Lam2300金屬薄膜與介電質乾蝕刻機 技術資料
Overview 設備主要為氧化矽蝕刻與金屬蝕刻設備與光阻去除灰化，設備規格為8吋晶圓，群集式(Cluster)的蝕刻設備系統示意圖。 金屬薄膜蝕刻腔體 介電質蝕刻腔體 真空傳輸模組 大氣傳輸模組 真空/大氣交換模組 卡匣放置模組模組 氣體盤面系統 光阻去除灰化腔體
Module 一、傳送系統： 卡匣放置模組 (Cassette Load Port Modules) 兩組主要為 wafer cassette 放置處，其功用為偵測cassette wafer 位置與數目，以便機械手臂傳送至大氣傳輸模組(Atmosphere Transfer module ATM) 。 大氣傳輸模組(Atmosphere Transfer module ATM)一組 ，主要負責對準晶圓位置，並且將晶圓傳送至真空傳輸模組(Vacuum Transfer module VTM) 。 真空傳輸模組(Vacuum Transfer module VTM)一組，主要 保持製程腔體的潔淨度Class1，壓力在一大氣壓下，並且負責傳送晶圓至製程腔體。
Process Module 二、金屬薄膜製程腔體系統： 變感耦合式金屬薄膜蝕刻製程腔體(TCP Metal Layer Etch Chamber)一組，有獨立控制上電極與下電極之輸出功率，主要蝕刻項目材料為邏輯製程蝕刻等Metal Pad,Metal Line結構之設備，其中蝕刻金屬薄膜層材料為鋁(Al)、鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鎢(W)等..。 Process condition: Nano scale Process pressure:8mtorr~100mtorr Process gas:Cl2、BCl3、HBr、Ar、CH2F2、CH4 、O2etc.. RF Top :13.56MHZ RF Bot :13.56MHZ Process temperature:60oC
Process Module 三、介電質製程腔體系統： 反應離子式金屬層間引洞蝕刻製程腔體(RIE Dielectric Via Layer Etch Chamber) 一組，具有兩組獨立的射頻電漿產生源供應器(RIE Plasma Source)，分別為高、低兩組不同射頻頻率，主要蝕刻項目材料為邏輯製程蝕刻接觸窗(Contact) 或隔離層(spacer)等結構之設備，其中蝕刻材料為氧化矽(SiOx)、氮化矽(Si3N4、SiON)等材料之乾式蝕刻製程。 Process condition: Nano scale Process pressure:8mtorr~100mtorr Process gas:CO、C4F8、C4F6、Ar、CF4 、O2etc.. RF Top :27MHZ RF Bot :2MHZ Process temperature:140oC
Process Module 四、光阻去除灰化製程腔體系統： 利用微波產生器進行氣體的解離，已達到氣體分子與光阻反應並且利用高溫加速光阻灰化的動作。 Process pressure:8mtorr~100mtorr Process gas:N2、 DI vapor、O2.. Process temperature:225oC RF frequency:2.45GHZ