Power Characteristics of BJT

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1 Power Characteristics of BJT
•Maxium Collector Current •SOA（安全工作区） •design

2 安全工作区(SOA)是晶体管能安全工作的范围,它受四个参数限制:
（1）集电极最大电流ICM。如果晶体管在脉冲状态工作，那么该电流可比直流时的ICM大1.53倍； （2）集电极最大耗散功率PCM。在直流工作时它取决于稳态热阻RT，在脉冲工作时，则取决于瞬态热阻RTS。通常ICVCE-1； （3）二次击穿临界功耗PSB曲线由实验决定，电流与电压有如下关系： IV-n；n在1.54之间； （4）最大电压VCEM。在线性放大区，VCEM=VSUS。

3 Maxium Collector Current
1。Base Conductivity Modulation effect 2。Kirk effect 3。Emitter Current Crowding effect

4 LE/AE

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6 晶体管耗散功率 • •晶体管结温有一定限制，温度过高将会引起P-N结的热击穿。通常规定，锗晶体管的最高结温定为85125℃，硅晶体管则定为150200℃，与最高结温相对应的耗散功率就是晶体管的最大耗散功率。 •晶体管的最大耗散功率与热阻有如下关系：

7 •电流集中二次击穿 •雪崩注入二次击穿（雪崩倍增区的变化）
Second Breakdown •电流集中二次击穿 •雪崩注入二次击穿（雪崩倍增区的变化）

8 一个功率管内部可看成多个小晶体管的并联，当电流均匀分布时，IE1=IE2=IE3, IE=IE1+IE2+IE3

9 如果由于某种原因IE1 ,功耗PC1 ,结温Tj1 。由于总IE不变，IE2 、IE3 即PC2 、 PC3 、 Tj2 、Tj3 。又因为IE不变，IERE不变，作用在三个管上的VEB不变。当VEB不变时，随着结温的升高，正向电流将剧增。 IE1将变得更大， 恶性循环，最终在V1形成过热点。

10 •造成电流局部集中的主要原因是ECC效应和总的IE在各小单元发射区上分配不均匀以及材料和工艺过程造成的不均匀性
措施：降低rB，以改善ECC；提高材料和工艺水平；改善散热条件。 镇流电阻 Power SiGe HBT可不用镇流电阻

11 Breakdown Voltage BVCEO

12 Transistor design example
主要设计指标 在通讯广播等设备上应用的N-P-N高频功率晶体管，甲类工作状态。其基本参数指标为： f=1000MHz, 输出功率P0=5W, 功率增益Gp=5db, Vcc=28V, =40%

13 设计指标分析—细化到具体设计参数上 1。集电极维持电压：甲类状态VSUS2VCC=56V 2。最大集电极电流： ICM 4P0/VCC=0.72A 3。最大耗散功率：取晶体管的最大耗散功率PCM等于电源供给功率PD，

14 4。热阻：选取最高结温TjM=175C，环境温度Ta=25 C,热阻
5。高频优值和特征频率：在工作频率在1000MHz下，高频优值需 Gp·f23.21018(Hz) 而 取fT=1500MHz,

15 总体设计方案考虑 1。工艺：外延平面双扩散工艺
2。图形结构形式：对高频功率晶体管的设计应兼顾功率特性与频率特性两方面的要求。选用覆盖式结构，该结构的图形优值较大，且本设计中的频率要求较高

16 3。集电结的形状：在集电结面积一定的条件下，正方形具有最小的周界长度
在集电结周界上发生低击穿的几率就小一些，有利于提高产品合格率。故低频大功率晶体管和高频小功率晶体管均为正方形。 超高频功率晶体管 所以高频功率晶体管集电结的形状设计就必须考虑周界长度问题，选取较长的矩形，这可能会牺牲一些合格率。 4。封装形式：H2型管壳封装 面积缩小许多 耗散功率大了许多

17 纵向结构参数的设计 1。外延层电阻率的选取:集电区外延层杂质浓度NC主要由集电结击穿电压V(BR)CBO决定
对硅平面型N-P-N晶体管，取n=4,令hFE=10-15，则V(BR)CBO=102~112V 根据杂质浓度与击穿电压关系曲线查得NC51015cm-3,考虑到较高的外延杂质浓度可以降低集电极串联电阻，提高频率特性，故选取NC=41015cm-3

