等效电路和外特性。
双极型晶体三极管 特性曲线 西电丝绸之路云课堂 孙肖子.
第 10 章 运算放大器 10.1 运算放大器简单介绍 10.2 放大电路中的负反馈 10.3 运算放大器在信号运算方面的应用
9.6.2 互补对称放大电路 1. 无输出变压器(OTL)的互补对称放大电路 +UCC
第9章 门电路与组合逻辑电路 9.1 数字电路概述 9.2 逻辑代数与逻辑函数 9.3 逻辑门电路 9.4 逻辑门电路的分析和设计
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数字电子技术 Digital Electronics Technology 第3章 门电路 海南大学《数字电子技术》课程组 教学网址:http://hainu.edu.cn/szjpkc 讨论空间:http://975885101.qzone.qq.com/ E-mail: 975885101@qq.com 2018/9/18

3.1 概述 1. 门电路 2. 高低电平 高电平:数字电路中较高电平代数值的范围。 3. 正负逻辑 3.1 概述 1. 门电路 是用以实现逻辑关系的电子电路,与基本逻辑关系相对应。门电路主要有:与门、或门、与非门、或非门、异或门等。 2. 高低电平 高电平:数字电路中较高电平代数值的范围。 低电平:数字电路中较低电平代数值的范围。 3. 正负逻辑 正逻辑:用高电平代表1、低点平代表0。在数字电路中,一般采用正逻辑系统。 负逻辑:用高电平代表0、低点平代表1。 2018/9/18

3.1 概述 4. 集成电路 IC(Integrated Circuits):将元、器件制作在同一硅片上,以实现电路的某些功能。 3.1 概述 Positive Logic Negative Logic v v VH 1 VH VL VL 1 t t 4. 集成电路 IC(Integrated Circuits):将元、器件制作在同一硅片上,以实现电路的某些功能。 SSI(Small-Scale Integration): 10个门电路。 MSI(Medium-Scale Integration):10~100个门电路。 LSI(Large-Scale Integration):1000~10000个门电路。 VLSI(Very Large-Scale Integration): 10000个门电路。 2018/9/18

3.2 半导体二极管门电路 1. 半导体二极管的开关特性 3.2 半导体二极管门电路 1. 半导体二极管的开关特性 用来接通或断开电路的开关器件应具有两种工作状态:一种是接通(要求其阻抗很小,相当于短路),另一种是断开(要求其阻抗很大,相当于开路)。 二极管具有单向导电性:正向导通,反向截止,相当于一个受电压控制的电子开关。 二极管加正向电压时导通,伏安特性很陡、压降很小(硅管为0.7V,锗管为0.3V),可以近似看作是一个闭合的开关。二极管加反向电压时截止,反向电流很小(nA级),可以近似看作是一个断开的开关。把uD<UT=0.5V看成是硅二极管的截止条件。 2018/9/18

3.2 半导体二极管门电路 2018/9/18

3.2 半导体二极管门电路 在低速脉冲电路中,二极管开关由接通到断开,或由断开到接通所需要的转换时间通常是可以忽略的。然而在数字电路中,二极管开关经常工作在高速通断状态。由于PN结中存储电荷的存在,二极管开关状态的转换不能瞬间完成,需经历一个过程。 tre=ts+tf 叫做反向恢复时间。该现象说明,二极管在输入负跳变电压作用下,开始仍然是导通的,只有经过一段反向恢复时间tre之后,才能进入截止状态。由于tre的存在,限制了二极管的开关速度 。 2018/9/18

