IC封裝
目錄 何謂封裝 發展趨勢 IC封裝技術簡介 未來發展
何謂封裝 半導體封裝（semiconductor package），是一種用於容納、 包覆一個或多個半導體元器件或積體電路的載體/外殼， 外殼的材料可以是金屬、塑料、玻璃、或者是陶瓷。 當半導體元器件核心或積體電路等從晶圓上刻蝕出來並切 割成為獨立的晶粒以後，在積體電路封裝階段，將一個或 數個晶粒與半導體封裝組裝或灌封為一體。 半導體封裝為晶粒提供一定的衝擊/劃傷保護，為晶粒提 供與外部電路連接的引腳或觸點，在晶粒工作時幫助將晶 粒工作產生的熱量帶走。
發展趨勢
IC封裝技術簡介 目前較先進的IC封裝技術共可分為： 球狀閘陣列封裝( Ball Grid Array, BGA) 細間距銲線封裝(Fine Pitch Wire Bonding) 覆晶封裝(Flip Chip)
球狀閘陣列封裝( Ball Grid Array, BGA) 將IC的接腳以錫球取代，並將錫球以陣列的模式排列。 BGA的電路通常以層狀基板(BT-based)或聚亞醯胺薄膜構 成。因此，整個基板或薄膜的空間都可用來配置互連線路。 BGA擁有較低的接地或電感效應的優點，故能與印刷電路 板之間配置較短的接地或電力電路。 可運用強化散熱機制(散熱片、散熱球等)來降低散熱阻抗。 此技術提供的更高效能，適合支援需要強化電子與散熱效 率的各種高功率與高速IC。
細間距銲線封裝(Fine Pitch Wire Bonding) 縮小導線間的距離，符合晶粒設計整合高I/O數的要求，能大幅降 低成本，並將應用範圍延伸到更多的產品。 目前應用領域包括多功能整合IC及如如網路晶片、DVD插放器晶片 組、DVD-ROM晶片組、CD-RW晶片組、藍芽晶片、基頻、射頻、 微小控制器與記憶體的晶片等主流高階產品。
覆晶封裝(Flip Chip) 覆晶技術逐漸成為主流的主要因素包括： 更短的組裝週期時間 更高的訊號密度與更小的晶粒尺寸 更小的封裝規格 由於將晶片倒置後再連接至基板或導線架則稱為覆晶。 採用焊料或金質凸塊進行連結。因此，I/O pad可配置在晶片的表 面，而不必侷限在週圍區域，讓晶片與電路尺寸得以縮減並進行最 佳化調整。 優點就是因不採用打線，故能減低訊號的電感效應，以符合高速元 件的需求。目前最常應用於中央處理器、晶片組、繪圖晶片、記憶 體、網路微處理器等高階產品。 覆晶技術逐漸成為主流的主要因素包括： 更短的組裝週期時間 更高的訊號密度與更小的晶粒尺寸 更小的封裝規格 優越的電子運作效能
IC封裝製程
未來發展 3D封裝技術 3D IC是將處理器晶片、可程式化邏輯閘(FPGA)晶片、記 憶體晶片、射頻晶片(RF)或光電晶片，裸晶打薄之後直接 疊合透過TSV鑽孔連接。就像原先一層樓的平房往上疊了 好幾層成為大樓，從中架設電梯使每個樓層相互連通一樣。 目前3D IC中，可分為同質性的3D Stack(3D立體堆疊)，以 及可用於異質性整合的3D IC封裝製程。前者較適用於相 同性質晶片的裸晶堆疊與整合，像即將浮出檯面的DDR4 記憶體晶片，就會採用Wide I/O封裝接腳以及3D Stacks堆 疊封裝技術。 3D IC可改善記憶體、邏輯晶片甚至異質性晶片的性能與 可靠度，同時縮小產品尺寸並減低成本。
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