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■ 材料種類     A Material B Material

■ 材料種類     K Material H Material

■ 材料特性及應用 EBM-A : General Signal Line (I/O PORT) ■ 材料特性及應用     EBM-A : General Signal Line (I/O PORT) EBM-B : High Speed Signal Line (LCD panel , Clock Signal , RAM bus) EBM-K : General Signal Line (I/O PORT) Frequency higher then A material EBM-H : Ultra High Speed Signal Line( >100MHz) ACM : Medium Current Line (1A~3A) BCM : Large Current Line(4A~6A)

■ 材料特性及應用    

■ 製程中控制因子     依歐姆定律 V=IR 在定電壓條件下欲得到較大電流的通過減少功率 P=I²R 的消耗, 必須降低導體本身的電阻(R=ρL/A) 而減低電阻的方法: 1.減少L線長 2.增加導體截面積 3.增加導體傳導性(降低抵抗因子)

■ 製程中控制因子     一.減少線長在製程中, 因為又須考量到容量,在容量趨近臨界下 限 是 不可行, 因為在容量的量測時公式的運算是 Z² = R² +(XL-XC)² 當DCR(直流電阻)降低時, R即降低, 相對Z亦降低. 二.增加導體截面積:即所謂線徑, 如何增加截面積 ? 1.控制本體網版的塗膜厚度 2.控制本體網版的印刷次數(重疊)本體. 3.控制本體網版的線寬(從設計圖→底片→網版→改善) 三.增加導體傳導性 導電性良好的導體相對直流電阻, 交流電阻降低亦會影響容量: 但電阻降低亦可使電流增加, 增加導體傳導性, 可改變 SILVER PASTE 固成份含量 如: 使用純銀或含鈀量較少的銀.

■ 製程中控制因子 當因以上原因受限於容量使DCR無法降低時, 亦可選用陶瓷體導磁係數較高的材料, 以降低磁阻. ■ 製程中控制因子     當因以上原因受限於容量使DCR無法降低時, 亦可選用陶瓷體導磁係數較高的材料, 以降低磁阻. 晶片磁珠本身繞線成形後如一螺桿結構而依螺桿形成的磁場形式可依下式作概略計算:(電感) L=NΦ/I(磁通量)Φ=(磁通密度)B * (截面積)A B=μ(N/l)I N/l:每單位長度的圈數 L = N μ(N/l) I A / I = μAN²/l 正比.

■ 製程中控制因子 當導磁係數增高, 電感量也相對提高, 容量的計算也因此升高. ■ 製程中控制因子     當導磁係數增高, 電感量也相對提高, 容量的計算也因此升高. 同樣也可調整本體所繞截面積(A), 增加所繞匝數(N),降低每層之間厚度(L), L(電感量增加後): XL=2πf L C =1/2πf C Z²= R² + (XL-XC)² Q= X / R D= 1 / Q 關係電感的品質因素, 又因此提高, 又因DCR的降低, Q的值又可再升高.

■ 製程中控制因子    

■ 製程中控制因子    

■ 線圈印製    

■ 切割    

■ 先期特性    

■ 製程進度    

■ 產品應用     Application Audio Line EBM-A EBM-B

■ 產品應用     EBM-A EBM-B Application Audio Connectors

■ 產品應用     Application USB Hub and Connector EBM-A EBM-B

■ 產品應用     Application Video Card EBM-B

■ 產品應用     Application Power

■ 產品應用     Application High Frequency Ceramic Chip Inductors HBL series

■ 產品應用     Application Bead Array ECM series

Application Common Mode Choke COM series ■ 產品應用     Application Common Mode Choke COM series

■ 產品應用    

■ 材料雜訊抑制比較    EBM-B EBM-A

■ 新開發規格: BCA SERIES    

■ 製程比較   

■ BCAS V.S EBMS SERIES MAXECHO V.S MURATA