18 纵向结构参数的设计 （2）base width: 若采用工艺 =21017cm-3 DnB=11cm2/s
 WB=(0.560.62m) 取 WB=0.5m也是可行的 （3）发射结和集电结结深： 由于采用磷硼扩散工艺，需考虑emitter- push effect

19 纵向结构参数的设计 若取xje/xjc=0.6,WB=1/3WB,而 xjc=xje+WB- WB
 xje=WB=0.5m,xjc=0.83m(考虑push effect, xjc’= /3=1m)

20 （4）外延层厚度的选取 考虑击穿条件下的集电结耗尽区宽度以及反扩散，Wepi=13~14 m
纵向结构参数的设计 （4）外延层厚度的选取 考虑击穿条件下的集电结耗尽区宽度以及反扩散，Wepi=13~14 m

21 纵向结构参数的设计 (5)纵向结构设计参数汇总： 基区宽度WB WB=0.5m 淡基区硼扩散结深xjc Xjc=0.83m
外延层厚度Wepi Wepi=1314m 淡基区表面杂质浓度NBO NBO=31019cm-3 淡基区硼扩薄层电阻 150/方块 浓基区表面杂质浓度 NBO’=3.51020cm-3 浓基区硼扩薄层电阻 5/方块 发射区表面杂质浓度 NEO=11021cm-3 发射区磷扩薄层电阻 20/方块 内基区薄层电阻 3100/方块 外延层杂质浓度 NC=41015cm-3 外延层电阻率 C=1.2cm

22 横向结构参数的设计 1。单元发射区的宽度、长度和个数的确定： =2.5×1017cm-3，DnB=11cm2/s， WB=0.5m ：
（ 基区电导调制） （基区扩展）  JCM=Jcr (最大电流密度）

23 横向结构参数的设计 — 发射极总周长 可以把发射极条宽度选为2m，但工艺限制，确定为8m。
—生产实际中常取le=(4~8)Se=(32~64) m, 这里取le=60 m

24 取90个，为使散热性能良好，把有源区面积确定为狭长的矩形。故把发射极单元在其长度方向上排列10列，在其宽度方向上排列9行。
横向结构参数的设计 取90个，为使散热性能良好，把有源区面积确定为狭长的矩形。故把发射极单元在其长度方向上排列10列，在其宽度方向上排列9行。

25 横向结构参数的设计 2。发射极引线孔尺寸的确定： 发射区条宽8m,最小套刻间距2 m： 引线孔宽度为4 m
3。浓、淡基区窗口尺寸的确定： 由于发射区扩散较浅，故可以忽略其横向扩散，浓基区扩散深度2.5m,假定其横向扩散为纵向深度的一半，即1.25 m,作为近似估算，操作对位误差为0.75 m,光刻版的误差及侧向腐蚀误差为1 m：总的间距大于3 m。所以取Seb=4 m

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27 4。铝金属电极尺寸的确定 5。光刻版图形尺寸：
横向结构参数的设计 4。铝金属电极尺寸的确定 5。光刻版图形尺寸： 最小光刻间距2m Se=8m le=60m n=90 单元E引线孔宽度4m 单元E引线孔长度46m 单元淡基区宽度16m 单元淡基区长度 68m 浓基区网格宽度Sb1=5m 基极引线孔的宽度Sb2=10m 淡基区轮廓792196m2 浓基区轮廓794198m2 LE=1.2cm 结面积AE=4.3210-4cm2 基区结面积AB=AC=1.5710-3 cm2

28 主要参数验算 （略）

29 Equivalent Circuit Models
Ebers-Moll model(Switching application) Gummel-Poon model Hybrid-pi model(Amplication application, small signal, operated in the normal active mode, all the parameters are related to the physical processes in the transistor )

30 Device Modeling There is a trade-off between accuracy and complexity.
1。Ebers-Moll Model:

31 Ebers-Moll Model

32 Tast: determine the coefficient

33 a12=a21

34 2。Gummel-Poon Model The Gummel-Poon model considers more physics of the transistor than the Ebers-Moll model. This model can be used if, for example, there is a nonuniform doping concentration in the base. 25 parameters

35 Gummel-Poon Model ( )

36 Hybrid-pi Equivalent Circuit