3.2 半导体二极管门电路 2. 二极管与门 3. 二极管或门 A B Y 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 MOS门电路:以MOS管作为开关元件构成的门电路。 MOS门电路,尤其是CMOS门电路具有制造工艺简单、集成度高、抗干扰能力强、功耗低、价格便宜等优点,得到了十分迅速的发展。 MOS管有NMOS管和PMOS管两种。当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中,且二者在工作中互补,称为CMOS管(意为互补)。MOS管有增强型和耗尽型两种。在数字电路中,多采用增强型。 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 1. MOS管的开关特性 Vgs=0 → Rds 106 () → I  10-6 (A)  0 (1)NMOS管的开关特性 Vgs  Vgs(th) → Rds  10 () << RL →VRds 0 D接正电源 截止 导通 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 (2)PMOS管的开关特性 D接负电源 导通 截止 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 2. CMOS反相器 A Z 1 PMOS管 工作特点:TP和VTN总是一管导通而另一管截止,流过VTP和VTN的静态电流极小(纳安数量级),因而CMOS反相器的静态功耗极小。这是CMOS电路最突出的优点之一。 NMOS管 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 VIN Q1 Q2 VOUT VDD=+5.0V VDD=+5.0V Q2 (PMOS) VIN=L VOUT=H A VDD=+5.0V Z Q2 (PMOS) Q1 (NMOS) 拉电流IOH VDD=+5.0V VIN=H VOUT=L VIN Q1 Q2 VOUT 0.0(L) off on 5.0(H) 灌电流IOL 5.0(H) on off 0.0(L) 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 3. CMOS反相器的静态特性 电压传输特性和电流传输特性 BC段:转折区 阈值电压UTH≈VDD/2 转折区中点:电流最大 AB段:截止区 iD为0 CMOS反相器 在使用时应尽 量避免长期工 作在BC段。 CD段:导通区 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 CMOS逻辑电平和噪声容限 VDD VOHmin High-state HIGH DC noise margin VDD ABNORMAL HIGH LOW VOHmin VIHmin VILmax VOLmax High-state DC noise margin Low-state DC noise margin VOHmin=VDD–0.1V VNH =VOHmin -VIHmin VOLmax=0.1V VIHmin=0.7VDD VNL = VILmax -VOLmax VILmax=0.3VDD 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 扇出系数 逻辑门所能够驱动同类门(输入端)的个数。 总的扇出系数是高、低电平状态下扇出系数中较小的一个。 IOLmax: 保证输出不高于VOLmax的低电平最大灌电流。 IOHmax:保证输出不低于VOHmin的高电平最大拉电流。 2018/9/18

下降时间tf:输出从高电平转换到低电平所需的时间。 上升时间tr:输出从低电平转换到高电平所需的时间。 3.3 CMOS门电路 4. CMOS反相器的动态特性 转换时间 : 逻辑电路的输出从一个状态转换到另一个状态所需的时间。 (a) ideal case tr tf (b) approximation tr tf VIHmin VILmax (C) actual case 下降时间tf:输出从高电平转换到低电平所需的时间。 上升时间tr:输出从低电平转换到高电平所需的时间。 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 传输延迟 : 逻辑电路的输入变化到其输出发生相应变化所间隔的时间。 tpHL tpLH tpHL: 输入变化导致输出从高电平到低电平变化所间隔的时间。 tpHL tpLH 50% VIH 50% VOH CMOS反相器的传输延迟 tpLH:输入变化导致输出从低电平到高电平变化所间隔的时间。 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 功耗 静态功耗: 逻辑电路输出状态不发生变化时的功耗。 大多数CMOS电路具有很低的静态功耗,所以在很多低功耗的场合采用CMOS集成电路。 动态功耗: 逻辑电路输出状态发生变化时的功耗,其值比静态功耗大得多。 PC: 平均功耗;PT: 瞬时导通功耗;PD: 总的动态功耗。 CPD: 功耗电容; CL: 负载电容。 VDD: 电源电压。 f : 信号频率。 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 5. 其它类型的CMOS门电路 与非门 A VDD Z B Q1 Q2 Q3 Q4 A B Q1 Q2 Q3 Q4 L H off on A B Z 1 A B Z 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 VDD A B Z 或非门 Q4 Q2 Q1 Q3 A B Q1 Q2 Q3 Q4 Z L H off on A B 1 A B Z 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 In principle, you could design a CMOS NAND or NOR gate with a large number of inputs. A VDD Z B Q1 Q2 Q3 Q4 Q6 C Q5 Why couldn't a CMOS gate has large number of inputs? 扇入系数:逻辑门输入端的个数(Ni )。 I2 I3 I4 I1 OUT I6 I7 I8 I5 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 传输门 若 C =1(接VDD )、C’ =0(接地),当uI =1时,VTN导通;uI =0 时,VTP导通;所以VTP和VTN至少有一管导通,使传输门TG导通。 若 C =0(接VDD )、C’ =1(接地),VTP和VTN都截止,使传输门TG截止。 由于VTP和VTN在结构上对称,所以图中的输入和输出端可以互换,又称双向开关。 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 (3)应用举例 ① CMOS模拟开关:实现单刀双掷开关的功能。 C = 0时,TG1导通、TG2截止,uO = uI1; C = 1时,TG1截止、TG2导通,uO = uI2。 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 ② CMOS三态门 当EN= 0时,TG导通,F=A; 当EN=1时,TG截止,F为高阻输出。 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 VCC A B Q1 Q2 Z L L off off open L H off on open Z 漏极开路门 B VCC Z Q2 Q1 A A B Q1 Q2 Z L L off off open L H off on open H L on off open H H on on L RP A B Z VP RL 上拉电阻 A B Z 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 VP RP Z=VOHmin IOHmin ILH RL VP RP Z=VOLmax ILL IOLmax RL Pull-up resistor calculation A B Z=VOHmin VP RP ILH IOHmin RL Open-drain gates can be useful in driving light-emitting diodes (LEDs) and other devices; performing wired logic; and driving multisource buses. A B Z=VOLmax VP RP ILL IOLmax RL 2018/9/18

