實驗七 電晶體BJT特性 實驗目的 學習量測並描繪電晶體的集極特性曲線。 學習使用萬用電表測量電晶體的hFE值及判斷電晶體的腳位。

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實驗七 電晶體BJT特性 實驗目的 學習量測並描繪電晶體的集極特性曲線。 學習使用萬用電表測量電晶體的hFE值及判斷電晶體的腳位。 電子學實驗 陳瓊興編

電晶體分類 電晶體(Transistor)有兩大類: 雙極性接面電晶體(BJT) NPN PNP TTL (電晶體-電晶體邏輯閘) IC 74XX系列 場效電晶體 (FET) 接面場效電晶體(JFET): N channel and P channel MOSFET: NMOS and PMOS CMOS(互補式MOS) IC 4XXX系列 電子學實驗 陳瓊興編

雙極性接面電晶體 (a)NPN (b)PNP 圖7-1 BJT之標準符號 圖7-2 電晶體的順-逆偏壓 電子學實驗 陳瓊興編

電子學實驗 陳瓊興編

表7-1常用電晶體之規格 編 號 規 格 備 註 Vcbo Ic Pc βDC(hFE) 2SA495 50V 150mA 400mW 編 號 規 格 備 註 Vcbo Ic Pc βDC(hFE) 2SA495 50V 150mA 400mW 70~240 PNP 2SA684 60V 1A 1W 約160 2SA733 100mA 250mW 約200 2SA1015 2SC945 NPN 2SC1384 2SC1815 2SD313 3A 30W 40~320 MJ2955 100V 15A 115W 約40 2N3053 700mA 約150 2N3055 2N3569 80V 500mA 800mW 2N222A 75V 625mW 2N4355 電子學實驗 陳瓊興編

雙極性接面電晶體 圖7-6 電晶體的二種包裝(a)金屬外殼包裝(b)鋁外殼外殼(c)一般塑膠外殼包裝 電子學實驗 陳瓊興編

電晶體偏壓電路 (a)NPN (b)PNP 電子學實驗 陳瓊興編

HM6042 curve tracer 圖7-10曲線描跡器 集極特性曲線 電子學實驗 陳瓊興編

實驗說明 由於不同廠牌萬用電表之設計,判斷BJT電晶體腳位時,需適當搭配PNP與NPN之切換。以便取得正確之訊息。 項目二:電晶體集極特性曲線描繪 注意:當推動電流不足時,VRC將接近0V,所以要注意電源供應器的VCC電流推動是否足夠。否則需增大電流供給,即調整電源供應器的電流旋鈕。 電子學實驗 陳瓊興編