第七章 半导体存储器
第七章 半导体存储器 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式 ！单元数庞大 ！输入/输出引脚数目有限 输入/出电路 I/O 第七章 半导体存储器 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式 ！单元数庞大 ！输入/输出引脚数目有限 输入/出电路 I/O 输入/出 控制
二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型
7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、结构
二、举例
A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm 地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 1
两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数”
掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性
7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同
7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 写入时，要使用编程器
7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM）
二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM）
三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管）
7.3 随机存储器RAM 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 一、结构与工作原理
二、SRAM的存储单元 六管N沟道增强型MOS管
7.3.2* 动态随机存储器（DRAM） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理
7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 例：用八片1024 x 1位→ 1024 x 8位的RAM
7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 例：用四片256 x 8位→1024 x 8位 RAM
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7.5 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 地 址 地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 1 A0~An-1 W0 W(2n-1)
7.5 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 地 址 地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 1
地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 1
二、举例