Voltage of hysteresis =VT+-VT- 3.3 CMOS门电路 施密特触发器 VOUT VIN VT- VT+ 2.1 2.9 5.0 Voltage of hysteresis =VT+-VT- 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 6. CMOS电路的优点 (1)微功耗。 CMOS电路静态电流很小,约为纳安数量级。 (2)抗干扰能力很强。 输入噪声容限可达到VDD/2。 (3)电源电压范围宽。 多数CMOS电路可在3~18V的电源电压范围内正常工作。 (4)输入阻抗高。 (5)负载能力强。 CMOS电路可以带50个同类门以上。 (6)逻辑摆幅大。(低电平0V,高电平VDD ) 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 74 FAM nn 7. CMOS系列及命名方法 最早的商用 CMOS集成电路为 4000系列,现以下列方法命名: 前缀 系列助记符 功能数字 前缀:74—商用系列;54—军用系列。 助记符:以字母表示系列类型。 功能数字:以数字表示电路的逻辑功能。 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 助记符: HC( High-speed CMOS ,高速CMOS 系列); HCT(High-speed CMOS, TTL compatible ,与TTL兼容的高速CMOS 系列); VHC(Very High-speed CMOS,甚高速CMOS 系列); VHCT: Very High-speed CMOS, TTL compatible,与TTL兼容的甚高速CMOS 系列)。 例:74HC04-商用高速CMOS 六反相器; 74HCT00-商用高速CMOS 四-二输入与非门。 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 8. CMOS电路的使用注意事项 输入电路的静电保护 CMOS电路的输入端设置了保护电路,给使用者带来很大方便。但是,这种保护还是有限的。由于CMOS电路的输入阻抗高,极易产生感应较高的静电电压,从而击穿MOS管栅极极薄的绝缘层,造成器件的永久损坏。为避免静电损坏,应注意以下几点: (1)所有与CMOS电路直接接触的工具、仪表等必须可靠接地。 (2)存储和运输CMOS电路,最好采用金属屏蔽层做包装材料。 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 8. CMOS电路的使用注意事项 输入电路的静电保护 CMOS电路的输入端设置了保护电路,给使用者带来很大方便。但是,这种保护还是有限的。由于CMOS电路的输入阻抗高,极易产生感应较高的静电电压,从而击穿MOS管栅极极薄的绝缘层,造成器件的永久损坏。为避免静电损坏,应注意以下几点: 多余或暂时不用的输入端的处理 (1)多余或暂时不用的输入端的不能悬空; (2)与其它输入端并联使用。 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 (3)将不用的输入端按照电路功能要求接电源或接地。比如将与门、与非门的多余输入端接电源,将或门、或非门的多余输入端接地。一般,接电源时需接上拉电阻;接地时需接下拉电阻。典型值1-10k。 电路设计与安装应尽量消除噪声,保证电路稳定工作。 (1)在每一块插板的电源线上,并接几十μF的低频去耦电容和0.01~0.047μF的高频去耦电容,以防止TTL电路的动态尖峰电流产生的干扰。 (2) 整机装置应有良好的接地系统。 2018/9/18

3.3 CMOS门电路 例: A An unused inputs can be tied to another. F B C An unused AND or NAND input can be tied to logic 1. An unused OR or NOR input can be tied to logic 0. pull-up resistor A B F C 1k A B F C +5V 1k pull-down resistor 2018/9/18

3.4 TTL门电路 1. 双极性三极管的开关特性(静态) 1. 双极性三极管的开关特性(静态)  在数字电路中,三极管作为开关元件,主要工作在饱和和截止两种开关状态,放大区只是极短暂的过渡状态。 2018/9/18

3.4 TTL门电路 2. 三极管的开关时间(动态特性) 存储时间ts 延迟时间td 上升时间tr 下降时间tf 开启时间ton 2. 三极管的开关时间(动态特性) 存储时间ts 延迟时间td 上升时间tr 下降时间tf 开启时间ton 关闭时间toff 2018/9/18

