1.5 集成电路 1. 集成电路分类 集成电路按制造工艺分有：半导体集成电路、薄膜集成电路、厚膜集成电路和混合集成电路。
用平面工艺（氧化、光刻、扩散、外延）在半导体晶片上制成的集成电路称半导体集成电路（也称单片集成电路）。
用薄膜工艺（真空蒸发、溅射）或厚膜工艺（丝网印刷、烧结），将电阻、电容等无源元件及互连线制作在同一块绝缘衬底上，再焊接上晶体管管芯，使其具有一定功能的电路，叫薄膜或厚膜集成电路。 如果再把单片集成电路装入焊上，则又称为混合集成电路。
半导体集成电路按有源器件分为双极型、MOS型以及双极-MOS型集成电路。 按集成度分有小规模（SSI）、中规模（MSI）、 大规模（LSI）、 超大规模（VLSI） 、以及甚大规模（ULSI）集成电路。
2. 集成电路型号命名。 集成电路发展十分迅速，特别是中大规模集成电路的发展，使各种功能的通用和专用集成电路大量涌现，类别之广，型号之多令人眼花缭乱。国外各大公司生产的集成电路，在数字标号上基本一致的，但字头却有所不同，一般都是公司有各自的规定。因而在使用国外集成电路时，应有相应手册或型号互换表，以便正确选用器件。
国内生产的集成电路大部分厂家按国家标准命名，但也有些厂按自己厂标命名。因而在选用国内集成电路时，也应具有厂家的产品手册以及互换表。 根据国家标准GB3430—82，我国的半导体集成电路的型号命名由五个部分组成。表1-12
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用字母表示器件符合国家标准 用字母表示器件的类型 用阿拉伯数字表示器件的系列和品种代号 用字母表示器件的工作温度范围 用字母表示器件的封装 符号 意义 C 中国制造 T H E F D W J B M μ ┆ TTL HTL ECL CMOS 线性放大器 音响电视电路 稳压器 接口电路 非线性电路 存储器 微型机电路 7400 R 0～70℃ -40～85℃ -55～85℃ -55～125℃ P K 陶瓷扁平 塑料扁平 全密封扁平 陶瓷直插 塑封直插 黑陶瓷直插 金属菱形 金属圆形
示例:肖特基TTL双4输入与非门
3.集成电路封装形式 集成电路常用的封装材料有塑料、陶瓷和金属三种。封装外形很多，基本形式有扁平型、双列直插型、单列直插型、圆筒型和菱形等 。 扁平型 圆筒形型 双列直插型 单列直插型 图2-17 集成电路封装的基本形式
集成电路引脚识别
集成电路引脚识别
集成电路引脚识别
1.5.1 数字集成电路（略） 1.5.2 模拟集成电路（略） 1.5.3 音乐集成电路（略）
4.使用与注意事项 ①集成电路在使用时不允许超过极限值，在电源电压变化不超过额定值的±10%时，电参数应符合规范值。电路在使用的电源接通与断开时，不得有瞬时电压产生，否则会使电路击穿。
②集成电路使用温度一般在-30～85℃之间，在系统安装时应尽量远离热源。 ③集成电路如用手工焊接时，不得使用大于45W的电烙铁，连续焊接时间应不超过10s。
④对于MOS集成电路，要防止栅极静电感应击穿。此外，一切测试仪器（特别是信号发生器和交流测量仪器）、电烙铁、线路本身均需良好接地。
MOS电路的“与非”门输入端不能电位悬空，不用时接电路正极，特别是加上源、漏电压时，若输入端悬空，用手触及到输入端时，由于静电感应极易造成栅极击穿烧坏集成电路。此外在存放时，必须将其放置于蔽屏盒内，或用金属纸包装，以防止外界电场将栅极击穿。
5、集成电路的检测 集成电路的检测与半导体的检测相类似，由于集成电路是半导体器件和电阻、电容、电感等元件集成而成，引脚之间同样呈现出正反向电阻。
通常检测各引脚相对公共地线的正反向电阻，即是当红表笔固定接地，而黑表笔分别接其它所有引脚，读出正向电阻；当黑表笔固定接地，而红表笔分别接其它所有引脚，读出反向电阻。 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 正向 反向
通过将怀疑或有问题的集成电路与正常的集成电路的实测正反向电阻值进行比较，一般可发现问题。如果电阻过大，通常可能有开路现象。如果电阻过小，通常可能有短路现象。
集成电路也可采取测量在路电阻或在路电压来进行检测。
在路测量集成电路各引脚对地电压的方法，在维修中采用得最多。因为集成电路的正常工作需要一个正常的直流电压（直流工作点）。当电压出现偏差时，就意味着电路（集成电路或外围电路）可能出现故障。 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 电压
如果电压过高，通常可能出现负载开路、对高电源或高电位短路现象。如果电压偏低，通常可能有对地短路现象。