3.4 TTL门电路 (1) 开启时间ton :三极管从截止到饱和所需的时间。 ton = td +tr td :延迟时间 tr :上升时间 (2) 关闭时间toff :三极管从饱和到截止所需的时间。        toff = ts +tf ts :存储时间(几个参数中最长的;饱和越深越长) tf :下降时间 toff > ton 。  开关时间一般在纳秒数量级。高频应用时需考虑。 2018/9/18

3.4 TTL门电路 3. TTL反相器(Transistor-Transistor Logic) (1)电路结构和工作原理 当输入高电平时, uI=3.6V,VT1处于倒置工作状态,集电结正偏,发射结反偏, uB1=0.7V×3=2.1V IB2=(5-2.1)/4=0.725mA 假定 2>10,若T2工作于放大状态,则 IC2>7.25mA 所以 VC2<VCC-IC2R2=-6.6V 故T2不可能工作于放大状态和截止状态,只可能是饱和状态。 因VB4=VCES2+VBE5=1V VT4截止。VT5状态取决于外电路,在输出电流小于IOLmax时,输出为低电平uO=0~0.3V。 2.1V 3.6V 0.3V 2018/9/18

3.4 TTL门电路 1V 0.3V 3.6V 当输入低电平时, uI=0.3V,VT1发射结导通, uB1=0.3V+0.7V=1V VT2和VT5均截止,VT4和VD导通。输出高电平 uO =VCC -UBE3-UD-IB4R2 ≈5V-0.7V-0.7V=3.6V 1V 0.3V 3.6V 2018/9/18

3.4 TTL门电路 采用推拉式输出级利于提高开关速度和负载能力 VT3组成射极输出器,优点是既能提高开关速度,又能提高负载能力。 当输入高电平时,VT4饱和,uB3=uC2=0.3V+0.7V=1V,VT3和VD截止,VT4的集电极电流可以全部用来驱动负载。 当输入低电平时,VT4截止,VT3导通(为射极输出器),其输出电阻很小,带负载能力很强。 可见,无论输入如何,VT3和VT4总是一管导通而另一管截止。这种推拉式工作方式,带负载能力很强。 2018/9/18

3.4 TTL门电路 (2)TTL反相器的电压传输特性及参数 VT4截止,称关门 截止区 线性区 VT4饱和,称开门 转折区 饱和区 2018/9/18

3.4 TTL门电路 输出高电平UOH   典型值为3V。 输出低电平UOL 典型值为0.3V。 2018/9/18

返回 3.4 TTL门电路 开门电平UON 一般要求UON≤1.8V 关门电平UOFF 一般要求UOFF≥0.8V   电压传输特性曲线转折区中点所对应的uI值称为阈值电压UTH(又称门槛电平)。通常UTH ≈1.4V。   2018/9/18

3.4 TTL门电路 噪声容限( UNL和UNH ) 噪声容限也称抗干扰能力,它反映门电路在多大的干扰电压下仍能正常工作。UNL和UNH越大,电路的抗干扰能力越强。 2018/9/18

3.4 TTL门电路 (3)TTL反相器的输入特性和输出特性 输入伏安特性 2018/9/18

3.4 TTL门电路 两个重要参数: (1) 输入短路电流IIS 当uI = 0V时,iI从输入端流出。 iI =-(VCC-UBE1)/R1 =-(5-0.7)/4 ≈-1.1mA (2) 高电平输入电流IIH 当输入为高电平时,VT1的发射结反偏,集电结正偏,处于倒置工作状态,倒置工作的三极管电流放大系数β反很小(约在0.01以下),所以 iI = IIH =β反 iB2 IIH很小,约为10μA左右。 2018/9/18

3.4 TTL门电路 输入负载特性   TTL反相器的输入端对地接上电阻RI 时,uI随RI 的变化而变化的关系曲线。 2018/9/18

3.4 TTL门电路   在一定范围内,uI随RI的增大而升高。但当输入电压uI达到1.4V以后,uB1 = 2.1V,RI增大,由于uB1不变,故uI = 1.4V也不变。这时VT2和VT4饱和导通,输出为低电平。 虚框内为TTL反相器的部分内部电路 2018/9/18

3.4 TTL门电路 ROFF RON RI→ ∞悬空时? RI 较小时,关门,输出高电平; RI 较大时,开门,输出低电平; 2018/9/18

3.4 TTL门电路   (1) 关门电阻ROFF —— 在保证门电路输出为额定高电平的条件下,所允许RI 的最大值称为关门电阻。典型的TTL门电路ROFF≈ 0.7kΩ。      (2) 开门电阻RON—— 在保证门电路输出为额定低电平的条件下,所允许RI 的最小值称为开门电阻。典型的TTL门电路RON≈ 2kΩ。   数字电路中要求输入负载电阻RI ≥ RON或RI ≤ ROFF ,否则输入信号将不在高低电平范围内。   振荡电路则令 ROFF ≤ RI ≤ RON使电路处于转折区。 2018/9/18

3.4 TTL门电路 输出特性  (a) 输出高电平时的输出特性 拉电流负载 负载电流iL不可过大,否则输出高电平会降低。 2018/9/18

3.4 TTL门电路 (b) 输出低电平时的输出特性 灌电流负载 负载电流iL不可过大,否则输出低电平会升高。一般灌电流在20mA以下时,电路可以正常工作。典型TTL门电路的灌电流负载为12.8 mA。 2018/9/18

3.4 TTL门电路 (4 )TTL反相器的动态特性 传输延迟时间tpd 平均传输延迟时间tpd表征了门电路的开关速度。 tpd =(tpLH +tpHL)/2 2018/9/18

3.4 TTL门电路 4. 其他类型的TTL门电路 (1) TTL与非门 2.1V 有0 输出1 1V 全1 输出0 2018/9/18

3.4 TTL门电路 集电结导通 箝位于1.0V 有0.3V 多发射极三极管 全为3.6V   每一个发射极能各自独立形成正向偏置的发射结,并可使三极管进入放大或饱和区。 2018/9/18

3.4 TTL门电路 (2)集电极开路门(OC门) 集电极开路 2018/9/18

3.4 TTL门电路 例:用OC门实现电平转换 2018/9/18

3.4 TTL门电路 (3)三态门 1 Y=AB 截止 EN = 0时,电路为正常的与非工作状态,所以称控制端低电平有效。 1 截止 Y=AB    EN = 0时,电路为正常的与非工作状态,所以称控制端低电平有效。 2018/9/18

3.4 TTL门电路 1.0V 1.0V 截止 高阻 截止 导通 1 当EN = 1时,门电路输出端处于高阻状态。 2018/9/18

3.4 TTL门电路 用“▽”表示输出为三态。 低电平有效 控制端低电平有效的三态门 高电平有效 控制端高电平有效的三态门 2018/9/18

3.4 TTL门电路 (4)肖特基系列TTL门电路 肖特基三极管(Schottky Transistors) R2 + VIN - VCE=0.2V VBE=0.6V VBC=0.4V base emitter collector Why can propagation delay be reduced by using a Schottky transistor ? + VIN - VCE=0.35V VBE=0.6V VBC=0.25V + 0.25V - R2 R1 VIN VOUT Q1 VCC 2018/9/18

返回 3.4 TTL门电路 TTL与非门 What is the purpose of the 120- resistor R5? VA Diode AND gate and input protection Output stage Phase splitter Active load 2018/9/18

返回 3.4 TTL门电路 74 FAM nn 5. TTL系列 系列助记符 功能数字 前缀 74S(Schottky TTL): 肖特基TTL系列,比普通74系列速度高,但功耗大。 74LS(Low-power Schottky TTL):低功耗肖特基TTL系列,比普通74系列速度高,功耗只有其1/5。 74AS(Advanced Schottky TTL):改进型肖特基TTL系列,比普通肖特基系列速度高一倍,功耗相同。 2018/9/18

3.4 TTL门电路 返回 74ALS(Advanced Low-power Schottky TTL):改进型低功耗肖特基TTL系列,比74LS系列的功耗低、速度快。 74F(Fast TTL): 高速肖特基TTL系列,功耗、速度介于 74AS 和 74ALS 之间。 TTL集成电路多余或暂时不用的输入端的处理 (1)多余或暂时不用的输入端的一般不悬空,但可以悬空;悬空时相当于接高电平。 (2)与其它输入端并联使用。 (3)将不用的输入端按照电路功能要求接电源或接地。一般,接电源时需接上拉电阻;接地时需接下拉电阻。典型值1-10k。 2018/9/18

作业 P150-159 3.1-3.6; 3.7的(a)、(c); 3.8-3.10; 3.14-3.16; 3.23 2018/9/18